(1)Ga、As处于第四周期,原子序数比第三周期同主族元素大18,Ga位于周期表的第ⅢA族,故Ga的原子序数为13+18=31,As位于周期表的第VA族,故As的原子序数为14+18=32,
故答案为:31、32;
(2)As的电负性更大,GaAs中Ga表现正价、As表现负价,Ga位于周期表的第ⅢA族,As位于周期表的第VA族,故GaAs中Ga的化合价为+3、As的化合价为5-8=-3,
故答案为:+3;-3;
(3)C和Si也可以形成的化合物,C元素电负性更大,表现-4负价,Si表现+4价,故化学式为SiC,晶体中C原子与Si原子之间形成共价键,该晶体为原子晶体,具有金刚石的结构,每个C原子与4个Si原子成4个C-Si键,每个Si原子与4个C原子成4个Si-C键,
故答案为:SiC;共价;4;
(4)碳酸与硅酸钠反应生成硅酸,说明碳酸的酸性比硅酸强,反应离子方程式为:SiO 3 2- +2H 2 O+CO 2 ═H 2 SiO 3 ↓+CO 3 2- ,
故答案为:SiO 3 2- +2H 2 O+CO 2 ═H 2 SiO 3 ↓+CO 3 2- .
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物理性质
族:ⅣA族
周期:3
元素分区:p区
密度:2328.3kg/m³
常见化合价:4
硬度:6.5
地壳含量:25.70%
d性模量:190GPa(有些文献中为这个值)
密度:2.33g/cm³(18℃)
熔点:1687K(1414℃)
沸点:3173K(2900℃)
摩尔体积:12.06×10⁻⁶m³/mol
汽化热:384.22kJ/mol
熔化热:50.55kJ/mol
蒸气压:4.77Pa(1683K)
间接带隙:1.1eV(室温)
电导率:2.52×10⁻⁴/(米欧姆)
电负性:1.90(鲍林标度)
比热:700J/(kg·K)
化学性质
硅原子位于元素周期表第IV主族,它的原子序数为Z=14,核外有14个电子。电子在原子核外,按能级由低硅原子到高,由里到外,层层环绕,这称为电子的壳层结构。硅原子的核外电子第一层有2个电子,第二层有8个电子,达到稳定态。最外层有4个电子即为价电子,它对硅原子的导电性等方面起着主导作用。
加热下能同单质的卤素、氮、碳等非金属作用,也能同某些金属如Mg、Ca、Fe、Pt等作用。生成硅化物。不溶于一般无机酸中,可溶于碱溶液中,并有氢气放出,形成相应的碱金属硅酸盐溶液,于赤热温度下,与水蒸气能发生作用。
原子属性:
原子量:28.0855u;
原子核亏损质量:0.1455u;
原子半径:(计算值)110(111)pm;
共价半径:111pm;
范德华半径:210pm;
外围电子层排布:3s²3p²;引
电子在每个能级的排布:2,8,4;
电子层:KLM;
氧化性(氧化物):4(两性的)。
硅的用途
(1)高纯的单晶硅是重要的半导体材料。
(2)金属陶瓷、宇宙航行的重要材料。
(3)光导纤维通信,最新的现代通信手段。
(4)性能优异的硅有机化合物。
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