跨导 Gm的计算方法？

利用I对V的偏导求。

注意，这时候需要先判断MOS处于什么工作区域。

例子：VdsMOS处于线形区。

Id=u*Cox*（W/L）*[（Vgs-Vt）*Vds-0.5(Vds^2)]。

然后I对Vgs求偏导即可：g = partial （Id）/partial （Vgs）= u*Cox*Vds*（W/L）。

以上partial为偏导算符，打不出来，只能这么写了，u是载流子迁移率，Cox是单位栅电容大小，W和L分别是MOS的宽和长。

放大器

1、跨导放大器

跨导放大器（gm放大器）推出的电流正比于它的输入电压。在网络分析中，跨导放大器被定义为电压控制电流源（VCCS）。看到这些放大器安装在共源共栅配置，这是常见的，这提高了频率响应。

2、跨阻放大器

跨阻放大器输出正比于它的输入电流的电压。跨阻放大器通常被称为跨阻放大器，特别是半导体制造商。

MOS管的gm如同三极管的β，是衡量MOS管放大能力的标志之一。

不过话说回来，不是什么时候都需要放大能力强，比如在做开关管的时候，就需要器件能很快地在饱和、截止状态之间转换，达到深度饱和的速度要快。这时候，gm就不能太大。

另外，gm越大，要造出大功率的管子难度也越大，价格越高。市面上的小功率管gm可以很高，但大功率管的话，gm一般都很小。

跨导（Transconductance）是电子元件的一项属性。电导（G）是电阻（R）的倒数；而跨导则指输出端电流的变化值与输入端电压的变化值之间的比值。

mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

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