关于金属与半导体接触时，表面电荷区电场方向的问题

因为N型半导体的功函数小于金属的功函数，所以当N型半导体与金属接触时，N型半导体中的电子将向金属一边转移，结果就造成半导体表面空间电荷区中有正电荷，在金属表面（界面）上有负电荷，从而产生一个由半导体指向金属表面的电场。.....可参见“http://blog.163.com/xmx028@126”网页中的有关说明以及百度百科中的“pn结势垒”词条。

p型半导体上加正偏压，其中的空穴（多子）会在电场作用下向金属端移动，金属中含有的自由电子向p型半导体端移动，并在界面处被复合，金半结导通。

p型半导体上加负偏压，界面处在电场作用下耗尽曲变宽，金半结不导通，仅有很小的漏电流。

金属功函数：金属内部逸出到表面真空所需最小能量 半导体功函数：E0与费米能级的差 电子亲和能 使导带底的电子逸出体外所需最小能量 WSe2为P型半导体 半导体费米能级高于金属的费米能级 接触后，金属和半导体的费米能级相同，半导体的导带电子流向金属 电荷的流动在半导体表面形成正的空间电荷区（因为电子溜走了嘛） 那么半导体表面 和内部就会存在电势差，就是表面势Vs 接触电势差分布在空间电荷区和金属半导体表面间，当紧密接触时主要分布在空间电荷区 势垒高度为-qVs

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