激光在二维半导体中触发磁性

激光在二维半导体中触发磁性,第1张

科学家使用光子来控制被困在二维半导体中的电荷的“基态”特性

研究人员发现,激光形式的光可以在正常的非磁性材料中触发某种形式的磁性。该实验由华盛顿大学和香港大学的科学家领导,于 4 月 20 日发表在《自然》杂志上。

据共同资深作者、华盛顿大学物理系和该系波音特聘教授徐晓东说,通过在这种细节和精度水平上控制和对齐电子自旋,该平台可以在量子模拟领域得到应用。材料科学与工程专业。

“在这个系统中,我们基本上可以使用光子来控制被困在半导体材料中的电荷的‘基态’特性——例如磁性,”Xu 说,他也是华盛顿大学清洁能源研究所和分子研究所的研究员。工程与科学研究所。 “这是为量子计算和其他应用开发某些类型的量子比特或‘量子比特’的必要控制水平。”

徐的研究团队带头进行了实验,他与共同资深作者、香港大学物理学教授王耀领导了这项研究,他的团队致力于研究支持结果的理论。参与这项研究的其他威斯康星大学教职员工是威斯康星大学物理学和材料科学与工程教授(同时在太平洋西北国家实验室担任联合任命)的共同作者 Di Xiao 和威斯康星大学化学教授兼主任 Daniel Gamelin分子工程材料中心。

该团队使用了二维化合物半导体 WSe2 和 WS2 的超薄薄片。研究人员将这两张纸叠起来形成了“莫尔超晶格”,这是一种由重复单元组成的堆叠结构。

像这样的堆叠薄片是量子物理学和材料研究的强大平台,因为超晶格结构可以将激子保持在适当的位置。激子是成对的“受激”电子及其相关的正电荷,科学家可以测量它们在不同超晶格配置中的性质和行为如何变化。

研究人员正在研究材料内的激子特性时,他们惊奇地发现光触发了正常非磁性材料内的关键磁性。激光提供的光子在激光束路径内“激发”了激子,这些激子在其他电子之间引发了一种长程相关性,它们的自旋都指向同一方向。

“就好像超晶格内的激子开始与空间分离的电子‘对话’,”徐说。 “然后,通过激子,电子建立了交换相互作用,形成了所谓的具有对齐自旋的‘有序状态’。”

研究人员在超晶格中目睹的自旋排列是铁磁性的特征,铁磁性是铁等材料固有的磁性形式。它通常不存在于 WSe2 和 WS2 中。徐说,莫尔超晶格中的每个重复单元本质上就像一个量子点来“捕获”电子自旋。可以相互“交谈”的被困电子自旋被认为是一种量子比特的基础,量子计算机的基本单元可以利用量子力学的独特特性进行计算。

在 2021 年 11 月 25 日发表在《科学》杂志上的另一篇论文中,Xu 和他的合作者在由超薄 CrI3 片形成的莫尔超晶格中发现了新的磁性,与 WSe2 和 WS2 不同,CrI3 具有固有的磁性,即使是单个原子片。堆叠的 CrI3 层形成交替的磁畴:一个是铁磁性的——自旋都在相同的方向上排列——另一个是“反铁磁性的”,其中自旋在超晶格的相邻层之间指向相反的方向,并且基本上“相互抵消, ”据徐说。这一发现还阐明了材料结构与其磁性之间的关系,这可能会推动计算、数据存储和其他领域的未来发展。

“它向你展示了隐藏在二维量子材料形成的莫尔超晶格中的磁性‘惊喜’,”徐说。 “除非你仔细观察,否则你永远无法确定你会找到什么。”

上图显示了光致铁磁性。以黄色显示的激光激发激子 - 电子(蓝色)及其相关正电荷的束缚对,也称为空穴(红色)。这种活动在莫尔超晶格内的其他空穴之间引起长程交换相互作用,使它们的自旋方向相同。

半导体激光器的激励方式主要有三种,即电注入式,光泵式和高能电子束激励式.电注入式半导体激光器,一般是由GaAS(砷化镓),InAS(砷化铟),Insb(锑化铟)等材料制成的半导体面结型二极管,沿正向偏压注入电流进行激励,在结平面区域产生受激发射.光泵式半导体激光器,一般用N型或P型半导体单晶(如GaAS,InAs,InSb等)做工作物质,以其他激光器发出的激光作光泵激励.高能电子束激励式半导体激光器,一般也是用N型或者P型半导体单晶(如PbS,CdS,ZhO等)做工作物质,通过由外部注入高能电子束进行激励.在半导体激光器件中,目前性能较好,应用较广的是具有双异质结构的电注入式GaAs二极管激光器.

3级。

半导体激光在1962年被成功激发,在1970年实现室温下连续输出,输出连续激光大于500mW,是3级。

激光器能发射激光的装置,1954年制成了第一台微波量子放大器,获得了高度相干的微波束,1958年肖洛和汤斯把微波量子放大器原理推广应用到光频范围,1960年梅曼制成了第一台红宝石激光器。


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