日本一家味精公司，卡着全球芯片的“喉咙”？

华为的 “缺芯” ，几乎是人尽皆知的事情。本应该在三月份就发布的华为P50，到现在还没动静。而且最近华为又因为芯片问题上了新闻， 华为董事余承东 说：华为现在在国内的市场 被同行无情分食 ， 高端手机市场被苹果挤占 ， 中低端手机市场又被国内同行抢夺 。而造成这些状况的原因就在于在 近两年时间内 ，华为被漂亮国 用各种手段进行了一轮又一轮的制裁 。

很多人会这样想：华为受到这么严重的制裁，芯片的供应几乎是被扼住了，难道芯片供应商就不会受到影响？ 而且为什么只有华为在抗议，台积电却毫无反应呢？

你可能会说：因为 台积电 是 漂亮国的附庸 呗，怎么有胆子抗议呢？但是我们要考虑到经济虽然被政治影响，但一旦阻碍了企业的发展，企业也不至于当哑巴的。 毕竟无论是什么资本，逐利始终是第一目标 。

实际上，台积电之所以几乎没有任何抗议，还是因为对它并没有什么影响。相反的，台积电现在估计是要乐开了花。这是什么原因呢？

因为 太缺芯 了！不仅是华为缺芯，全世界都急需芯片，只是华为的更缺而已。因为 订单实在太多，台积电都有些忙不过来 ，又岂会在乎失去华为的市场呢？

要说为什么这么缺芯，不仅是因为电子产品的市场始终强劲，还有其他几个重要的原因。我们都知道，一旦市场开始缺乏某样商品，无非就是两方面原因， 一是供应不足，而是需求激增 。

先说供应不足，这其中的原因大概也想到了——疫情。因为疫情的缘故，全球很多产业都受到一定冲击，从这个角度来说，造成的供需不平衡，芯片绝对不是孤军奋战者。同时又因为疫情慢慢结束，市场的 供求反d，导致了芯片不平衡被扩大 。

但是芯片的匮乏不是因为疫情， 还跟 汽车 行业有关 。这些年过去， 新能源 汽车 的初步发展 已经趋向于成熟，导致需求越来越大。连带着生产新能源 汽车 需要的关键产品—— 芯片的需求也越来越大 。

而且这两年掀起了一股 造车浪潮 ，不管是 做手机 的，还是做 游戏 ，就连卖货的都说要造车。群众一边感叹造车的门槛越来越低的同时，又在担心新能源 汽车 的前景。但是今年年初的时候， 全球各大车企向外界透露 ，因为 芯片断供原因，不得不调整生产战略 ，有的车企干脆就停产了 部分生产线 。三月份的时候，大众对外说，因为缺少芯片，在两个月的时间 少生产了将近十万辆 汽车 。

大厂缺芯缺到断产，可见缺芯难题已经到了严重的地步。大家都要说台积电脸都要笑裂开了，事实也确实如此，台积电如今又在国内投资建厂，新一轮的资本收割又要开始了。

但是面对我国这么缺芯，笑得最开心的 也许并不是台积电 ，还可能是 味之素 —— 日本的一家味精公司 。

我们都说华为被漂亮国卡住了芯片，几乎是被 卡住了脖子 。但是你可知道，世界上所有的芯片都 被日本的味之素卡住了命脉 。

味之素之所以能够以味精公司的身份做到这一点，是因为它发明了一个 重要产品：ABF 。

AB，名叫 味之素堆积膜 ，是半导体基板的核心材料。现代几乎所有的 半导体都需要用到ABF ，而供应的充足也直接影响了 半导体生产链的正常运行 。相传台积电现在就可能存在 ABF存量不足的问题 ，这一传言还一度让很多人忧心忡忡。

ABF为什么这么重要呢？这还要从 半导体基板 说起。半导体一开始应用最广泛的地方应该是 计算机的CPU ，这是一个计算机的灵魂。在那个年代，计算机的高速发展，让CPU的要求越来越高，让其终端从一开始的 40个到后来的上千个 ，也从平面结构转变成 堆叠的多层结构 ，这种多层堆叠的结构中布满了密密麻麻的线路。CPU的结构变得复杂的同时，还要求 各线路之间的绝缘。 不仅如此，CPU在工作时还会散发出大量的热量。以上的种种原因都导致半导体公司 急需先进的材料来生产CPU 。

ABF就是这样的材料，它并不像传统的绝缘体是液态的，而是像 薄膜一样的材料 。ABF的表面可以轻松地 镀铜 ，受激光加工。它的发明让半导体完成 从墨水绝缘体到薄膜绝缘体的转型 ，从此ABF就成为了半导体的重要材料，一直到现在都没有改变过。

又有人有疑问，既然ABF只是一种生产材料，那为什么 我们不生产这种材料呢 ？事情没有想象中那么简单。 ABF并不是可以简单复制的产品 。

在上世纪70年代，味之素在食品生产中对一些副产品进行了研究和分析后，发现了一种可以用于 电子行业的材料 。味之素并没有轻视这一次偶然的发现，他们对这种材料进行了更进一步的 研究 ，也有了一些成果。直到90年代，味之素在这方面的研究终于引起了一些半导体公司的注意，其中 有一家CPU制造商公司 ，就生产 薄膜绝缘体 这一领域与味之素进行了沟通。

味之素最早研究食品副产品的人是 竹内孝治 ，是他最早将 味之素的副业引向了计算机产业 。在ABF还没有被发明出来的时候，竹内就已经带领团队在电子产品的生产材料方面有了一番成就。

人们对新东西总会抱有怀疑的态度。在那个墨水绝缘体还没被淘汰的时候，薄膜绝缘体概念的提出首先就会被人质疑，但竹内并没有放弃，他告诉队伍， 薄膜绝缘体是一次全新的尝试，过去没有人做过，但是我们可以 。

这样的话鼓舞了团队里的一个人： 中村茂雄 。中村虽然是个新人，但他敏锐地感觉到如果能发明出这种材料，一定会 引起半导体市场的变革 。所以在别人还在考虑薄膜绝缘体是否有前景的时候，中村就已经去寻找绝缘体的生产材料了。

要想代替墨水，这种材料一定要在能保持墨水绝缘体的特性，还要 对CPU的生产有更大的帮助 。因为对绝缘体的要求是薄膜，所以这种材料还得有一定的 硬度 （因为墨水绝缘体是直接涂抹上去的，等干涸后再进行加工，而薄膜则是直接加工），较强的适应性，足以应对温度的变化。

中村觉得先要将 制作薄膜的材料生产出来 ，然后再将其制作成薄膜。这个过程可谓屡屡受挫，但最终也找到了 合适的材料能制成薄膜 。

将薄膜绝缘体制造出来了，中村又将一些后续问题一一解决后，最终 ABF就出世了 。竹内和中村异常兴奋，他们将成品 带到CPU制造公司 ，但让人遗憾的是，这家公司婉拒了意气风发的竹内。

薄膜绝缘体的制造耗费了 竹内团队四个月的时间 ，而现在是这样的结果，有些团员已经开始离开了队伍。但是竹内并没有一次挫败就放弃，所以他没有直接解散团队，而是进行了重组，并对 ABF进行研究和改进 。

就这样，时间来到98年，一家半导体公司嗅到了ABF的前景，想要和竹内合作。在那之后， ABF开始作为半导体生产材料出现在半导体行业 ，很快就 取代了墨水成为主流基材 。

ABF的主要材料是味精生产中的 树脂材料 ，虽然研究时长并不是很长，花费力气也并不大。但是 可复制性却是极低 ，别的公司想要制造出ABF几乎不太可能。日本一家味精公司，卡着全球芯片的“喉咙”？

所以说现在我国这么“缺芯”，最开心的就是味之素，他们赚得也是最多的。而且，总体来说华为缺芯也不是因为漂亮国，而是 因为日本这家公司。一家日本味精公司，“卡脖子”全球芯片产业？

金刚石要能代替芯片的基本材料硅的话，母猪都能上树。在半导体发展 历史 上，最初流行锗半导体，不久就被硅半导体打败，最终硅统治了半导体王国，锗半导体仅在少数领域刷存在感。实话实说，金刚石虽然能俘虏女人的心，但在半导体行业人士眼里，商业价值甚至比不过锗。

下面，我条分缕析，一一解析原因。

要替代硅，元素含量必须丰富，容易开采

硅被称为“上帝赐给人类的财富”，原因之一是，它占地壳总质量的26.4%，是仅次于氧的含量第二丰富的元素，随便抓起一把沙子、泥土，拿起一块石头，里面都含有大量的硅的氧化物——二氧化硅。

相比之下，锗的含量只有100万分之7，含量十分稀少，而且几乎没有比较集中的锗矿，

这就造成锗的开采成本是硅的几百倍，商业价值很低。

金刚石虽然有集中的金刚石矿，但含量太少了。2015年，全球半导体级的多晶硅需求超过6万吨，每年都在增长。想要替代硅的话，上哪去找每年6万多吨的金刚石？

金刚石提纯难

金刚石含有或多或少的杂质，要去除这些杂质，以目前的 科技 ，很难做到。而硅的提纯相对容易得多，将硅石在电弧炉中熔化，用碳或石墨还原，得到硅含量98.5%的工业硅（又叫“金属贵”），然后粉碎成微细粉末，与液态氯化氢（不是盐酸，盐酸是氯化氢的水溶液）在大约300摄氏度发生反应，生成三氯氢硅，经蒸馏、精制，获得很高的纯度，然后将高纯三氯氢硅与超高纯氢发生还原反应，得到纯度99.999999999%的多晶硅（比纯金多7个9），然后拉制单晶硅。

一根直径12英寸（目前最大）的单晶硅棒，高约2米，重约350公斤，纯度99.999999999%，相当于100亿个硅原子中，允许1个杂质原子存在。

从上述过程可以看出，硅的提纯就是一系列连续的氧化、还原反应。要让化学反应产生，元素的化学性质需要相对活泼，但金刚石的主要成分是碳元素，碳的化学性质远不及硅活泼，难以进行去除杂质的氧化、还原反应，纯度提升很难。

金刚石加工难

在提纯难关之后，加工的难题才是最大的难题。制作芯片前，单晶硅棒需要切成薄片，硅的硬度虽然高，但可以利用自然界最硬的物质金刚石进行切割。

但，用金刚石做芯片基体材料，切割将是难题，用金刚石切割金刚石，效率低，费用高，只能用硬度更高的人造物质。

目前已知硬度最高的人造物质是碳炔，硬度是金刚石的40倍，但还处于试验阶段，未到大规模商业化阶段。如何将金刚石切片，现在还没有很好的解决办法。

就算不久的将来，碳炔能顺利商用，金刚石能被切成薄片，真正的难题来了：如何制造绝缘膜？

在硅片上制造绝缘膜非常方便，将硅片放到900摄氏度左右的高温水蒸气环境中，硅片就会与氧发生热氧化反应，在表面生长硅氧化膜——二氧化硅（玻璃的主要成分），然后对其涂抹光刻胶，进行刻蚀，再配合其它工艺和材料，就可以得芯片。硅氧化膜具有不吸潮、耐酸碱、导热性好、光学性能稳定、绝缘性能良好的特点（感觉抽象的，脑想想玻璃的特点），是芯片制作的前提，而且通过硅这种基体材料就可以方便地得到硅氧化膜，正是因为硅氧化膜如此重要，得来又如此容易，加上硅含量丰富，所以硅才被称为“上帝赐给人类的财富”。

金刚石做芯片基体的话，氧化膜从那里来？金刚石本身是纯碳，其氧化物是二氧化碳，常温下是气态，充当绝缘？那是不可能的，一形成人家就跑到空气中逍遥自在了。用其它氧化物？试验验证、工艺流程研发、设备改造，花钱海去了，还不一定能成功。

总之，用金刚石做芯片基体材料，不仅含量少，而且加工极难，商业价值极低，由于这些缺点，根本不可能取代硅在芯片行业的地位。

回答这个问题，必须弄清三方面问题：

我认为， 金刚石不能代替芯片的基体材料硅 。

哪些材料能用于芯片基体？

能用于制作芯片基体的半导体材料有如下几类：

由上述分类可以看出，金刚石的确是半导体材料，有做成芯片基体的潜能。接下来需要考虑，金刚石能否满足芯片对基体材料的要求。

金刚石能否替代硅？

这个问题需要从两者的化学特性和工业制作成本来考虑。

一、化学特性对比

硅有无定形硅和晶体硅两种同素异形体，晶体硅为灰黑色，无定形硅为黑色，密度2.32-2.34克/立方厘米，熔点1410 ，沸点2355 ，晶体硅属于原子晶体。不溶于水、硝酸和盐酸，溶于氢氟酸和碱液。硬而有金属光泽。

硅的电导率与其温度有很大关系，随着温度升高，电导率增大，在1480 左右达到最大，而温度超过1600 后又随温度的升高而减小。

金刚石它是一种由碳元素组成的矿物，是碳元素的同素异形体，金刚石是自然界中天然存在的最坚硬的物质。其结构是正八面体晶体，晶体中每个碳原子都以sp3杂化轨道与另外4个相邻的碳原子形成共价键，每四个相邻的碳原子均构成正四面体。晶体类型金刚石中的CC键很强，所有的价电子都参与了共价键的形成，没有自由电子，所以金刚石硬度非常大，不导电，熔点在3815 。金刚石在纯氧中燃点为720~800 ，在空气中为850~1000 。

二、工业制作对比

1.原料成本

硅也是极为常见的一种元素，然而它极少以单质的形式在自然界出现，而是以复杂的硅酸盐或二氧化硅的形式，广泛存在于岩石、砂砾、尘土之中。硅在宇宙中的储量排在第八位。在地壳中，它是第二丰富的元素，构成地壳总质量的26.4%，仅次于第一位的氧（49.4%）。

世界上有20多个国家赋存有金刚石矿产，主要分布在澳大利亚、非洲西部和南部，以及俄罗斯的亚洲部分。目前，全世界金刚石产量每年超过100百万克拉，其中宝石级15%，近宝石级38%，工业级47%。

相比于硅的来源，金刚石因存量少，原料成本是相当高的。

2.制作成本

金刚石的出产是很复杂的，它需要经过采矿、粉碎、冲洗、沉淀、挑选、分类、切割、打磨以及抛光等诸多工序之后才能出现在市场上。从开采的大块岩石中将钻石分离出来是相当困难的。即使有先进的技术，发掘的过程仍然十分复杂。而生产一颗切磨好的1克拉重的金刚石，必须从钻石矿藏中挖出至少约250吨的矿土进行加工处理而成。

金刚石还因硬度太高，难以加工；此外，相比于单晶硅，金刚石提纯工艺复杂，很难提纯到6个9或7个9的等级。

总结

金刚石从理论上来说，是可以作为芯片基体材料的。但是，从工业制作的角度来说，原料储存少、加工难度大的金刚石，不适合替代硅制作芯片，即便制作出来了，价格也是难以承受的。

特殊情况，特殊对待。一般是没有那么替的

不会，因为它不具备半导体特性，而且加工提纯困难。

碳化硅（SIC）是半导体界公认的“一种未来的材料”，是新世纪有广阔发展潜力的新型半导体材料。预计在今后5 10年将会快速发展和有显著成果出现。促使碳化硅发展的主要因素是硅（SI）材料的负载量已到达极限，以硅作为基片的半导体器件性能和能力极限已无可突破的空间。而金刚石虽然说本质也是碳，但原子排列不一样，目前不能代替芯片材料！至少是几十年以内！

未来碳基芯片有可能替代硅基芯片。

金刚石是可以代替芯片的基体材料硅。

硅被采用作为芯片的基本材料，第一个是因为它储量巨大。硅在自然界并不单独存在，最常见的化合物是二氧化硅和硅酸盐，广泛存在于岩石、砂砾和尘土。如此作为芯片制造的基本材料，是非常容易得到。

第二个原因是硅提纯技术发展成熟，人类可以生产近乎完美的硅晶体

第三个原因是硅性质稳定，包括化学性质和物理性质。例如曾经做过芯体材料的锗，当温度达到75 以上时，其导电率有较大变化。对于芯片而言，此现象将会引发其性能的稳定性。硅相比锗，就优秀的多。

尽管硅有如此多的优点，作为半导体材料，用来制作芯片的基本组件晶体管。但是，随着现代经济的发展，在越来越多的需要提高速度、减少延迟和光检测的应用中，硅正在达到性能的极限。为此需要寻求新材料的突破，从而制造全新的芯片。

金刚石，俗称钻石，如果用纯天然的钻石制造芯片，价格昂贵，且芯片总体数量是可预估的。但是金刚石原料的储量是可以依靠人造钻石来解决。

其次，在性质表现方面，钻石作为半导体材料具有最好的绝缘耐压性和最高的热传导率。人们通常观念里认为钻石不导电，该说法不严谨，实际上钻石电阻非常大。但是目前日本研究员在钻石中掺进杂质解决了该问题，并首次制成双极型晶体管，为研究节能半导体元件开辟了道路。

设想钻石作为半导体制作的手机芯片出现，由于耐受高温的特性，电子元器件的老化会得到有效遏制，自然智能手机的电子寿命会延长。其次该芯片能够减少发热量，手机会变得更薄，省下来的空间也可以用来提升手机性能。这仅仅是手机领域，像重工业和航天工业借助钻石芯片受惠更多。

金刚石是可以替代硅的，只是目前还存在一定的技术难度，需要科研人员努力 探索 。

硅的性质，氧化二氧化硅，可作绝缘材料，单晶硅，渗其它元素后，形成极性，可外延可，气相叠加，可化学刻录图案，而金刚石，是碳，有以工能吗，如有气相叠加单晶硅，有可以作极性材料，一是散热率，二导电率。

对这个问题我们首先分析这两种材料的特性之后再做判断。

一、硅

化学成分

硅是重要的半导体材料，化学元素符号Si。电活性杂质磷和硼在合格半导体和多晶硅中应分别低于0.4ppb和0.1ppb。拉制单晶时要掺入一定量的电活性杂质，以获得所要求的导电类型和电阻率。重金属铜、金、铁等和非金属碳都是极有害的杂质，它们的存在会使PN结性能变坏。硅中碳含量较高，低于1ppm者可认为是低碳单晶。碳含量超过3ppm时其有害作用已较显著。硅中氧含量甚高。氧的存在有益也有害。直拉硅单晶氧含量在5 40ppm范围内；区熔硅单晶氧含量可低于1ppm。

硅的性质

硅具有优良的半导体电学性质。禁带宽度适中，为1.12电子伏。载流子迁移率较高，电子迁移率为1350厘米2/伏·秒，空穴迁移率为480厘米2/伏·秒。本征电阻率在室温(300K)下高达2.3 105欧·厘米,掺杂后电阻率可控制在104 10-4 欧·厘米的宽广范围内，能满足制造各种器件的需要。硅单晶的非平衡少数载流子寿命较长,在几十微秒至1毫秒之间。

热导率较大。化学性质稳定，又易于形成稳定的热氧化膜。在平面型硅器件制造中可以用氧化膜实现PN结表面钝化和保护，还可以形成金属-氧化物-半导体结构,制造MOS场效应晶体管和集成电路。上述性质使PN结具有良好特性，使硅器件具有耐高压、反向漏电流小、效率高、使用寿命长、可靠性好、热传导好，并能在200高温下运行等优点。

技术参数

硅单晶主要技术参数有导电类型、电阻率与均匀度、非平衡载流子寿命、晶向与晶向偏离度、晶体缺陷等。

导电类型 　导电类型由掺入的施主或受主杂质决定。P型单晶多掺硼，N型单晶多掺磷,外延片衬底用N型单晶掺锑或砷。

电阻率与均匀度 　拉制单晶时掺入一定杂质以控制单晶的电阻率。由于杂质分布不匀，电阻率也不均匀。电阻率均匀性包括纵向电阻率均匀度、断面电阻率均匀度和微区电阻率均匀度。它直接影响器件参数的一致性和成品率。

非平衡载流子寿命 　光照或电注入产生的附加电子和空穴瞬即复合而消失，它们平均存在的时间称为非平衡载流子的寿命。非平衡载流子寿命同器件放大倍数、反向电流和开关特性等均有关系。寿命值又间接地反映硅单晶的纯度，存在重金属杂质会使寿命值大大降低。

晶向与晶向偏离度 　常用的单晶晶向多为 (111)和(100)（见图）。晶体的轴与晶体方向不吻合时，其偏离的角度称为晶向偏离度。

单晶硅的制作

硅单晶按拉制方法不同分为无坩埚区熔(FZ)单晶与有坩埚直拉(CZ)单晶。区熔单晶不受坩埚污染，纯度较高，适于生产电阻率高于20欧·厘米的N型硅单晶（包括中子嬗变掺杂单晶）和高阻 P型硅单晶。由于含氧量低，区熔单晶机械强度较差。

大量区熔单晶用于制造高压整流器、晶体闸流管、高压晶体管等器件。直接法易于获得大直径单晶，但纯度低于区熔单晶，适于生产20欧·厘米以下的硅单晶。由于含氧量高,直拉单晶机械强度较好。大量直拉单晶用于制造MOS集成电路、大功率晶体管等器件。外延片衬底单晶也用直拉法生产。硅单晶商品多制成抛光片，但对FZ单晶片与CZ单晶片须加以区别。外延片是在硅单晶片衬底（或尖晶石、蓝宝石等绝缘衬底）上外延生长硅单晶薄层而制成，大量用于制造双极型集成电路、高频晶体管、小功率晶体管等器件。

单晶硅的应用

单晶硅在太阳能电池中的应用，高纯的单晶硅是重要的半导体材料。在光伏技术和微小型半导体逆变器技术飞速发展的今天，利用硅单晶所生产的太阳能电池可以直接把太阳能转化为光能，实现了迈向绿色能源革命的开始。

二、金刚石

金刚石俗称“金刚钻”。也就是我们常说的钻石的原身，它是一种由碳元素组成的矿物，是碳元素的同素异形体。金刚石是自然界中天然存在的最坚硬的物质。金刚石的用途非常广泛，例如：工艺品、工业中的切割工具。石墨可以在高温、高压下形成人造金刚石。也是贵重宝石。

化学性质

金刚石是在地球深部高压、高温条件下形成的一种由碳元素组成的单质晶体，是指经过琢磨的金刚石。金刚石是无色正八面体晶体，其成分为纯碳，由碳原子以四价键链接，为目前已知自然存在最硬物质。由于金刚石中的C-C键很强，所有的价电子都参与了共价键的形成，没有自由电子，所以金刚石硬度非常大，熔点在华氏6900度，金刚石在纯氧中燃点为720~800 ，在空气中为850~1000 ，而且不导电。

结构性质

金刚石结构分为；等轴晶系四面六面体立方体与六方晶系钻石。

在钻石晶体中，碳原子按四面体成键方式互相连接，组成无限的三维骨架，是典型的原子晶体。每个碳原子都以SP3杂化轨道与另外4个碳原子形成共价键，构成正四面体。由于钻石中的C-C键很强，所以所有的价电子都参与了共价键的形成，没有自由电子，所以钻石不仅硬度大，熔点极高，而且不导电。在工业上，钻石主要用于制造钻探用的探头和磨削工具，形状完整的还用于制造手饰等高档装饰品，其价格十分昂贵。

结论：金刚石不能代替芯片的基体材料硅。

不要再提 豫金刚石 啦，它已经被关啦

薄膜制备方法为：聚酰胺酸溶液流延成膜、拉伸后，高温酰亚胺化。薄膜呈黄色透明，相对密度1.39～1.45，有突出的耐高温、耐辐射、耐化学腐蚀和电绝缘性能，可在250～280℃空气中长期使用。玻璃化温度分别为280℃(Upilex R)、385℃(Kapton)和500℃以上(Upilex S)。20℃时拉伸强度为200MPa，200℃时大于100MPa。特别适宜用作柔性印制电路板基材和各种耐高温电机电器绝缘材料。 光刻胶：某些聚酰亚胺还可以用作光刻胶。有负性胶和正性胶，分辨率可达亚微米级。与颜料或染料配合可用于彩色滤光膜，可大大简化加工工序。 在微电子器件中的应用：用作介电层进行层间绝缘，作为缓冲层可以减少应力、提高成品率。作为保护层可以减少环境对器件的影响，还可以对a-粒子起屏蔽作用，减少或消除器件的软误差（soft error）。半导体工业使用聚酰亚胺作高温黏合剂，在生产数字化半导体材料和MEMS系统的芯片时，由于聚酰亚胺层具有良好的机械延展性和拉伸强度，有助于提高聚酰亚胺层以及聚酰亚胺层与上面沉积的金属层之间的粘合。 聚酰亚胺的高温和化学稳定性则起到了将金属层和各种外界环境隔离的作用。 液晶显示用的取向排列剂：聚酰亚胺在TN-LCD、SHN-LCD、TFT-CD及未来的铁电液晶显示器的取向剂材料方面都占有十分重要的地位。 电-光材料：用作无源或有源波导材料光学开关材料等，含氟的聚酰亚胺在通讯波长范围内为透明，以聚酰亚胺作为发色团的基体可提高材料的稳定性。 湿敏材料：利用其吸湿线性膨胀的原理可以用来制作湿度传感器。

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