什么是负电子亲和势光电阴极 负电子亲和势光电阴极介绍

1、表面势垒低于导带底的光阴极（如GaAs:Cs-O)。表面势垒高于导带底的称为正电子亲和势光阴极(如Sb-K-Na-Cs)；表面势垒平于导带底的称为零电子亲和势光阴极。

2、介绍：表面势垒低于导带底的光阴极（如GaAs:Cs-O)。表面势垒高于导带底的称为正电子亲和势光阴极(如Sb-K-Na-Cs)；表面势垒平于导带底的称为零电子亲和势光阴极。

3、1963年美国 R. E.西蒙斯根据半导体能带理论提出负电子亲和势概念。1965年荷兰J.J.席尔和J.范拉制成GaAs:Gs光阴极。人们又制出其他Ⅲ-Ⅴ族化合物光阴极，如 InP，GaxIn1-xAs(0xyIn1-yPzAs1-z（0yz2O,它与P型Ⅲ-Ⅴ族化合物晶体（如掺Zn的GaSb）接触，形成异质结。此模型给出在表面吸附层内有一界面势垒（约 1.2电子伏）。根据偶极子模型，Cs-O层是很薄的Cs偶极子与Cs2O偶极子串联的双偶极子,其厚度约8埃。这与单原子尺度的实验是一致的。

P型半导体N型表面在未建立平衡之前两者的费米能级是不相同的，应该说前者低于后者。因此，表面态中的电子会跃迁到P型半导体的受主能级上，使得费米能级产生平衡。故在外表面层会形成正的空间电荷区，内表面层形成负的空间电荷区，导致靠近表面的电位下降，从而导致表面层的能带向下弯曲，从能量角度来看向下弯曲的能带降低了导带底和真空能级之间的能量差，故电子从导带溢出到真空能级所需要的能量减小了，更多的受激电子能够从半导体表面逸出，从而有利于光电发射，楼上瞎扯PN结完全不懂电子亲和势的概念，纯属误导

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