三极管在放大信号时,首先要进入导通状态,即要先建立合适的静态工作点,也叫 建立偏置 ,否则会放大失真。
在三极管的集电极与电源之间接一个电阻,可将电流放大转换成电压放大:当基极电压UB升高时,IB变大,IC也变大,IC 在集电极电阻RC的压降也越大,所以三极管集电极电压UC会降低,且UB越高,UC就越低,ΔUC=ΔUB。仅供参考,请参考有关书籍。
三极管的作用
半导体三极管亦称双极型晶体管,其种类非常多。按照结构工艺分类,有PNP和NPN型;按照制造材料分类,有锗管和硅管;按照工作频率分类,有低频管和高频管;一般低频管用以处理频率在3MHz以下的电路中,高频管的工作频率可以达到几百兆赫。按照允许耗散的功率大小分类,有小功率管和大功率管;一般小功率管的额定功耗在1W以下,而大功率管的额定功耗可达几十瓦以上。常见的半导体三极管外型见图2.5.1。
图2.5.1 半导体三极管外形图
共射电流放大系数β。β值一般在20~200,它是表征三极管电流放大作用的最主要的参数。
反向击穿电压值U(BR)CEO。指基极开路时加在c、e两端电压的最大允许值,一般为几十伏,高压大功率管可达千伏以上。
最大集电极电流ICM。指由于三极管集电极电流IC过大使β值下降到规定允许值时的电流(一般指β值下降到2/3正常值时的IC值)。实际管子在工作时超过ICM并不一定损坏,但管子的性能将变差。
最大管耗PCM。指根据三极管允许的最高结温而定出的集电结最大允许耗散功率。在实际工作中三极管的IC与UCE的乘积要小于PCM值,反之则可能烧坏管子。
穿透电流ICEO。指在三极管基极电流IB=0时,流过集电极的电流IC。它表明基极对集电极电流失控的程度。小功率硅管的ICEO约为0.1�8�6A,锗管的值要比它大1000倍,大功率硅管的ICEO约为mA数量级。
特征频率fT。指三极管的β值下降到1时所对应的工作频率。 fT的典型值约在100~1000MHz之间,实际工作频率
半导体二极管的核心是PN结,它的特性就是PN结的特性——单向导电性。用实验的方法,在二极管的阳极和阴极两端加上不同极性和不同数值的电压,同时测量流过二极管的电流值,就可得到二极管的伏一安特性曲线。
当正向电压很低时,正向电流几乎为零,P89LPC954FBD这是因为外加电压的电场还不能克服PN结内部的内电场,内电场阻挡了多数载流子的扩散运动,此时二极管呈现高电阻值,基本上还是处于截止的状态。
二极管伏安特性曲线
二极管伏安特性曲线加在PN结两端的电压和流过二极管的电流之间的关系曲线称为伏安特性曲线。
正向特性:u>0的部分称为正向特性。
反向特性:u<0的部分称为反向特性。
反向击穿:当反向电压超过一定数值U(BR)后,反向电流急剧增加,称之反向击穿。
势垒电容:耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容Cb。
变容二极管:当PN结加反向电压时,Cb明显随u的变化而变化,而制成各种变容二极管。如图5所示。
以上内容参考:百度百科-伏安特性曲线
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