芯片的组成？

芯片在电子学中是一种将电路（主要包括半导体设备，也包括被动组件等）小型化或微型化的方式，时常制造在半导体晶圆表面上。从结构上看，芯片由大规模集成电路、阻容元件、保护电路、稳压电路、封装材料等组成。

metro是metrology的简称，是半导体芯片过程工艺控制的一种，在前道测试设备也称作过程工艺控制中（Semiconductorprocesscontrol），可以进一步细分为缺陷检测（inspection）和量测（metrology）主要进行物理和功能性方面的测试，在晶圆生产过程中，每完成一步工艺都需要用相应的测试设备来检测产品良率和缺陷。

在65nm时代，漏电一直是降低处理器良品率、阻碍性能提升和减少功耗的重要因素。而随着处理器采用了45nm工艺，相应的核心面积会减少，导致单位面积的能量密度大幅增高，漏电问题将更加凸显，如果不很好解决，功耗反而会随之增大。而传统的二氧化硅栅极介电质的工艺已遇到瓶颈，无法满足45nm处理器的要求，因此为了能够很好的解决漏电问题，Intel采用了铪基High-K(高K)栅电介质+Metal Gate(金属栅)电极叠层技术。

相比传统工艺，High-K金属栅极工艺可使漏电减少10倍之多，使功耗也能得到很好的控制。而且，如果在相同功耗下，理论上性能可提升20％左右。正是得益于这种新技术，Intel的45nm工艺在令晶体管密度提升近2倍，增加处理器的晶体管总数或缩小处理器体积的同时，还能提供更高的性能和更低的功耗，令产品更具竞争力。

此外，我们要知道High-K栅电介质技术，相比以往的氮氧化合物/多晶硅栅堆叠技术成本会有所增加，而Intel为了保持工艺技术上的领先，不惜高成本采用了High-K栅电介质技术，我们也可以看出Intel对45nm处理器能否取得成功相当重视。而由于High-k闸极电介质和现有硅闸极并不兼容，Intel全新45nm晶体管设计也必须开发新金属闸极材料，目前新金属的细节仍属商业机密，Intel现阶段尚未说明其金属材料的组合。

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