当Is与Im都为正值时,霍尔电压Vh为正则为p型。为负是n型
霍尔效应可以测定载流子浓度及载流子迁移率等重要参数,以及判断材料的导电类型,是研究半导体材料的重要手段。
还可以用霍尔效应测量直流或交流电路中的电流强度和功率以及把直流电流转成交流电流并对它进行调制、放大。用霍尔效应制作的传感器。
扩展资料:
在半导体中掺入施主杂质,就得到N型半导体;在半导体中掺入受主杂质,就得到P型半导体。由P型半导体或N型半导体单体构成的产品有热敏电阻器、压敏电阻器等电阻体。由P型与N型半导体结合而构成的单结半导体元件,最常见的是二极管;此外,FET也是单结元件。
参考资料来源:百度百科-P型和N型半导体
1、首先要清楚两种半导体的导电原理。P型半导体靠空穴导电,可以看做是正电荷的定向运动形成电流。N型半导体靠自由电子导电,可以看做自由电子定向移动形成电流。2、从图中看来,左图电流方向与导体中形成电流的粒子与电流方向一致,并且图中显示其受合力使其向上板偏移,然后上板为正极,因而可判定这是正电荷定向运动所致,因而是P型半导体。3、从图中看来,右图电流方向与导体中形成电流的粒子与电流方向相反,并且图中显示其受合力使其向上板偏移,然后上板为负极,因而可判定这是自由电子定向运动所致,因而是N型半导体。半导体受到外界能量激发(比如光),或者经过掺杂以后,会产生能够自由移动的电子或者空穴(能带理论),这些称为载流子。载流子为电子的半导体成为N型半导体,载流子为空穴的称为P型半导体。当P型半导体和N型半导体接在一起的时候,由于一边缺少电子另一边缺少空穴,电子和空穴就会自发的相对扩散,这样的扩散同样使得在接触点向两边的扩散区域存在一个电场,随着扩散的进行,这个电场越来越强,直到这个电场的强度足以和扩散的动力相平衡,这样就形成了稳定的结区,我们称他为PN结。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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