半导体芯片制造废水处理方法

随着我国经济的高速发展，半导体行业的发展也在迅速崛起，因此在半导体工业加工的过程中不可避免的会产生含有氟离子，铜离子，磷废水的污染物废水。

含氟离子废水处理：

将废水的p H值调整在6-7左右，再加入的过量的Ca

Cl2和适量的絮凝剂，后续会行形成沉淀，部分污泥循环成为载体，在沉淀池中通过重力沉降能够实现泥水分离。

第一次反应时能够去除80%的氟，再一次加入絮凝剂，氟化钙及其其他形态沉淀，利用污泥泵输送到污泥沉淀池,用板框式脱水机压成泥饼外运，这时候产生的压滤液进入其他的系统进一步处理。

含磷离子废水处理：

含磷废水中磷主要以PO43-为主，采用的方法为化学沉淀法和混凝剂沉降法的组合工艺，通过加入Ca

Cl2生成难溶于水的Ca5(PO4)3OH沉淀。

一级反应池的p H调整到5-6左右，二级反应池p H调整到8.5-9，三级反应池p

H调整到9-9.5(确保完全生成羟基磷酸钙)，此工艺流程比较简单，费用也比较低，对于含磷废水处理有很大的适用性。

与研磨废水进行混合：

将半导体器件制造中产生的电镀废水和研磨废水进行混合，混合废水泵入浸没式膜过滤装置过滤，过滤的水泵入纳滤膜过滤装置过滤，经过纳滤膜过滤装置过滤的水即可直接回用。

以上是小编整理的半导体工业废水的处理方法都有哪些，后期将会关于更多污水处理的相关内容。

1、胞嘧啶核苷酸，缩写CMP。为嘧啶核苷酸之一，RNA的构成成分。天然存在的有5′-胞苷酸（胞苷-5′-磷酸）。RNA碱解可生成2′-胞苷酸（胞苷-2′-磷酸）和3′-胞苷酸（胞苷-3′-磷酸）。

2、化学机械研磨，晶圆制造中，随着制程技术的升级、导线与栅极尺寸的缩小，光刻技术对晶圆表面的平坦程度的要求越来越高，IBM公司于1985年发展CMOS产品引入，并在1990年成功应用于64MB的DRAM生产中。

3、单芯片多处理器，由美国斯坦福大学提出的，其思想是将大规模并行处理器中的SMP（对称多处理器）集成到同一芯片内，各个处理器并行执行不同的进程。

4、CMP（Campaign Management Platform），营销活动管理平台，基于数据仓库数据基础之上，利用NCR的一个TCRM产品做的一个分析应用。

5、CMP，是Common Middle Point的缩写，即CMP道集，是指把不同炮集中拥有共中心点的道抽取出来，形成一个新的集合。

扩展资料

与CMP比较， SMT处理器结构的灵活性比较突出。但是，当半导体工艺进入0.18微米以后，线延时已经超过了门延迟，要求微处理器的设计通过划分许多规模更小、局部性更好的基本单元结构来进行。

相比之下，由于CMP结构已经被划分成多个处理器核来设计，每个核都比较简单，有利于优化设计，因此更有发展前途。

参考资料来源：百度百科-胞嘧啶核苷酸

参考资料来源：百度百科-化学机械研磨

参考资料来源：百度百科-单芯片多处理器

参考资料来源：百度百科-CMP（管理平台）

参考资料来源：百度百科-CMP 

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