多晶硅能效略低,转化效率在15%左右。
这是由于两者的晶格排列形态决定的。单晶硅和多晶硅的区别是当熔融的单质硅凝固时,硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核,如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒,则形成单晶硅。如果这些晶核长成晶面取向不同的晶粒,则形成多晶硅。多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如在力学性质、电学性质等方面多晶硅均不如单晶硅。多晶硅可作为拉制单晶硅的原料。单晶硅可算得上是世界上最纯净的物质了,一般的半导体器件要求硅的纯度六个9以上。大规模集成电路的要求更高,硅的纯度必须达到九个9。人们已经能制造出纯度为十二个9的单晶硅。单晶硅是电子计算机、自动控制系统等现代科学技术中不可缺少的基本材料。
单晶硅是硅的单晶体。具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质,是一种良好的半导材料。纯度要求达到99.9999%,甚至达到99.9999999%以上。用于制造半导体器件、太阳能电池等。用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。单晶硅是一种比较活泼的非金属元素,是晶体材料的重要组成部分,处于新材料发展的前沿。其主要用途是用作半导体材料和利用太阳能光伏发电、供热等。
多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核,如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒则这些晶粒结合起来就结晶成多晶硅。从目前国际太阳电池的发展过程可以看出其发展趋势为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料(包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜)。
A、当物质处于a点时物体温度还没有达到熔点,所以没有熔化.此时只有固态没有液态.故A错误.B、当物质处于b点时物体温度还没有达到熔点,所以没有熔化.此时只有固态没有液态.故B错误.
C、当物质处于c点时,物体处于熔化过程中,此时有一部分固体已经熔化,还有一部分没有熔化,所以此时为液固共存状态.故C正确.
D、此时的物体已经全部熔化完毕,物体所处的状态为液态.故D错误.
故选C.
欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
评论列表(0条)