螺母丝锥的沟槽是磨出来的吗？

是磨床加工出来的，小批量加工可以在铣床上用挂轮走刀加工出来，但是精度低，最好再用成型砂轮研磨。小板牙的内螺纹是螺纹绞刀绞出来的，小模数齿轮的先进加工方法是用成型砂轮直接磨削出来的，这个砂轮就是大螺纹外形，是用金刚砂磨削出来的，这种砂轮有落地加工与不落地加工两种；就是加工成型砂轮与加工齿轮都在同一台机床上完成就是不落地加工；如果是分两台机床分别加工，就是落地加工，这样的精度低。这么样，百度里面有高手吧？这可是即兴回答呀！顺便请你审阅本人过去在百度知道上的其他即兴回答：

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现在我们该学什么在社会上有用

能独立设计出一个三极管的完整电路就可以了，那些电磁波理论都是在云中，在雾中。否则就都是用进口集成电路系统集成的败家子

http://zhidao.baidu.com/question/81783818.html

电动轮椅是怎样转弯的？

安全、标准的方式采用差速器，是欧美公认在本质上可靠、安全的方法，用另一对轮系转向，国内出口欧美的高档轮椅就采用国产差速器，一个轮椅用的国产差速器价格大约是500元以上、2000元以下，有许多规格。

简单的方法是独立电动机驱动 ，每个电动机的转动速度、力矩不同，就转向，可靠性低、成本低、重量轻，属于开环控制，如果加入中等精度的****闭环控制，成本比采用差速器要高的多。

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电子垃圾输入我国最大受益者是谁?

电子垃圾输入我国最大受益者是台湾人！！！都被台湾人垄断了，他们利用对外加工贸易，走私电子垃圾到国内集散地，就是行话所说的货场，不允许测试，就强卖，你不买，大把人来赌买，买回去，是亏是略有盈余不知道。但是，对于一些工业企业有很大的帮助，因为发达国家的工业器材质量好，可靠性高，国内生产的新器材无法竞争，是自制工业装备的得力帮助。所以，应该由国家选择、控制进口发达国家淘汰的工业设备，对于旧衣服那些就应坚决拒绝渗入国门。

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概述改革开放之前的中国

在1970年，就出版了国家机械零件标准，例如六角螺栓的各种规格，因为使用量巨大，其最佳结构尺寸的计算、标准的制定，就有后来的获得力学院士资格的老一辈知识分子主导。在1970年，也出版了机修手册、机械设计手册，对于各种机床的检定、大修，制定了详尽的标准、方法。当时中等以上国有企业，都有计量工作部门，都定期按照国家标准，对机床精度、刚性进行检测，必要时进行大修，刮主轴瓦、铲导轨等等。

而现在的企业都是将订单视为生命，完全从经济效益出发，不是机床趴窝，绝不维修，至于刮主轴瓦、铲导轨的工艺，几乎无人知晓和掌握。30年前，高等院校、研究院所有仪器计量检定科室，定期将仪器送往技术监督部门检定，现在都精简机构了。

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跪求自行车滚珠，有没有自行车滚珠买啊！

自行车零件是销售量巨大的生意，全国各地有许多生产商、批发点，你所在的当地也一定有，你注意观察，当地的自行车维修店都有人定期送货上门，循迹而上就是了。而在40年前，国内就有将工业轴承--普通单列向心轴承取代普通自行车深沟轴承的做法，无需上机床加工，可以直接互换，配合公差大体相近，在自行车零件质量不高的当今，为现在不少长途运输、重载的自行车改装的习惯做法。

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自行车塑料水壶致癌

首先，要用进口气相色谱、液相色谱、红外吸收光谱等等仪器，没有600万元以上投资开不了张，质量监督部门、大学、研究所做分析，起码收费600元。

其次，任何容器使用后，都要用长毛刷机械方式清扫内壁，大的桶装水容器反复使用都经过类似的处理。你用的塑料瓶增塑剂太多，味道重，以后就好了，铝容器反复清洗要损伤氧化铝保护层，更容易污染，你还是用玻璃瓶为好。

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电灯泡会发出声音是什么原因？

你去问舞台调光师傅，就知道这么回事了，在大功率白炽灯调相供电时候最明显，即使正弦波供电，在某些条件下也会有振动噪音。

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模拟电路中电流源电路到底是有作用呢

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模拟电路中电流源电路到底是有什么作用呢?我看了书还是不明白,是如何工作的

可以提高增益、降低功耗、稳定电路、实现不同电平之间的跟随、变换、例如实现在压控振荡器中、带通滤波器、乘法器的功能

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高频震荡器电路

高频震荡器电路图，接近日光灯管即可点亮灯管那样的电路怎样自已制作？说详细点。

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高频震荡器电路图，接近日光灯管即可点亮灯管

这是近百年来的老题材，从气体放电光源一出现就同时发现了。

最早是用交流电源、直流电源，电源电压高一些，用电感、电容、漏磁变压器限流，然后通过电感、电容、火花放电间隙（可以是用云母片隔离产生气体放电间隙）产生不连续的高频振荡，就能引燃日光灯。后来就用电子管电路产生连续高频电流点亮日光灯。在广播电台发射天线附近的民居内，日光灯管就会自然发亮，一般不允许他们使用日光灯，以减少发射功率损耗。在真空系统的检漏工作中，现在仍然使用手持的高频电流发生器，也可以点亮日光灯，那是机电装置。

现在的无极感应节能灯就是这样的工作原理，在1960年就有报道，现在已经将半导体功率振荡电路封装在小型节能灯里面，目前售价要几百元以上，无法普及，而且要抑制无线电射频对附近的干扰。

频率在1兆以上，30兆以下，要挑选工业高频加热源的规定频率。

你检索高频热合、热压、焊接、塑料加工等等关键词就有了，

这是法律规定的，不能违反，否则无线电管理委员会要找上来了，他们的接收机都是进口的，连着电脑，可以定向、测距，无线测定车辆直接开到你家来。

一般人的电路水平不能直接达到这样大的功率，输出功率还没有上去，就立即烧管啦，而且不断地烧，还永远不知道是什么原因。尤其是直接从220伏特交流电源直接整流到314伏特，直接高压振荡产生高压、高频功率电流，高压状态下，烧管现象更严重。一般人就尝试电源降压到20伏特上下吧，就这样，绝大多数大学生、研究生都不能独立做出这样的效果，即使给出线路，基本上也调试不出来。以2007年全国大学生电子设计大赛的一个比赛项目：设计制作出2W射频卡的高频功率驱动电源，你去调查看看有几家能独立做出来的？你还是去检索业余无线电台的资料，邮购发射机的套件，回来组装，倒很实在，要改变的是末级输出线圈的参数。

从多晶硅到单晶硅棒再到切(硅)片这一段是用不到金刚石砂轮的!我们公司就是从事光伏产品的制造! 从多晶硅-单晶硅-切片都做的!

目前超过98％的电子元件材料全部使用单晶硅。其中用CZ法占了约85％，其他部份则是由浮融法FZ生长法。CZ法生长出的单晶硅，用在生产低功率的集成电路元件。而FZ法生长出的单晶硅则主要用在高功率的电子元件。CZ法所以比FZ法更普遍被半导体工业采用，主要在于它的高氧含量提供了晶片强化的优点。另外一个原因是CZ法比FZ法更容易生产出大尺寸的单晶硅棒。

目前国内主要采用CZ法

CZ法主要设备：CZ生长炉

CZ法生长炉的组成元件可分成四部分

（1）炉体：包括石英坩埚，石墨坩埚，加热及绝热元件，炉壁

（2）晶棒及坩埚拉升旋转机构：包括籽晶夹头，吊线及拉升旋转元件

（3）气氛压力控制：包括气体流量控制，真空系统及压力控制阀

（4）控制系统：包括侦测感应器及电脑控制系统

加工工艺：

加料→熔化→缩颈生长→放肩生长→等径生长→尾部生长

（1）加料：将多晶硅原料及杂质放入石英坩埚内，杂质的种类依电阻的N或P型而定。杂质种类有硼，磷，锑，砷。

（2）熔化：加完多晶硅原料于石英埚内后，长晶炉必须关闭并抽成真空后充入高纯氩气使之维持一定压力范围内，然后打开石墨加热器电源，加热至熔化温度（1420℃）以上，将多晶硅原料熔化。

（3）缩颈生长：当硅熔体的温度稳定之后，将籽晶慢慢浸入硅熔体中。由于籽晶与硅熔体场接触时的热应力，会使籽晶产生位错，这些位错必须利用缩劲生长使之消失掉。缩颈生长是将籽晶快速向上提升，使长出的籽晶的直径缩小到一定大小（4-6mm）由于位错线与生长轴成一个交角，只要缩颈够长，位错便能长出晶体表面，产生零位错的晶体。

（4）放肩生长：长完细颈之后，须降低温度与拉速，使得晶体的直径渐渐增大到所需的大小。

（5）等径生长：长完细颈和肩部之后，借着拉速与温度的不断调整，可使晶棒直径维持在正负2mm之间，这段直径固定的部分即称为等径部分。单晶硅片取自于等径部分。

（6）尾部生长：在长完等径部分之后，如果立刻将晶棒与液面分开，那么效应力将使得晶棒出现位错与滑移线。于是为了避免此问题的发生，必须将晶棒的直径慢慢缩小，直到成一尖点而与液面分开。这一过程称之为尾部生长。长完的晶棒被升至上炉室冷却一段时间后取出，即完成一次生长周期。

单晶硅棒加工成单晶硅抛光硅片

加工流程：

单晶生长→切断→外径滚磨→平边或V型槽处理→切片

倒角→研磨 腐蚀--抛光→清洗→包装

切断：目的是切除单晶硅棒的头部、尾部及超出客户规格的部分，将单晶硅棒分段成切片设备可以处理的长度，切取试片测量单晶硅棒的电阻率含氧量。

切断的设备：内园切割机或外园切割机

切断用主要进口材料：刀片

外径磨削：由于单晶硅棒的外径表面并不平整且直径也比最终抛光晶片所规定的直径规格大，通过外径滚磨可以获得较为精确的直径。

外径滚磨的设备：磨床

平边或V型槽处理：指方位及指定加工，用以单晶硅捧上的特定结晶方向平边或V型。

处理的设备：磨床及X－RAY绕射仪。

切片：指将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄晶片。

切片的设备：内园切割机或线切割机

倒角：指将切割成的晶片税利边修整成圆弧形，防止晶片边缘破裂及晶格缺陷产生，增加磊晶层及光阻层的平坦度。

倒角的主要设备：倒角机

研磨：指通过研磨能除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层，有效改善单晶硅片的曲度、平坦度与平行度，达到一个抛光过程可以处理的规格。

研磨的设备：研磨机（双面研磨）

主要原料：研磨浆料（主要成份为氧化铝，铬砂，水），滑浮液。

腐蚀：指经切片及研磨等机械加工后，晶片表面受加工应力而形成的损伤层，通常采用化学腐蚀去除。

腐蚀的方式：（A）酸性腐蚀，是最普遍被采用的。酸性腐蚀液由硝酸（HNO3），氢氟酸（HF），及一些缓冲酸（CH3COCH，H3PO4）组成。

（B）碱性腐蚀，碱性腐蚀液由KOH或NaOH加纯水组成。

抛光：指单晶硅片表面需要改善微缺陷，从而获得高平坦度晶片的抛光。

抛光的设备：多片式抛光机，单片式抛光机。

抛光的方式：粗抛：主要作用去除损伤层，一般去除量约在10－20um；

精抛：主要作用改善晶片表面的微粗糙程度，一般去除量1um以下

主要原料：抛光液由具有SiO2的微细悬硅酸胶及NaOH（或KOH或NH4OH）组成，分为粗抛浆和精抛浆。

清洗：在单晶硅片加工过程中很多步骤需要用到清洗，这里的清洗主要是抛光后的最终清洗。清洗的目的在于清除晶片表面所有的污染源。

清洗的方式：主要是传统的RCA湿式化学洗净技术。

主要原料：H2SO4，H2O2，HF，NH4HOH，HCL

（3）损耗产生的原因

A.多晶硅--单晶硅棒

多晶硅加工成单晶硅棒过程中：如产生损耗是重掺埚底料、头尾料则无法再利用，只能当成冶金行业如炼铁、炼铝等用作添加剂；如产生损耗是非重掺埚底料、头尾料可利用制成低档次的硅产品，此部分应按边角料征税。

重掺料是指将多晶硅原料及接近饱和量的杂质（种类有硼，磷，锑，砷。杂质的种类依电阻的N或P型）放入石英坩埚内溶化而成的料。

重掺料主要用于生产低电阻率（电阻率＜0.011欧姆／厘米）的硅片。

损耗：单晶拉制完毕后的埚底料约15％。

单晶硅棒整形过程中的头尾料约20％。

单晶整形过程中（外径磨削工序）由于单晶硅棒的外径表面并不平整且直径也比最终抛光晶片所规定的直径规格大，通过外径磨削可以获得较为精确的直径。损耗约10％-13％。

希望能对你有帮助!

你要磨的是多深的沟槽？多宽？什么材料？淬火了没有？精度如何？什么都没说，怎么给你介绍呢？

一般加工深沟槽，先要用片铣刀或三面刃铣刀铣出一个槽，槽的两侧面都要留磨削的余量，如果要淬火的话，就先淬火，然后再用片砂轮在工具磨上对深槽进行磨削。如果有些槽比较深的话，可以在M7120磨床上，装上片砂轮进行磨削。当然了，如果槽太窄，比如小于10mm的槽，尤其是深槽，砂轮就很难进行磨削了。

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