一、N型半导体也称为电子型半导体,即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。
对于锗、硅类半导体材料,掺杂Ⅴ族元素,当杂质原子以替位方式取代晶格中的锗、硅原子时,可提供除满足共价键配位以外的一个多余电子,这就形成了半导体中导带电子浓度的增加。
二、P型半导体一般指空穴型半导体,是以带正电的空穴导电为主的半导体。
在纯净的硅晶体中掺入三价元素,使之取代晶格中硅原子的位置,就形成P型半导体。
扩展资料:
如果杂质是周期表中第Ⅲ族中的一种元素──受主杂质,例如硼或铟,它们的价电子带都只有三个电子,并且它们传导带的最小能级低于第Ⅳ族元素的传导电子能级。因此电子能够更容易地由锗或硅的价电子带跃迁到硼或铟的传导带。
在这个过程中,由于失去了电子而产生了一个正离子,因为这对于其它电子而言是个“空位”,所以通常把它叫做“空穴”,而这种材料被称为“P”型半导体。
参考资料来源:百度百科-P型和N型半导体
先介绍本真半导体
本真半导体就是纯净的硅或者锗形成的半导体,但是这类半导体没多大用,因为其载流子浓度低,导电能力很差(其导电能力其实是由电子-空穴对表现出来的,电子离开原来的位置后,原来的位置就成为了空穴),于是人们就想出了参杂。
如果往硅里面参杂3价元素硼,那么可以得到P型半导体,这是为什么呢?
记住参杂的是原子,整块材料是电中性的。当参杂磷原子进去时,磷是元素周期表中15号元素,外围5个电子,而硅外围4个电子,但是磷只能和硅形成4个共价键。这就导致了还剩一个磷的电子落单,它很不稳定,动不动就离家出走,留下空穴。每参杂一个磷原子,便会有一个单身磷电子(对,就是这么可怜),所以整块材料中电子成为多数,空穴成为少数(空穴只在电子离家出走的时候形成),电子为多数载流子就叫N(negetive)型半导体.
反之,你可以类比P(positive )型半导体.
硅是半导体。
在硅中,掺杂五价元素(比如磷),就成为了N型半导体。
在硅中,掺杂三价元素(比如硼),就成为了P型半导体。
虽然,P型半导体和N型半导体的导电能力,增强了很多,
但是,它们,都不带电荷。
即使是导体,铜、金银等,也都不带电荷。
只有绝缘体,才可能带有电荷。
你用塑料梳子梳头,就会感觉到带电的现象。
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