半导体封装中如何去掉残胶？

封装的主要生产过程包括：晶圆切割，将晶圆上每一晶粒加以切割分离。粘晶，（Die-Attach）将切割完成的晶粒放置在导线架上。焊线，（Wire Bond）将晶粒信号接点用金属线连接至导线架上。封胶，将晶粒与外界隔绝。检切/成型，将封胶后多余的残胶去除，并将导线架上IC加以检切成型。印字，在IC表面打上型号、生产日期、批号等信息。检测，测试芯片产品的优劣。

我不是做封装的，不过我经常用RIE（Reactive Ion Etch）

原理就是用各种气体的plasma来对半导体芯片进行蚀刻

不同气体的plasma的作用是不一样的~你说的除去异物的那种，我估计应该是氧气（O2）或者氩气（Ar）吧？

激活表面这个说法我还真没有听说过。。

个人觉得不会。。1是觉得没有必要，2是因为没有mask的话，直接上plasma进行对芯片本体的结构处理是很危险的。。有可能会损坏原有的构造，导致芯片损毁

半导体封装技术的现状及动向

表1是最近和未来几年便携式通信设备性能进展及预测。前两年还只有通信功能的手机，现在已成为集通信、摄像、照相、传输文字信息和图像信息于一身的现代综合型电子设备，今后几年性能还会进一步提高。表2是半导体芯片的性能预测，LSI的特性线宽即将进入亚0.1μm时代。为了将先进芯片的性能完全引出，以达到表1所示便携通讯设备的性能要求，半导体封装所起的作用今后越来越大。

如图2LSI封装形态的发展趋势所示，与传统QFP及7SOP等周边端子型封装(外部引脚从封装的四周边伸出)相对,BGA(ball grid array：球栅阵列)等平面阵列端子型封装(焊料微球端子按平面栅阵列布置)将成为主流。而且，在进入新世纪的二、三年中，在一个封装内搭载多个芯片的MCP(multi chip package：多芯片封装)甚至SiP(system in a package：封装内系统或系统封装)等也正在普及中。

表1便携式通信设备性能进展及预测

表2半导体芯片的性能预测(价格-性能适中型MPU)

顺便指出，SiP是MCP进一步发展的产物。二者的区别在于，SiP中可搭载不同类型的芯片，芯片之间可以进行信号存取和交换，从而以一个系统的规模而具备某种功能；MCP中叠层的多个芯片一般为同一种类型，以芯片之间不能进行信号存取和交换的存储器为主，从整体来讲为多芯片存储器。

半导体封装具有物理保护、电气连接、应力缓和、散热防潮、标准化规格化等功能。这些基本功能今后也不会变化，但所要求的内容却是在不断变化之中。在满足上述要求的同时，达到价格与性能兼顾，从而实现最佳化是十分重要的。下面针对芯片保护、电气功能的实现、通用性及封装界面标准化、散热冷却功能这四个主要方面，简要介绍半导体封装今后的动向及主要课题等。

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