求推荐半导体器件、模以电路、数字电路、单片机的优秀图书，最好是国外的，谢谢！

1.模拟CMOS集成电路设计(影印版) [平装]

~ 罗扎 (作者)

2.模拟电子技术/国外电子与通信教材系列

【作者】：(美) 博伊尔斯塔德

【出版社】： 电子工业出版社

【出版日期】：2008-06-01

3.模拟电子技术(英文版)/国外电子与通信教材系列

【作者】：(美) 博伊斯坦

【出版社】： 电子工业出版社

【出版日期】：2007-09-01

4.电路基础

作者: Charles K.Alexander.Matthew N.O.Sadiku

出版社: 清华大学出版社

出版年: 2000-12

5. Semiconductor physics :an introduction/半导体物理简介/Karlheinz Seeger./8th ed.Springer/c2002.这是本书的第八版，是一本重点介绍半导体“物理”的教材。主要面向实验固体物理学领域的学生，读者应具备数学方面的基本知识。教师可将本书作为半导体物理和物理电子学领域的研究生课程教材使用，并可免费获取本书问题的答案手册。

6. Electronic and optoelectronic properties of semiconductor structures/半导体结构的电学和光电性质/Jasprit Singh.Cambridge University Press/c2003.本书利用精选的例题阐述重要的概念，并包含250幅图表和200道练习题。全书贯穿了很多应用实例，来加强物理原理和实际器件之间的联系。适合工程和物理类学生和专业人员阅读。教师可获得答案手册和用于讲稿的视图。

7.High-speed heterostructure devices :from device concepts to circuit modeling/高速异质结构器件：从器件概念到电路建模/Patrick Roblin and Hans Rohdin.Cambridge University Press/c2002.本书最初为俄亥俄州立大学研究生课程的讲义，后来增加了配套的练习。现作为高速半导体器件方面的一本教科书，适合相关专业的研究生及工程师阅读使用。读者应先修过半导体器件方面的课程，课程深度与Streetman的《Solid State Electronic devices》相当，但并不要求对量子力学、热力学、能带结构、声子等知识有深入的了解。

8.Fundamentals of III-V devices :HBTs, MESFETs, and HEMTs/三五族器件基础：HBTs，MESFETs，和HEMTs/William LiuWiley/c1999

本书以简单易懂、系统连贯的方式全面介绍三五族的半导体器件，书中包括55个实例，说明给定应用中的器件设计根据。每章末的练习题，便于学生理解器件概念和设计根据。附录列出了不同材料和器件的参数。

9.《模拟和数字电子电路基础》 作者Anant Agarwal

本书通过介绍如何从麦克斯韦方程利用一系列简化假设直接得到集总电路抽象，在电气工程和物理间建立了清晰的联系。 本书中始终使用抽象的概念，以统一在模拟和数字设计中所进行的工程简化。 本书更为强调数字领域。但我们对数字系统的处理却强调其模拟方面。从开关、电源、电阻器和MOSFET开始，介绍KCL、KVL应用等内容。本书表明，数字特性和模拟特性可通过关注元件特性的不同区域而获得。

半导体物理与器件(第三版)——国外电子与通信教材系列

目录：

绪论 半导体和集成电路

历史

集成电路（IC）

制造

参考文献

第1章 固体晶格结构

1.1 半导体材料

1.2 固体类型

1.3 空间晶格

1.4 原子价键

*1.5 固体中的缺陷和杂质

*1.6 半导体材料的生长

1.7 小结

重要术语解释

知识点

复习题

习题

参考文献

第2章 量子力学初步

2.1 量子力学的基本原理

2.2 薛定谔波动方程

2.3 薛定谔波动方程的应用

*2.4 原子波动理论的延伸

2.5 小结

重要术语解释

知识点

复习题

习题

参考文献

第3章 固体量子理论初步

3.1 允带与禁带

3.2 固体中电的传导

3.3 三维扩展

3.4 状态密度函数

3.5 统计力学

3.6 小结

重要术语解释

知识点

复习题

习题

参考文献

第4章 平衡半导体

4.1 半导体中的载流子

4.2 掺杂原子与能级

4.3 非本征半导体

4.4 施主和受主的统计学分布

4.5 电中性状态

4.6 费米能级的位置

4.7 小结

重要术语解释

知识点

复习题

习题

参考文献

第5章 载流子输运现象

5.1 载流子的漂移运动

5.2 载流子扩散

5.3 杂质梯度分布

*5.4 霍尔效应

5.5 小结

重要术语解释

知识点

复习题

习题

参考文献

第6章 半导体中的非平衡过剩载流子

6.1 载流子的产生与复合

6.2 过剩载流子的性质

6.3 双极输运

6.4 准费米能级

*6.5 过剩载流子的寿命

*6.6 表面效应

6.7 小结

重要术语解释

知识点

复习题

习题

参考文献

第7章 pn结

7.1 pn结的基本结构

7.2 零偏

7.3 反偏

*7.4 非均匀掺杂pn结

7.5 小结

重要术语解释

知识点

复习题

习题

参考文献

第8章 pn结二极管

8.1 pn结电流

8.2 pn结的小信号模型

8.3 产生复合电流

8.4 结击穿

*8.5 电荷存储与二极管瞬态

*8.6 隧道二极管

8.7 小结

重要术语解释

知识点

复习题

习题

参考文献

第9章 金属半导体和半导体异质结

9.1 肖特基势垒二极管

9.2 金属半导体的欧姆接触

9.3 异质结

9.4 小结

重要术语解释

知识点

复习题

习题

参考文献

第10章 双极晶体管

10.1 双极晶体管的工作原理

10.2 少子的分布

10.3 低频共基极电流增益

10.4 非理想效应

10.5 等效电路模型

10.6 频率上限

10.7 大信号开关

*10.8 其他的双极晶体管结构

10.9 小结

重要术语解释

知识点

复习题

习题

参考文献

第11章 金属氧化物半导体场效应晶体管基础

11.1 双端MOS结构

11.2 电容电压特性

11.3 MOSFET基本工作原理

11.4 频率限制特性

*11.5 CMOS技术

11.6 小结

重要术语解释

知识点

复习题

习题

参考文献

第12章 金属氧化物半导体场效应晶体管：概念的深入

12.1 非理想效应

12.2 MOSFET按比例缩小理论

12.3 阈值电压的修正

12.4 附加电学特性

*12.5 辐射和热电子效应

12.6 小结

重要术语解释

知识点

复习题

习题

参考文献

第13章 结型场效应晶体管

13.1 JFET概念

13.2 器件的特性

*13.3 非理想因素

*13.4 等效电路和频率限制

*13.5 高电子迁移率晶体管

13.6 小结

重要术语解释

知识点

复习题

习题

参考文献

第14章 光器件

14.1 光学吸收

14.2 太阳能电池

14.3 光电探测器

14.4 光致发光和电致发光

14.5 光电二极管

14.6 激光二极管

14.7 小结

重要术语解释

知识点

复习题

习题

参考文献

第15章 半导体功率器件

15.1 功率双极晶体管

15.2 功率MOSFET

15.3 散热片和结温

15.4 半导体闸流管

15.5 小结

重要术语解释

知识点

复习题

习题

参考文献

附录A 部分参数符号列表

附录B 单位制、单位换算和通用常数

附录C 元素周期表

附录D 误差函数

附录E 薛定谔波动方程的推导

附录F 能量单位——电子伏特

附录G 部分习题参考答案

索引

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