随着我国经济的高速发展,半导体行业的发展也在迅速崛起,因此在半导体工业加工的过程中不可避免的会产生含有氟离子,铜离子,磷废水的污染物废水。
含氟离子废水处理:
将废水的p H值调整在6-7左右,再加入的过量的Ca
Cl2和适量的絮凝剂,后续会行形成沉淀,部分污泥循环成为载体,在沉淀池中通过重力沉降能够实现泥水分离。
第一次反应时能够去除80%的氟,再一次加入絮凝剂,氟化钙及其其他形态沉淀,利用污泥泵输送到污泥沉淀池,用板框式脱水机压成泥饼外运,这时候产生的压滤液进入其他的系统进一步处理。
含磷离子废水处理:
含磷废水中磷主要以PO43-为主,采用的方法为化学沉淀法和混凝剂沉降法的组合工艺,通过加入Ca
Cl2生成难溶于水的Ca5(PO4)3OH沉淀。
一级反应池的p H调整到5-6左右,二级反应池p H调整到8.5-9,三级反应池p
H调整到9-9.5(确保完全生成羟基磷酸钙),此工艺流程比较简单,费用也比较低,对于含磷废水处理有很大的适用性。
与研磨废水进行混合:
将半导体器件制造中产生的电镀废水和研磨废水进行混合,混合废水泵入浸没式膜过滤装置过滤,过滤的水泵入纳滤膜过滤装置过滤,经过纳滤膜过滤装置过滤的水即可直接回用。
以上是小编整理的半导体工业废水的处理方法都有哪些,后期将会关于更多污水处理的相关内容。
美国半导体清洗标准。对切割出来的硅片进行打磨、抛光。硅片的表面会有很多大小不一的、各种各样的颗粒,包括金属沫、油污等。这些颗粒是要清洗的内容。1、加热。假设室温20℃的情况下,用加热器将清洗溶液的温度加热到80℃,这样酸碱在高温下能加快反应,得到更好的清洗效果。
2、使用超声波产生气泡,同样能够达到吸取硅片表面杂质的目的。这种情况是在温度要求不能太高的情况下使用的。
3、震动。为了让杂质不会粘贴在硅片表面上,采用一种晃动的方式,让装有硅片的篮子在清洗溶液中充分接触溶液,增加摩擦,有效去污。
超声波清洗时,在超声波的作用下,机械振动传到清洗槽内的清洗液中,使清洗液体内交替出现疏密相间的振动,液体不断受到拉伸和压缩。疏的地方受到拉伸,形成微气泡(空穴),密的地方受到压缩。由于清洗液内部受超声波的振动而频繁地拉伸和压缩,其结果使微气泡不断地产生和不断地破裂。微气泡破裂时,周围的清洗液以巨大的速度从各个方向伸向气泡的中心,产生水击。这和中现象可以通过肉眼直接观察到,即在清洗液中可以看到有剧烈活动的气泡,而且清洗浓夜上下对流。此时若将手指浸入清洗液中,则有强烈针刺的感觉,上述这种现象称为超声富空化作用。在超声空化作用一定时间后,被清洗件上的污垢逐渐脱落(当然也有清洗液本身的作用在内)。
--华杨沐林塑秋实,科卓海纳立顶峰
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