半导体物理中，能带宽度与禁带宽度的区别是什么？

1、概念不同：

能带宽度：为价带和导带的宽度，即电子能量分裂的一个个密集能级组成的宽度。 禁带宽度：为导带和价带的间距。能带宽度就是通电的能力，禁带宽度就是组电的能力。

2、所含电子不同：

能带：是用量子力学的方法研究固体内部电子运动的理论。始于20世纪初期，在量子力学确立以后发展起来的一种近似理论。它曾经定性地阐明了晶体中电子运动的普遍特点，并进而说明了导体与绝缘体、半导体的区别所在，解释了晶体中电子的平均自由程问题。

禁带宽度：是指一个能带宽度，固体中电子的能量是不可以连续取值的，而是一些不连续的能带，要导电就要有自由电子存在，自由电子存在的能带称为导带（能导电），被束缚的电子要成为自由电子，就必须获得足够能量从而跃迁到导带，这个能量的最小值就是禁带宽度。

例如：锗的禁带宽度为0.66ev；硅的禁带宽度为1.12ev；砷化镓的禁带宽度为1.46ev。‘

扩展资料

半导体禁带宽度与温度和掺杂浓度等有关：半导体禁带宽度随温度能够发生变化，这是半导体器件及其电路的一个弱点（但在某些应用中这却是一个优点）。半导体的禁带宽度具有负的温度系数。例如，Si的禁带宽度外推到0K时是1.17eV，到室温时即下降到1.12eV。

如果由许多孤立原子结合而成为晶体的时候，一条原子能级就简单地对应于一个能带，那么当温度升高时，晶体体积膨胀，原子间距增大，能带宽度变窄，则禁带宽度将增大，于是禁带宽度的温度系数为正。

参考资料来源：

百度百科——禁带宽度

百度百科——能带

晶体管成为集成电路技术发展的基础,现代微电子技术就是建立在以集成电路为核心的各种半导体器件基础上的高新电子技术.集成电路的生产始于1959年,其特点是体积小、重量轻、可靠性高、工作速度快.衡量微电子技术进步的标志要在三个方面：一是缩小芯片中器件结构的尺寸,即缩小加工线条的宽度；二是增加芯片中所包含的元器件的数量,即扩大集成规模；三是开拓有针对性的设计应用.随着集成电路的发展,半导体存贮器已大范围地取代过去使用的磁性存贮器,成为计算机进行数字运算和信息处理过程中的信息存贮器件.中央处理器(CPU)是集成电路技术的另一重要方面,其主要功能是执行“指令”进行运算或数据处理.在应用方面存贮器和中央处理器(CPU)又是电子产品的核心器件,他们的应用需要大量的信息交换和程序写入,要成功开发的一个程序,一个产品,就要也微电子学习开始,只有深入了解了才可以开发出很好的智能化产品.

成品率，是指生产企业在生产产品的过程中，根据产品产出的合格成品情况与核定的产品材料总投入量，所确定的一定比率关系，简单点说，投入100套原材料，能产出多少套成品。

成品率、产品残次(废)品率是相对表示方式，表示的是相对量，而产品损耗品量是绝对表示方式，表示的是绝对量。

扩展资料：

高规格的产品，有时良品率只有10%，甚至5%。其最具代表性的便是名为IC（Integrated Circuit，即集成电路）的半导体。IC是一种微型电子器件，在一块边长仅有两三毫米的方形硅基板上，搭载着数十万个晶体管、二极管等元件。

它是制造手机等电子产品时不可或缺的部件。如果用显微镜观察IC，就能看到上面密密麻麻地排列着晶体管，哪怕只混入微量杂质，也会使IC沦为废品。

半导体产业始于美国硅谷，后来在日本逐渐繁荣。这是一场微观世界的“产业战争”。胜负的关键是“能在一枚硅晶片上获得多少个良品”。换言之，这是一场关于成品率的竞争。

起初的良品率可以用“惨淡”来形容，一枚硅晶片只能生产出一到两个良品，因此最初的IC价格高昂。但随着行业整体工艺水平的提高，成品率也逐渐上升，

等到一枚硅晶片能够生产几千乃至几万个合格品时，IC的单价也就随之大幅下跌。于是，随着半导体价格的下跌，诸如电视机、收音机等使用半导体部件的电器产品，其价格也变得平民化。

要想提高成品率，首先必须从观察产品做起。在观察的过程中，就能听到产品的声音，从而得知产品“哪里疼”“在哪里受的伤”，进而查明生产流程中的问题环节。

参考资料来源：百度百科——成品率

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