静电敏感等级

静电敏感元器件有90%产生软击穿，而10%左右被完全破坏静电敏感元器件有90%产生软击穿，而10%左右被完全破坏易被静电损坏的电子器件称为静电敏感器件（Static Sensitive Device简称SSD）。由于科技时代的需要，小体积、多功能、快速度的集成电路已是目前电子工业的基本要求。增厚氧化膜，提高其耐压性，显然是行不通的，因此在器件的集成度越来越高的趋势下，通常将器件氧化膜的膜厚做得越来越薄使其尺寸减少，器件的耐压也随之降低。半导体器件，特别是IC，根据其种类不同受静电破坏的程度也不一样，弱至100V的静电也会造成破坏，具体数据见表l。 表l各种半导体器受静电破坏的水平 元件的种类 遭受破坏的电压范围（V） 元器件典型范例 VMOS器件 30~1800IRF640、SPP11N60S5、BSN304 MOS场效应器件 100~200 TDA4605、TDA16846 坤化镓场效应器件 100~300 EPROM 100 M24C08、AT24C16 结型场效应器件 140~7000 K30A 表面滤波器150~500A号板的CF6264 运算放大器190~2500 V号板LM3580 CMOS器件 250~3000 S、V号板AT27C010（L） 肖特基二极管300~2500 高清上网板1N5817 薄膜电阻 300~3000 双极型晶体管 380~7000 C1815、A1015 可控硅680~1000V号板SFORIB4

SD卡不 是 静电敏感器件。

在生产中，人们常把对静电反应敏感的电子器件称为静电敏感器件(Static，Sensitive Device简称SSD)，这类电子器件主要是指超大规模集成电路，特别是金属氧化膜半导体(MOS)器件。

SD卡（安全数码卡），是一种基于半导体快闪记忆器的新一代记忆设备，它被广泛地于便携式装置上使用，例如数码相机、个人数码助理（外语缩写PDA）和多媒体播放器等。SD卡(Secure Digital Memory Card)是一种基于半导体闪存工艺的存储卡，1999年由日本松下主导概念，参与者东芝和美国SanDisk公司进行实质研发而完成。2000年这几家公司发起成立了SD协会(Secure Digital Association简称SDA)，阵容强大，吸引了大量厂商参加。其中包括IBM，Microsoft，Motorola，NEC、Samsung等。在这些领导厂商的推动下，SD卡已成为目前消费数码设备中应用最广泛的一种存储卡。SD卡具有大容量、高性能、安全等多种特点的多功能存储卡，它比MMC卡多了一个进行数据著作权保护的暗号认证功能(SDMI规格)，读写速度比MMC卡要快4倍，达2M/秒。

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