什么是热电半导体产品概念

热电半导体产品概念是指使用热电半导体材料制作的电子产品，这类产品中最常见的是温度传感器。热电半导体材料具有特殊的物理特性，当温度发生变化时，它们会产生特定的电压变化，从而可以用来测量和控制温度。此外，热电半导体材料还可以用来制作其他电子产品，如温度控制器、功率放大器和功率模块。

热缺陷是由于晶体中的原子(或离子)的热运动而造成的缺陷,从几何图形上看是一种点缺陷,热缺陷的数量与温度有关，温度愈高，造成缺陷的机会愈多。晶体中热缺陷有2种形态，一是肖脱基(Schotty)缺陷，2是弗仑克尔(Frenkel)缺陷。

1)肖脱基缺陷

由于热运动，晶体中阳离子及阴离子脱离平衡位置，跑到晶体表面或晶界位置上，构成一层新的界面，而产生阳离子空位及阴离子空位，不过，这些阳离子空位与阴离子空位是符合晶体化学计量比的。如：MgO晶体中，形成Mg2+和O2-空位数相等。而在TiO2中，每形成一个Ti4+离子空位，就形成两个O2-离子空位。肖脱基缺陷实际产生过程是：由于靠近表面层的离子热运动到新的晶面后产生空位，然后，内部邻近的离子再进入这个空位，这样逐步进行而造成缺陷。

2）弗仑克尔缺陷

弗仑克尔缺陷形成过程为：一种离子脱离平衡位置挤入晶体的间隙位置中去，形成所谓间隙（或称填隙）离子，而原来位置形成了阳离子或阴离子空位。这种缺陷的特点是间隙离子和空位是成对出现的。弗仑克尔缺陷除与温度有关外，与晶体本身结构也有很大关系，若晶体中间隙位置较大，则易形成弗仑克尔缺陷。如AgBr比NaCl易形成这种缺陷。

直接带隙是导带最小值（导带底）和满带最大值（价带顶）在k空间中同一位置，但是从能量来看，导带底与价带顶之间存在一个能量间隙——禁带；由于这个禁带的宽度较大，所以称为宽带隙半导体。可参见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说明。

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