PN结的反向电流成分主要是什么？在正偏PN结中的N区，电子进入P区形成的是不是电子空穴复合？

反向电流的主要成分是耗尽区边界的少子扩散电流和耗尽区的产生电流；正向偏置的PN结中N区电子通过扩散进入P区，在P区边扩散边与P区空穴复合，而空穴由电极处补充，从而转化成空穴电流。电子进入P区形成的是电子扩散电流，不是电子空穴复合电流。但有电子空穴复合。

找到三份材料：现代半导体器件物理(施敏,科学出版社2001).pdf半导体器件物理与工艺参考答案.pdf(Semiconductor Devices,Physics and Technology)【施敏】全部发给你。请收。 刚才发了几次都因文件太大被退回。后将文件分开发送，已发送完毕，请查收。

我来回答一种较为简洁的答案，满足以下三个条件的称为PN结：

1、由P型和N型半导体接触而形成；

2、在它们的交界面处形成空间电荷区；

3、两边呈中性区。

学完半导体器件物理再结合老师讲解总结出来的，如有表述不妥之处欢迎指正。

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