半导体科研项目有哪些

有博方嘉芯氮化镓射频及功率器件项目，中微科技化合物半导体材料研究中心落户成都邛崃，华通芯电第三代化合物半导体项目，三安光电拟160亿在长沙投资化合物半导体项目，江苏任奇芯片制造、封测、研发的产业化基地，郑州航空港实验区第三代化合物半导体SiC生产线，中科院半导体所氮化镓材料与器件项目。

有一些材料的导电性能介于导体和绝缘体之间，常常被成为半导体。半导体是易受温度光照，杂质等因素的影响，半导体是制造电子元件的重要材料，二极管，三极管都是半导体制成的。

中国在半导体领域投入的研发是非常大的，根据相关机构做的数据统计，每一年，国内的科技公司几乎在半导体领域投入了几十亿的资金，用于对半导体的研发，这么大的资金投入使得近几年以来，我国对于半导体的研究更加深入。而且，为了能够更好的弄清楚半导体结构和原理，我国联合多所重点大学一起联合攻关，专门培养一些研究电子产品的专业人才，毕业后将他们送到这些半导体研发中心，从事专业的科技研发工作，可以说，我国对于半导体的投入，不论是人力，还是物力都是非常的大的。

在未来，我相信，在众多科学家的共同努力下，在所有人的期盼下，我国对于半导体的研发能够取得更大的进步，获得更优异的成绩，能够摆脱外国科技公司对于半导体产品的垄断局面，帮助我们提高自己的科技实力。

随着社会生活的发展，我们越来越发现，科技越是发展，我们的生活就会变得越来越好，我们的经济发展就会变得越来越快。社会的高速发展离不开科技发展的推动，可以说，科学技术有着巨大的生产力。以前的时候，是农业社会，经济发展缓慢，人们的生活水平比较低。但是，在进入了工业社会后，人们开始在科学技术的帮助下，生产制造一些工具，帮助我们的生活过的越来越好。

在科学技术的推动下，我们对于半导体领域的研究也是越发深入。半导体是很多高精密仪器所必须拥有的一个部件，可以说，如果没有半导体，很多大型计算机可能无法完成计算工作。近几年，我国对于半导体的研发投入非常的大，成绩也是有目共睹的。

1、1833年，英国科学家电子学之父法拉第最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但法拉第发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次发现。

2、1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生一个电压，这就是后来人们熟知的光生伏特效应，这是被发现的半导体的第二个特性。

3、1873年，英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应，这是半导体的第三种特性。

4、1874年德国的布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关，即它的导电有方向性，在它两端加一个正向电压，它是导通的；如果把电压极性反过来，它就不导电，这就是半导体的整流效应，也是半导体所特有的第四种特性。同年，舒斯特又发现了铜与氧化铜的整流效应。

5、半导体的这四个特性，虽在1880年以前就先后被发现了，但半导体这个名词大概到1911年才被考尼白格和维斯首次使用。而总结出半导体的这四个特性一直到1947年12月才由贝尔实验室完成。

扩展资料：

最早的实用“半导体”是「电晶体（Transistor）/二极体（Diode）」。

1、在无线电收音机（Radio）及电视机（Television）中，作为“讯号放大器/整流器”用。

2、发展「太阳能（Solar Power）」，也用在「光电池（Solar Cell）」中。

3、半导体可以用来测量温度，测温范围可以达到生产、生活、医疗卫生、科研教学等应用的70%的领域，有较高的准确度和稳定性，分辨率可达0.1℃，甚至达到0.01℃也不是不可能，线性度0.2%，测温范围-100~+300℃，是性价比极高的一种测温元件。

4、半导体致冷器的发展, 它也叫热电致冷器或温差致冷器, 它采用了帕尔贴效应.

参考资料来源：百度百科——半导体

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