对于杂质半导体,在温度很低时,本征电离可忽略,T升高,杂质电离的载流子越来越多,电阻下降
进入室温区,杂质已经全部电离,而本征激发还不重要,T升高,晶格震动散射加剧,电阻升高。
高温区,本征激发起主要作用,T升高,本征激发明显,电阻下降。
总的趋势是先降再升最后降
半导体导电是通过载流子进行的,载流子数量越多,导电性能越好,也就是电阻率越低。温度上升时,半导体电子热运动活动剧烈,能量增加,由价带顶跃迁到导带底所需要的外界能量降低(半导体载流子是由价带顶的空穴和导带底的电子确定的),所以半导体带隙降低,Eg降低。由于ni^2=Nc*Nvexp(-Eg/2K0T),所以Eg越低导致ni^2 越高,由于np = ni^2所以载流子随之升高。最后导致同样电压下,电流变大,反映出的是电阻率变低。
https://zhidao.baidu.com/question/1987779684801752987
我在这里也有较为详细的解释,敬请参考。
谢谢!
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