意思是10兆欧。
Mohm是电阻的单位,导体的电阻通常用字母R表示,电阻的单位是欧姆(ohm),简称欧,符号是Ω(希腊字母,读作Omega),1Ω=1V/A。
比较大的单位有千欧(kΩ)、兆欧(MΩ)(兆=百万,即100万)。KΩ(千欧),MΩ(兆欧),他们的换算关系是:1TΩ=1000GΩ;1GΩ=1000MΩ;1MΩ=1000KΩ;1KΩ=1000Ω(也就是一千进率)。
如果电阻器两端的电压是1伏(伏是电压的单位),流过的电流是1安(安是电流的单位)则电阻器的电阻就是1Ω(欧)。电阻=电压比上电流。
扩展资料:
影响电阻大小的控制因素:
电阻虽然定义为:1伏电压产生一安电流则为1欧电阻;但电压、电流并不是决定电阻的因素。
电阻元件的电阻值大小一般与温度有关,还与导体长度、横截面积、材料有关。多数(金属)的电阻随温度的升高而升高,一些半导体却相反,如玻璃,碳。
在温度一定的情况下,有公式R=ρl/s,其中的ρ就是电阻率,l为材料的长度,单位为m,s为面积,单位为平方米。可以看出,材料的电阻大小正比于材料的长度,而反比于其面积。
对于不均匀的导体,其内部各处的电阻率还可以不相同。只要电阻率ρ对每个(横截面积可以不同的)横截面上各点相同。这个导体的电阻r就可以用以下的线积分计算:
参考资料来源:百度百科-电阻
1、热敏特性
半导体的电阻率随温度变化会发生明显地改变。例如纯锗,湿度每升高10度,它的电阻率就要减小到原来的1/2。温度的细微变化,能从半导体电阻率的明显变化上反映出来。利用半导体的热敏特性,可以制作感温元件——热敏电阻,用于温度测量和控制系统中。值得注意的是,各种半导体器件都因存在着热敏特性,在环境温度变化时影响其工作的稳定性。
2、光敏特性
半导体的电阻率对光的变化十分敏感。有光照时、电阻率很小;无光照时,电阻率很大。例如,常用的硫化镉光敏电阻,在没有光照时,电阻高达几十兆欧姆,受到光照时.电阻一下子降到几十千欧姆,电阻值改变了上千倍。利用半导体的光敏特性,制作出多种类型的光电器件,如光电二极管、光电三极管及硅光电池等.广泛应用在自动控制和无线电技术中。
3、掺杂特性
在纯净的半导体中,掺人极微量的杂质元素,就会使它的电阻率发生极大的变化。例如.在纯硅中掺人。百万分之—的硼元素,其电阻率就会从214000Ω·cm一下于减小到0.4Ω·cm.也就是硅的导电能为提高了50多万倍。人们正是通过掺入某些特定的杂质元素,人为地精确地控制半导体的导电能力,制造成不同类型的半导体器件。可以毫不夸张地说,几乎所有的半导体器件,都是用掺有特定杂质的半导体材料制成的。
扩展资料:半导体的用途
1、集成电路
它是半导体技术发展中最活跃的一个领域,已发展到大规模集成的阶段。在几平方毫米的硅片上能制作几万只晶体管,可在一片硅片上制成一台微信息处理器,或完成其它较复杂的电路功能。集成电路的发展方向是实现更高的集成度和微功耗,并使信息处理速度达到微微秒级。
2、微波器件
半导体微波器件包括接收、控制和发射器件等。毫米波段以下的接收器件已广泛使用。在厘米波段,发射器件的功率已达到数瓦,人们正在通过研制新器件、发展新技术来获得更大的输出功率。
3、光电子器件
半导体发光、摄象器件和激光器件的发展使光电子器件成为一个重要的领域。它们的应用范围主要是:光通信、数码显示、图象接收、光集成等。
参考资料:百度百科-半导体
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