半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间，其电阻受温度影响较大，如图甲所示是某种半导体材料的电阻随温度

试题分析：：（1）当t=20℃时，由图象知半导体的电阻R=50Ω，电路电流 ，

，

，

电源电压 ．

（2）当 时，定值电阻电压 ，

此时半导体电压 ，

此时半导体电阻 ，

当半导体电阻阻值是20Ω时，由图象知环境温度是40℃．

点评：本题考查了学生的识图能力与欧姆定律的应用；根据图象获取某温度下的电阻值是解题的前提与关键．

（2）N      B 

（3）GaCl 3 ＋NH 3 =GaN＋3HCl

（4）共价键    原子

（5）①sp 3      4     ②

试题分析：（1）镓为元素周期表第31号元素，在元素周期表中的位置是位于第四周期第ⅢA。镓原子价层电子排布图为 。（2）氮在第ⅤA.在第ⅤA的元素中，由于N原子半径最小，原子核外的最外层电子处于半充满的稳定状态。所以其第一电离能最大。镓在元素周期表第ⅢA。该主族中元素中电负性最大的元素是原子半径最小的B元素。（3）用CaCl 3 与NH 3 在一定条件下反应制备氮化镓，根据质量守恒定律可得该反应的化学方程式为GaCl 3 ＋NH 3 =GaN＋3HCl。 （4）氮化镓与金刚石具有相似的晶体结构，金刚石的C原子之间以共价键结合，是原子晶体。所以氮化镓中氮原子与镓原子之间以共价键相结合，氮化镓属于原子晶体。（5） ①每个镓与4个N形成共价键，这四个N构成正四面体结构。每个N与4个Ga形成共价键，这四个Ga构成正四面体结构。所以氮化镓中镓原子的杂化方式为sp 3 。氮原子的配位数为4. ②在每个晶胞中含有Ga：8×1/8+1=2,含有N：4×1/4+1=2.即每个晶胞中含有2个GaN。氮化镓晶胞边长a。则 ，所以整理得： 。