蚀刻曝光和显影是什么意思

蚀刻、曝光和显影的意思分别是：

1、蚀刻：

一种将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。通常所指蚀刻也称光化学蚀刻，指通过曝光制版、显影后，将要蚀刻区域的保护膜去除，在蚀刻时接触化学溶液，达到溶解腐蚀的作用，形成凹凸或者镂空成型的效果。

2、曝光：

指在摄影过程中进入镜头照射在感光元件上的光量，由光圈、快门、感光度的组合来控制。通常是指使感光纸或摄影胶片感光，摄影感光材料的感光。

3、显影：

在印刷、影印、复印、晒图等行业中，让影像显现的一个过程。通常指在复印机、打印机中显影就是用带电的色粉使感光鼓上的静电潜像转变成可见的色粉图像的过程。

扩展材料：

1、蚀刻技术可以分为湿蚀刻和干蚀刻两类。

最早可用来制造铜版、锌版等印刷凹凸版，也广泛地被使用于减轻重量仪器镶板，铭牌及传统加工法难以加工之薄形工件等的加工；经过不断改良和工艺设备发展，亦可以用于航空、机械、化学工业中电子薄片零件精密蚀刻产品的加工，特别在半导体制程上，蚀刻更是不可或缺的技术。

2、曝光就是光圈、快门和感光度ISO的组合。

其中光圈和速度联合决定进光量，ISO决定ISOCCD/CMOS的感光速度。

3、显影包括正显影和反转显影。

正显影中显影色粉所带电荷的极性，与感光鼓表面静电潜像的电荷极性是相反的，反转显影中感光鼓与色粉电荷极性是相同的。

参考资料：

百度百科-蚀刻

百度百科-曝光

百度百科-显影

芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序（WaferFabrication）、晶圆针测工序（WaferProbe）、构装工序（Packaging）。

测试工序（InitialTestandFinalTest）等几个步骤。其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段（FrontEnd）工序，而构装工序、测试工序为后段（BackEnd）工序。

按照其制造技术可分为分立器件半导体、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、存储器等大类，一般来说这些还会被再分成小类。

此外，IC除了在制造技术上的分类以外，还有以应用领域、设计方法等进行分类，最近虽然不常用。

但还有按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其规模进行分类的方法。此外，还有按照其所处理的信号，可以分成模拟、数字、模拟数字混成及功能进行分类的方法。

晶圆处理工序：本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件（如晶体管、电容、逻辑开关等），其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关。

但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗，再在其表面进行氧化及化学气相沉积，然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤，最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。

扩展资料：

（1）元素半导体。元素半导体是指单一元素构成的半导体，其中对硅、锡的研究比较早。它是由相同元素组成的具有半导体特性的固体材料，容易受到微量杂质和外界条件的影响而发生变化。目前，只有硅、锗性能好，运用的比较广，硒在电子照明和光电领域中应用。

硅在半导体工业中运用的多，这主要受到二氧化硅的影响，能够在器件制作上形成掩膜，能够提高半导体器件的稳定性，利于自动化工业生产。

（2）无机合成物半导体。无机合成物主要是通过单一元素构成半导体材料，当然也有多种元素构成的半导体材料，主要的半导体性质有I族与V、VI、VII族；II族与IV、V、VI、VII族；III族与V、VI族；IV族与IV、VI族。V族与VI族；

VI族与VI族的结合化合物，但受到元素的特性和制作方式的影响，不是所有的化合物都能够符合半导体材料的要求。这一半导体主要运用到高速器件中，InP制造的晶体管的速度比其他材料都高，主要运用到光电集成电路、抗核辐射器件中。对于导电率高的材料，主要用于LED等方面。

参考资料来源：百度百科-半导体

半导体工艺涂完胶不能立马显影是因为需要曝光过程。根据查询相关公开信息显示，光刻工艺是半导体元件制作中的常用工艺，通过在半导体基片(如硅晶圆)表面涂敷一定厚度的光刻胶，然后进行曝光，才能显影，以对基片表面的材料做图形化处理。

---