氮化硅的合成方法

六方 β-Si3N4

可在1300-1400℃的条件下用单质硅和氮气直接进行化合反应得到氮化硅： 3 Si(s) + 2 N2(g) → Si3N4(s) 也可用二亚胺合成 SiCl4(l) + 6 NH3(g) → Si(NH)2(s) + 4 NH4Cl(s) 在0 ℃的条件下 3 Si(NH)2(s) → Si3N4(s) + N2(g) + 3 H2(g) 在1000 ℃的条件下 或用碳热还原反应在1400-1450℃的氮气气氛下合成： 3 SiO2(s) + 6 C(s) + 2 N2(g) → Si3N4(s) + 6 CO(g) 对单质硅的粉末进行渗氮处理的合成方法是在二十世纪50年代随着对氮化硅的重新“发现”而开发出来的。也是第一种用于大量生产氮化硅粉末的方法。但如果使用的硅原料纯度低会使得生产出的氮化硅含有杂质硅酸盐和铁。用二胺分解法合成的氮化硅是无定形态的，需要进一步在1400-1500℃的氮气下做退火处理才能将之转化为晶态粉末，二胺分解法在重要性方面是仅次于渗氮法的商品化生产氮化硅的方法。碳热还原反应是制造氮化硅的最简单途径也是工业上制造氮化硅粉末最符合成本效益的手段。

电子级的氮化硅薄膜是通过化学气相沉积或者等离子体增强化学气相沉积技术制造的: 3 SiH4(g) + 4 NH3(g) → Si3N4(s) + 12 H2(g) 3 SiCl4(g) + 4 NH3(g) → Si3N4(s) + 12 HCl(g) 3 SiCl2H2(g) + 4 NH3(g) → Si3N4(s) + 6 HCl(g) + 6 H2(g) 如果要在半导体基材上沉积氮化硅，有两种方法可供使用： 利用低压化学气相沉积技术在相对较高的温度下利用垂直或水平管式炉进行。 等离子体增强化学气相沉积技术在温度相对较低的真空条件下进行。 氮化硅的晶胞参数与单质硅不同。因此根据沉积方法的不同，生成的氮化硅薄膜会有产生张力或应力。特别是当使用等离子体增强化学气相沉积技术时，能通过调节沉积参数来减少张力。

先利用溶胶凝胶法制备出二氧化硅，然后同时利用碳热还原法和氮化对其中包含特细碳粒子的硅胶进行处理后得到氮化硅纳米线。硅胶中的特细碳粒子是由葡萄糖在1200-1350℃分解产生的。合成过程中涉及的反应可能是： SiO2(s) + C(s) → SiO(g) + CO(g) 3 SiO(g) + 2 N2(g) + 3 CO(g) → Si3N4(s) + 3 CO2(g) 或 3 SiO(g) + 2 N2(g) + 3 C(s) → Si3N4(s) + 3 CO(g)

P460NH是正火的可焊接细晶粒钢、细晶粒钢理解为按EURONRM103标准检测厚铁素体晶粒度为6级或者更细的钢，执行标准EN10028-3，数字号：1.8935，P460NH为合金特殊刚，承压设备用钢板，具有良好的塑性，韧性，冷弯性能和焊接性能。

P460NH执行标准EN10028，执行标准：EN10028-3:20033、

P460NH是欧标（EN10028-3) 材料， 低合金结构钢，相当于15MnVNR，系压力容器专用钢。

低合金结构钢是指在普通碳素钢中加入少量或微量合金元素，而使钢材性能发生变化，得到比一般碳钢性能更为优良的钢，还具有耐高温、耐低温等特殊性能。由于在这种钢中加入的合金元素总量不多，这类合金钢属于低合金钢。

P460NH钢板规格：厚度8mm-160mm  宽度：1500mm-4200mm

低合金钢包括可焊接的低合金高强度结构钢，低合金耐候钢、钢筋用低合金钢、铁道用低合金钢、矿用低合金钢及其他用低合金钢。

P460NH钢材物理性能：抗拉强度、d性模量、塑性、冲击韧性、冷脆性、硬度、冷弯性能、可焊性、热处理、冷加工与时效等

P460NH化学成分：

P460NH钢板化学成分（熔炼分析）%

热处理交货状态：退火，正火、回火和淬火等，具体交货状态应在质保书中注明。

退火：将钢板加热到适当温度根据材料和规格的不同进行缓慢冷却

正火：将钢板加热至适宜温度在空气中进行冷却

回火：将钢板在某一适当温度下进行长时间保温在冷却

淬火：将钢板加热保温后在水油或其他无机盐等介质中进行快速冷却

力学性能：

高温力学性能：

P460NH钢板应用：广泛应用于容器用品，P460NH有良好的塑性、韧性、冷弯性能和焊接性能。

低合金结构钢是指在普通碳素钢中加入少量或微量合金元素，而使钢材性能发生变化，

得到比一般碳钢性能更为优良的钢，还具有耐高温、还具有耐高温、耐低温等特殊性能。

由于在这种钢中加入的合金元素总量不多，这类合金钢属于低合金钢。

低合金钢包括可焊接的低合金高强度结构钢，低合金耐候钢、钢筋用低合金钢、铁道用

低合金钢、矿用低合金钢及其他用低合金钢。