为什么高温下半导体器件无法正常工作

一般半导体器件中的载流子主要来源于杂质电子，而将本证激发忽略不计。在本证载流子浓度没有超过杂志电离所提供的载流子浓度范围时，若杂质全部电离，载流子的浓度是一定的，器件就能稳定工作。随着温度升高，通过本证激发出来的载流子大量增加，当温度足够高时，本证激发占主导地位，器件就不能正常工作。因此每种半导体器件都有一定的极限工作温度。所以高温下半导体器件无法正常工作。

因为半导体中的本征电子和空穴浓度会受温度的影响发生明显的变化，即本征载流子的激发浓度会随温度的不同而发生变化，进而影响半导体的各项电学性能。

温度同样会影响半导体中载流子的散射情况。高温下半导体中原子振动加强，增大了对载流子的散射。在对半导体升温的过程中，有一个区间是温度升高电阻率变大

温度会影响半导体掺杂的有效激发

温度会影响半导体中陷阱和缺陷对载流子的俘获能力，已经被俘获载流子的复合几率

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