半导体测试 Lot,Wafer,Bin,Die,分别对应的是图中的那些？

T352光器件封装-光器件封装工艺之--lot、wafer、bar条、die、chip的区别

光通信女人

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这是个挺有意思的话题，器件封装厂家介绍，“我们有Bar条解理和测试”时，内心常常充满了自豪，也经常会迎来参观访问者们一句“哦”。

今天国华聊几个名词，比如激光器lot、wafer、bar、die、chip都是指哪一种形态？ 顺便聊下为什么激光器特有Bar条这个词。

半导体光芯片或者电芯片，最早都是一盘子做出来，在一个wafer上，或者叫晶元、晶圆。

无论是光模块里的激光器芯片、探测器芯片、驱动器电芯片，都是一盘一盘的做出来的。中间工艺有不同，设备不同，材料不同....

但都是一个圆盘子，早期小文【 [图文1]T218 半导体芯片制造流程与设备】，点击就可以链接。

国华之前小文说一盘子制作完成之后，整体用探针卡测试，把不良品标注（绿

光通信行业有个特殊的中间品，叫Bar条，这是什么神奇的东西呢。

比如，探测器芯片，可以直接给光一测有木有转成电，或者VCSEL是面发射，一盘子每个激光器加电，一测上面有没有光什么波长的光....。

FP、DFB是侧面发光，一盘子码的整齐的，侧面有没有光咱也看不到啊。咋办。

给它一条一条分开，侧面镀上膜做做端面处理，然后测试，好的坏的就可以区分。这个过程叫解理。

解理这个词是用在矿物质晶体上的，咱们光学的基本材料也是晶体啊，像掰巧克力一样，顺着纹理稍稍用力，就解开成一条条的。

“那直接掰成一块块的测试呗”

也不是不可以，羊毛出在羊身上，你让咱供应商一把把薅羊毛可以，一根一根薅羊毛也可以，用多少人费多少时间的问题呗。

能一盘盘测试，就不愿多费人力设备一条条测，能一条一条的测就不愿意一颗一颗的测。谁家的钱也不是大风刮来的。

Bar测好，再整成小芯片，这个小芯片，一颗颗的，有叫“晶粒”、有叫“chip”，也有叫“芯片或光芯片”，还有叫“管芯”...

为甚么有个管字，其实国华也没有找到确切出处, 或者可能是激光器也好，探测器也好，本质是个PN结，也就是二极管的“管”。

管它呢继续聊，做成一颗颗芯片就可以去封装成光器件了。

哦，对，咱们还有一个词，叫lot，其实一炉子（MOCVD）不只出一盘wafer，一般几盘放一起做，叫一个批次，材料的配比相同，工艺流程相同。

这同一批次叫一个lot，有些属性是通的，

做为一个自豪的底层劳动人民，劳动人民的自豪也是分层次的，自豪程度也是略有不同。

比如，越精细的越自豪：

有材料生长能力>晶圆能力>bar条测试能力>TO封装能力>OSA组装能力>光模块设计能力

越上游越自豪(甲方掏腰包的角色）：

运营商>设备制造商>模块制造商>光器件制造商>芯片提供商>辅材配料商

资源越稀缺越自豪：

光芯片制造能力>电芯片制造能力>封装能力>芯片使用者

在国华的看法里，一个产业良性共同发展才是大道之理，共同把一个蛋糕做精美，无论做蛋糕的师傅、卖蛋糕的店员、买蛋糕的美女都会开心、掏腰包的大哥略忧伤。

一个良性产业各自做各自专业的事，多赢，成就的是一个大环境大氛围。

君不见相机产业链的翘楚‘柯达’不是败给竞争对手，而是败给另一个产业，手机业的崛起，使得每一个手机都成为了相机。

在同一个产业内，竞争是避免不了的，如果站在对手的角度审视自己、发现问题解决问题也是提升自身的一种途径，有序的竞争与协作是个好事情。

我家大哥在家总想欺负欺负我，树立一种权威，他多歇着我多干活，他管攒钱我管挣钱。家庭话语权这是红果果的竞争啊，可是谁敢揍一下国华，我家大哥能跟他玩儿命，这也是红果果的协作。

国华今天班了个门弄了个斧，见谅见谅。

极性的判定 

单向可控硅是由三个PN结的半导体材料构成，其基本结构、符号及等效电路如图1所示。 

可控硅有三个电极：阳极(A)、阴极(K)和控制极(G)。从等效电路上看，阳极(A)与控制极(G)之间是两个反极性串联的PN结，控制极(G)与阴极(K)之间是一个PN结。根据PN结的单向导电特性，将指针式万用表选择适当的电阻档，测试极间正反向电阻(相同两极，将表笔交换测出的两个电阻值)，对于正常的可控硅，G、K之间的正反向电阻相差很大；G、K分别与A之间的正反向电阻相差很小，其阻值都很大。这种测试结果是唯一的，根据这种唯一性就可判定出可控硅的极性。用万用表R×1K档测量可控硅极间的正反向电阻，选出正反向电阻相差很大的两个极，其中在所测阻值较小的那次测量中，黑表笔所接为控制极(G)，红表笔所接的为阴极(K)，剩下的一极就为阳极(A)。通过判定可控硅的极性同时也可定性判定出可控硅的好坏。如果在测试中任何两极间的正反向电阻都相差很小，其阻值都很大，说明G、K之间存在开路故障；如果有两极间的正反向电阻都很小，并且趋近于零，则可控硅内部存在极间短路故障。

触发测量

对小功率可控硅可按图3(a)所示联接电路，在可控硅A、G之间联接一只轻触开关(以便于 *** 作)，用万用表的R×1Ω档，黑表笔接A极，红表笔接K，此时给可控硅加上一正向电压(通过万用表内附的干电池)，万用表的指针不动，可控硅不导通，当按下开关，A、G接通，在G、K之间加上触发电压，可控硅才导通，万用表的指针偏转，指向一个较小的值；当G、A断开后，失去了控制电压，如果万用表的指针位置不变，可控硅仍处于导通状态，说明该可控硅的触发特性良好，如果G、A断开后，万用表指针随即偏转，指向∞。即可控硅不导通，则说明该可控硅的触发特性不好，或已损坏。对功率较大的可控硅，由于导通电压降较大，维持电流难以维持，引起导通状态欠佳，此时应在可控硅的阳极(A)上串接一节干电池，如图3(b)所示电路进行测试，以免引起误判。对于大功率可控硅应在图3(b)的电路上再串上一节干电池，使测试效果明显。

朋友，你参考一下下面这些。场效应管的识别方法及测量 一、符号： “Q、VT” ，场效应管简称FET，是另一种半导体器件，是通过电压来控制输出电流的，是电压控制器件场效应管分三个极： D极为漏极（供电极） S极为源极（输出极） G极为栅极（控制极） D极和S极可互换使用 场效应管图例： 二、场效应管的分类： 场效应管按沟道分可分为N沟道和P沟道管（在符号图中可看到中间的箭头方向不一样）。 按材料分可分为结型管和绝缘栅型管，绝缘栅型又分为耗尽型和增强型，一般主板上大多是绝缘栅型管简称MOS管，并且大多采用增强型的N沟道，其次是增强型的P沟道，结型管和耗尽型管几乎不用。 三、场效应管的特性： 1、工作条件：D极要有供电，G极要有控制电压 2、主板上的场管N沟道多，G极电压越高，S极输出电压越高 3、主板上的场管G极电压达到12V时，DS完全导通，个别主板上5V导通 4、场管的DS功能可互换 N沟道场管的导通截止电压： 导通条件：VG>VS，VGS=0.45--3V时，处于导通状态，且VGS越大，ID越大 截止条件：VG<VS，ID没有电流或有很小的电流 四、场效应管的作用： 放大、调制、谐振、开关 五、场效应管的测量及好坏判断 1、测量 极性及管型判断 红笔接S、黑笔接D值为（300-800）为N沟道 红笔接D、黑笔接S值为（300-800）为p沟道 如果先没G、D再没S、D会长响，表笔放在G和最短脚相连放电，如果再长响为击穿 贴片场管与三极管难以区分，先按三极管没，如果不是按场管测 场管测量时，最好取下来测，在主板上测量会不准 2、好坏判断 测D、S两脚值为（300-800）为正常，如果显示“0”且长响，场管击穿；如果显示“1”，场管为开路 软击穿(测量是好的，换到主板上是坏的），场管输出不受G极控制。 六、场管的代换原则（只适合主板） 场管代换只需大小相同，分清N沟道P沟道即可 功率大的可以代换功率小的 技嘉主板的场管最好原值代换 七、主板上常见的场管型号

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