pn结正向压降与温度的关系实验报告是什么?

pn结正向压降与温度的关系实验报告是了解PN 结正向压降随温度变化的基本关系，测定PN 结F F V I -特性曲线及玻尔兹曼常数。

实验原理PN 结F F V I -特性及玻尔兹曼常数k 的测量：由半导体物理学中有关PN 结的研究可以得出PN 结的正向电流F I 与正向电压F V 满足以下关系

式中e 为电子电荷量、k为玻尔兹曼常数，T为热力学温度，sI为反向饱和电流，它是一个与PN 结材料禁带宽度及温度等因素有关的系数，是不随电压变化的常数。

由于在常温（300K ）下，kT/q=0.026,而PN 结的正向压降一般为零点几伏,所以exp kT，eV F ,1上式括号内的第二项可以忽略不计,于是有 kT eV Is I FF exp =2。

正向压降：

正向压降是指在规定的正向电流下，二极管的正向电压降，是二极管能够导通的正向最低电压。

二极管除了具有PN结，还具有半导体材料的体电阻，封装绑定线的电阻及引脚的电阻，由于电阻的分压，随着电流的增大二极管压降也会增大。

这些电阻分量在几百mA至几A的情况下，压降是很明显的，可以认为，在小电流时主要由伏安特性决定压降，而大电流时则主要由体电阻决定压降。

以上内容参考：百度百科-正向压降

这个需要有一定的固体物理知识,其实也很好理解,你可以首先想象出一个空间直角坐标系.以硅举例,硅是由两个面心立方沿对角线方向也就是坐标(1,1,1)方向移动0.25对角线长度套构而成,所构成的复式格子,111方向只是一种观察方向而已,硅还可以从（1,0,0）（1,1,0）方向进行观察,如果要深究就去看固体物理的晶列指数和晶面指数和半导体物理的回旋共振实验.

第二个1/3也很好理解,空间坐标点（1,1,1）关于三个坐标轴投影的余弦值,就是一个单位立方体,对角线长度根号三,边长为1,余弦值：根号三除一,平方就是1/3,三个余弦值之和为1（这个知识点可以看高等数学的空间解析几何）

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