半导体的晶振效应是什么？之后的电子波动怎么用到数控指令联系物理开关？

半导体的晶振效应是指当半导体元件在电场作用下时，电子会在其中产生一定的振荡，这种振荡会影响到半导体元件的电性能。

晶振效应通常用于控制半导体元件的频率，例如在晶体管中使用晶振效应来控制信号的频率。在数控系统中，晶振效应被用来产生高精度的时钟信号，用来控制数控系统的指令和运算。在数控系统中，晶振效应被用来产生高精度的时钟信号，用来控制数控系统的指令和运算。这些时钟信号可以用来控制数控系统的运算速度和精度。

在物理开关中，晶振效应也被用来控制开关的频率。例如，在智能电网系统中，晶振效应可以用来控制开关的频率，以确保电网系统的稳定性和安全性。

BUCK的IGBT的GE电压在关断有振荡，这是正常的，产生原因：电路中的寄生电感和寄生电容引起的谐振。解决办法，可以通过在两端增加一个RC或RCD吸收电路，至于电阻电容的选取你可以到网上找些相关设计资料。通过增加吸收电路可以减小振荡，但不可完全消除。

你说的很对，振荡电路的雏形就是反馈电路。可以说它是对反馈电路自激振荡的一种利用。我们都知道，但在设计反馈电路的时候，如果反馈深度设计不当，电路将产生自激振荡。但是如果，我们修改电路，让它按照我们所需求的目标振荡（也就是去产生一定频率的波形信号），那么就构成了振荡器了。

现在从两个方面来解答你的问题：

1、自激振荡 放大电路中引入负反馈，可以使电路的许多性能得到改善， 并且反馈深度越深，改善效果越好。但是对于多级放大电路而言， 反馈深度过深，即使放大电路的输入信号为零， 输出端也会出现具有一定频率和幅值的输出信号，这种现象称为放大电路的自激振荡，它使放大电路不能正常工作，失去了电路的稳定性。

自激振荡产生的原因�

负反馈放大电路的闭环放大倍数为 AF=A/1+AF 在中频段，由于AF>0，相角φA+φF=2nπ（n=0，1， 2，…），输入信号Xi和反馈信号Xf同相，因此净输入量是两者的差值，即Xi’ = Xi-Xf，此时电路实现负反馈功能。但是，在低频段和高频段， �AF将产生附加相移。在低频段，由于耦合电容和旁路电容的作用， �AF将产生超前相移；在高频段， 由于半导体器件存在极间电容， AF�将产生滞后相移。假设在某一频率f0下， AF的附加相移达到180°，即φA+φF=(2n+1)π.注意，此时Xi和反馈信号Xf由以前的同相，就变为了反向，此时净输入量是两者的和（减负，相当于加正了嘛），即Xi’= Xi+Xf。所以此时，输出信号将没反馈一次，就加强一次。最极端的情况就是，只是电路自身的噪声信号（没有故意加输入信号）给了个启动信号的话，就会有不断的信号输出了。此时，我们就称电路产生自激振荡了。

2、振荡电路。因我无权限附图，你可以直接参考书上的RC串并联振荡电路。它是由运放构成的正反馈放大电路，RC选频网络，还有稳幅电路3部分构成。正反馈部分，就是用来产生自激振荡的，而选频网络就是用来确定f0的， 我在1中分析了，只有当f0时， AF的附加相移才达到180°，也才能使 Xi和Xf由同相变反向，进而产生自激的。稳幅也就是通过负反馈使得输出信号的幅度不至于被一次次加大，而是维持我们需要的指标。

因此，要掌握好振荡电路，应该把负反馈的自激振荡部分和它联系起来学习。概括起来说，振荡电路，就相当于我们设计了一个按我们需要的频率做自激振荡而且又被我们控制了幅度的自激振荡吧。

关于，你提到的能量如何维持的问题，那是我们电路的直流电源供给的了，能量总是守恒的。

直流电源是给整个电路（里面的运放芯片，电阻等等）供电的，它是一直没有撤销的而且也不能撤销的了，你看见过没有电就可以一直工作的电路吗？主要你是把输入信号和直流电源混淆了哈，不是直流电源加在输入端在提供输入信号哦。这个你应该拿着电路图对照看下，是因为直流电源的存在，电路才有电流流动，是经过反馈等环节的处理而成为输入信号，进入到运放的吧。我们说到过自激振荡的时候，就是输入信号为0（相当于你所说的输入信号撤销了）但是，此时供给电路的直流电压源是始终在的呢。没有它你的整个线路中就没有能量供给了。即便有所谓的噪声启动信号，那也很快就会都消逝了，都会耗尽在导线及电阻的发热上面。

如果还不清楚的话，可以继续问，我会再给你简答的。我以前研究过这个，你的分我挣定了哦，呵呵。

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