CAST C与国军标哪个质量等级高？

根据用途，元器件的质量等级可分为：用于元器件生产控制、选择和采购的质量等级和用于电子设备可靠性预计的质量等级两类，两者有所区别，又相互联系。用于元器件生产控制、选择和采购的质量等级元器件的质量等级与其生产过程执行的规范是密不可分的，规范要求质量控制的严格程度，决定了元器件质量等级的高低。在大多数军工产品中采用国产元器件的质量等级分为：（七专）7905、（七专）8406、（七专）840611A（半导体分立器件）、（七专）补充技术协议、国军标（GJB）等五种。前四种可以认为是四种质量等级，而国军标由于参照采用了美国军用（MIL）标准，其质量等级的分类方法比较复杂，器件分为3～4个质量保证等级（简称质量等级）；元件分为有可靠性指标的和无可靠性指标的两类，对于有可靠性指标的元件可分为若干个失效率等级。国军标元器件的质量等级包括了：器件的质量保证等级和有可靠性指标元件的失效率等级，如表1所示。表1国军标元器件质量分级进口元器件的质量分级更为复杂，考虑到较多的是采用美国军用元器件及部分欧洲空间局（ESA）元器件，所以简要介绍MIL和欧洲空间局空间元器件协调组（ESA/SCC）元器件质量分级的情况。 美军标元器件的质量分级如表2所示。表2美军标元器件质量分级从1994年6月美国宣布对军用标准实行改革以来，表2中涉及的美军标中，MIL-M-38510已并入MIL-I-38535，而且都已改成性能规范（规范代号的字母改为MIL-PRF-，以后的数字不变，如MIL-PRF-38535C），内容也有较大的变化，例如采用统计过程控制（SPC）技术后，原来军用规范规定要100%做的筛选项目，允许减少甚至可以全部免除。因此，在选择和采购元器件时，必须加以注意。这里特别要对微电路（包括：半导体集成电路及混合集成电路）的质量等级作些说明，其中B级与S级是微电路的质量保证等级，此外凡符合MIL-STD-883《微电路试验方法和程序》1.2.1条规定的微电路，属于质量等级为883级的微电路。CAST C与国军标前者质量等级高其特点是微电路生产单位声称已按总规范MIL-M-38510及相应的详细规范进行质量控制，但未进行认证。因此，具有不同信誉的微电路生产单位，电路的质量将有很大差别。从1995年5月14日开始MIL-M-38510并入MIL-PRF-38535后，已不生产B级、S级微电路，所以现在按MIL-M-38510采购的微电路，其质量等级大多数是883级，在883级微电路中，有些元器件供应商还根据对电路不同的质量控制，分为883B和883S，但其质量等级都不如B级有保证。ESA/SCC元器件的质量分级较有规律，所有元器件都分为B、C两级，但在采购时还可选择不同的批验收试验（缩写LAT，相当质量一致性检验），由于LAT分为1、2、3类，所以ESA/SCC元器件可分为B1、B2、B3、C1、C2、C3六个质量等级。用于电子设备可靠性预计的质量等级当按GJB/Z 299或MIL-HDBK-217进行电子设备可靠性预计时，在该标准中列出了另一种质量等级与表4-1或表4-2列出的质量保证等级及失效率等级有一一对应的关系。由于质量保证等级及失效率等级有时也可简称为质量等级，所以两者很易混淆。但只有军用级元器件才有质量保证等级及失效率等级，而对于所有元器件都有进行可靠性预计的质量等级，这是两者是主要的差别。

如下：

1、中国半导体器件型号命名方法

半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：

第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管

第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。

第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、 U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D -低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。

第四部分：用数字表示序号

第五部分：用汉语拼音字母表示规格号

例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管

2、日本半导体分立器件型号命名方法

日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：

第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。

第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。

第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N沟道场效应管、M-双向可控硅。

第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。

第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。

3、美国半导体分立器件型号命名方法

美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：

第一部分：用符号表示器件用途的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、（无）-非军用品。

第二部分：用数字表示pn结数目。1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。

第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志。N-该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记。

第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。

第五部分：用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。如：JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管，JAN-军级、2-三极管、N-EIA注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。

4、国际电子联合会半导体器件型号命名方法

德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下：

第一部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV如锗、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV如硅、C -器件使用材料的Eg>1.3eV如砷化镓、D-器件使用材料的Eg<0.6eV如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料

第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、E-隧道二极管、 F-高频小功率三极管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。

第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。

第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。

除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。常见后缀如下：

1、稳压二极管型号的后缀。其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、± 5%、±10%、±15%；其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。

2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。

3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。

如：BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管，AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管。

5、欧洲早期半导体分立器件型号命名法

欧洲有些国家，如德国、荷兰采用如下命名方法。

第一部分：O-表示半导体器件

第二部分：A-二极管、C-三极管、AP-光电二极管、CP-光电三极管、AZ-稳压管、RP-光电器件。

第三部分：多位数字-表示器件的登记序号。

第四部分：A、B、C┄┄-表示同一型号器件的变型产品。

俄罗斯半导体器件型号命名法由于使用少，在此不介绍。

晶体管：（半导体分立器件）半导体分立器件泛指半导体二极管，三级管以及半导体特殊器件。特性参数：（二极管）If正向直流电流：他定义为二极管低阻方向流过的电流，对整流管定义为，规定使用条件下载阻性负载的正旋半波整流电路中允许连续通过的最大工作电流平均值，对硅开关管，则规定为额定功率下允许通过二极管的最大正向脉冲电流。Ifm正向峰值电流:定义为额定功率下允许通过二极管的最大正向脉冲电流。Vf正向电压降：他定义为二极管通过额定电流时的电压降平均值。最高反向工作电压：对硅整流管，为击穿电压的2/3 ，对硅堆，规定为正旋半波阻性负载电路中正常工作时所加的最大反向峰值电压值。对锗检波管，硅开关管规定为反向电流在极间产生的电压值。击穿电压：对于发生软击穿的如,锗检波，开关管，是指在给给定的反向电流的极间电压值，对于硬击穿的整流开关管，则指反向特性曲线急剧转弯电的电压峰值。特性参数：（三极管）HFE共发射极直流放大系数：当集电极电压与电流为规定值时，Ic与Ib之比。Fhfe共发射极截止频率：定义为当hfe下降至1khz时的0.707（即3db）的频率。F0特征频率：当频率足够高时，hfe将以每被频程下降6db的速度下降，ft定义为hfe=1的频率。Icbo发射极开路，集电极与基极电压为规定值时的集电极电流。Iceo基极开路，集电极与发射极电压为规定值时的集电极电流。ICM集电极的最大允许电流。PCM集电极最大允许耗散功率。VCBO发射极开路，集电极,基极的击穿电压。VCEO基极开路，集电极,发射极的击穿电压。VEBO集电极开路，发射机,基极的击穿电压。晶体管的温度特性：对二极管而言，正向电流一定时，正向压降随温度的升高而降低，室温时，温度升高1C,正向压降降低2-2.5mv 反向漏电流则随温度按指数规律变化，温度升高1C,锗管增加10%，硅管增加为7%。对三极管而言，受温度影响最大的参数包括：VBE,ICBO,HFE.其中，VBE以-(2-2.5)mv/C的速率线性变化，Iceo在温度不很高时，按指数规律变化，每升高9-10C ,增加一倍。HEF随温度增加1C增加2%左右，总之，当温度升高时，都将使集电极电流增大。半导体分立器件的型号命名方法：1 国标命名方法：（引自GB249-74 ,1975）半导体器件有5部分组成第一部分：用数字表示器件的电极数目。2,二极管。3,三极管。第二部分：用汉语拼音表示器件的材料极性。二极管：A,N锗材料，B,P锗材料，C,N硅材料，D,P硅材料，三极管：A,PNP锗材料，B,NPN锗材料，C,PNP硅材料，D,NPN硅材料，E,化合物材料。第三部分：用汉语拼音表示器件的类型。P普通管，V 微波管，W稳压管，C参量管，Z整流管，L整流堆，S隧道管，N阻尼管，U光电管，X低频小功率，G高频小功率，D低频大功率，A高频大功率，T体效应管，B雪崩管，J 阶跃恢复管，CS场效应管，BT半导体特殊器件，FH复合管，PIN,PIN管，JG激光管。第四部分：用数字表示器件的序号。第五部分：用汉语拼音表示规格号。日本半导体器件的命名方法：第一部分：用数字表示器件的电极数，0，光电管，1 二极管，2 三极管。。。第二部分：S:已在日本电子工业协会（JEIA）注册的标志。第三部分：用字母表示材料的类型：A,PNP高频，B,PNP低频，C,NPN高频，D,NPN低频，F, P控制极可控硅，G, N控制极可控硅，H, N 基极单结晶体管，J, P沟道场效应管，K, N沟道场效应管，M,双向可控硅。第四部分：器件在JEIA的登记号，性能相同，但不同厂家的产品可用同号。第五部分：A,B,C,表示该型号是原型号的改进型号。除以上基本符号外，有时还附有一些后缀，如：M:表示器件符合日本海上自卫队参谋部有关标准。N,(外加圈)符合日本广播协会标准。H,(外加圈)日立通信用，K,(外加圈)日立通信用，Z,(外加圈)松下通信用G,(外加圈) 东芝通信用S,(外加圈)三洋通信用。后缀的第二个字母通常表示HEF分档标志。美国半导体器件的命名方法：美国半导体器件的命名比较混乱，这里介绍的是美国电子工业协会（EIA）规定的晶体管分立器件的命名法。第一部分:用符号表示用途和类别，JAN,或J军用。无，民用。第二部分：用数字表示PN结数，1，二极管，2 ，三极管。。。。第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志,N第四部分：美国电子工业协会（EIA）登记序号。第五部分：同型号的不同档别，A,B,C…美国半导体器件的命名特点：1 除前缀以外，凡以1N,2N,3N开头的器件，大多为美国制造，或美国专利。2 第四部分只是登记序号，无其他意义，所以相邻号参数也许相差很大。3，不同厂家生产性能一致的器件使用同一登记号，故可以通用。欧洲半导体分立器件的型号命名方法：目前欧洲各国没有明确统一的型号命名方法，但大部分欧洲共同体的国家一般使用国际电子联合会的标准版导体分立器件的型号命名方法。第一部分：用字母表示材料：A锗材料，B硅材料，C砷化钾，D锑化铟，R复合材料。第二部分：用字母表示类型。A检波开关和混频二极管,B 变容二极管，C低频小功率三极管,D低频大功率三极管，E隧道二极管，F高频小功率三极管，H磁敏二极管，K开放磁路霍尔器件，M密封磁路霍尔器件，P光敏器件，Q发光器件，R小功率可控硅，T大功率可控硅，U大功率开关管，X倍增二极管，Y整流二极管，Z齐纳二极管,L高频大功率管,S小功率开关管第三部分：通用半导体器件的登记序号。第四部分：同一型号器件的分档标志。晶体管的代换基本原则：类型相同：包含以下三点。1材料相同，即硅管代换硅管，锗管代换锗管。2 极性相同，即NPN代换NPN 管。3种类相同,即一般三极管代换一般三极管。场效应管代换场效应管。特性相近：代换管的主要参数与原管的参数相近，一般用途的三极管，只要以下主要参数相近即可代换，PCM，ICM，VCEO，F0．在以上参数中，均要考虑代换管的参数大于或者等于原管的参数。对于特殊用途的三极管，还要考虑相应的其他参数，如：低噪声三极管等。外形相似：小功率管外形均相似，只要明确了各个电极的极性，即可代换，大功率管外形差异较大，最好选选择与原封装相同的管子，以满足和接近原来的散热条件。

---