CMOS中 cox是什么意思

这个我不是很懂啦，但是看到问题想说下自己想法，具体的Cox意义和推导是半导体器件物理中的内容。

在一般的模拟集成电路设计中，在设计电路时有指定的工艺模型，里头Cox是一个给定的参数，不同的工艺里Cox的大小都会有区别。所以设计电路的孩纸对这样的参数不用过于深究，但要知道是啥（这算是学习指引啦，哈哈）

我试着解释一下吧，栅极和衬底之间之间有一层氧化层（相当于介质），G和B（衬底）之间会有电容，电容的大小和栅极面积有关，栅极面积 = W*L，所以Cox = Cgb/WL。

其实CMOS的物理模型里有好多电容，什么Cgd，Cgs，Csb...（把g、d、s、b排列组合一遍），Cgb是里头比较大的，然后又和W、L密切相关，所以比较重要

迁移率单位换算：MOS管饱和区电流公式是Ids=0.5*u*Cox*W/L*(Vgs-Vth)^2，算的时候注意单位统一，单位面积电容公式是Cox=ε(Sio2)/tox，其中ε(Sio2)的是10^-10F/m数量级。

迁移率是指载流子（电子和空穴）在单位电场作用下的平均漂移速度，即载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度，运动得越快，迁移率越大；运动得慢，迁移率小。同一种半导体材料中，载流子类型不同，迁移率不同，一般是电子的迁移率高于空穴。

技术应用

普通半导体材料的迁移率通常为102—106厘米2/伏·秒。通过调制掺杂技术制造的调制掺杂异质结迁移率可达到106厘米2/伏·秒以上。迁移率是表征半导体的一个重要参数。迁移率越大，器件的运行速度越快，截止频率就越高。砷化镓的电子有效质量比硅的小得多，因此砷化镓被用来制作高频器件。

MOSFETS饱和时候的漏极电流公式：

I=(1/2)UnCox（W/L）*（Vgs-Vth）²

式中：

Un：为电子的迁移速率。

Cox：为单位面积栅氧化层电容。

W/L：氧化层宽长比。

Vgs-Vth：为过驱动电压。

扩展资料：

早期MOSFET的栅极（gate electrode）使用金属作为其材料，但随著半导体技术的进步，随后MOSFET栅极使用多晶硅取代了金属。

在处理器中，多晶硅栅已经不是主流技术，从英特尔采用45纳米线宽的P1266处理器开始，栅极开始重新使用金属。

今日半导体元件的材料通常以硅（silicon）为首选，但是也有些半导体公司发展出使用其他半导体材料的制程，当中最著名的例如IBM使用硅与锗（germanium）的混合物所发展的硅锗制程（silicon-germanium process,SiGe process）。

但是很多拥有良好电性的半导体材料，如砷化镓（gallium arsenide,GaAs），因为无法在表面长出品质够好的氧化层，所以无法用来制造MOSFET元件。

参考资料来源：百度百科-电子迁移速率

参考资料来源：百度百科-漏极

参考资料来源：百度百科-MOSFET

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