力晶半导体的历史沿革

1994 年 12 月 力晶半导体股份有限公司成立。

1995 年 03 月 八吋晶圆厂(8A厂)动土典礼。

1996 年 04 月 8A厂正式启用。

10 月 8A厂开始量产0.40微米 16Mb DRAM / SDRAM。

1997 年 12 月 获颁 ISO 9002 国际品保系统验证证书。

1998 年 02 月 8A厂量产 0.30 微米 64Mb DRAM / SDRAM。

03 月 公司股票正式以科技类股於柜买中心挂牌上柜。

07 月 切入代工服务领域有成，第一家美国代工客户产品试产成功。

12 月 获颁 ISO 14001 国际环境管理系统验证证书。

1999 年 06 月 与世界先进及三菱电机签订策略联盟合作备忘录，共组联盟关系。

11 月 发行第一次海外存托凭证，总金额达美金288,900,000元。

2000 年 07 月 举行第一座十二吋晶圆厂(P1厂)动土典礼。

2001 年 05 月 发行第一次公司债(含海外公司债)，总额达美金200,000,000元。

09 月 荣获经济部工业局所举办的第十二届「品质优良案例奖」。

2002 年 10 月 通过OHSAS 18001职业安全卫生评估系列验证。

11 月 第一座十二吋晶圆厂(Fab P1)正式量产。

2003 年 01 月 谢再居博士接任总经理肩负营运重责。

08 月 力晶与日本Elpida公司正式签订0.10、0.09微米技术转移合约。

10 月 第二座十二吋晶圆厂(P2厂)动土典礼。

2004 年 04 月 力晶十二吋晶圆厂代工业务正式投片。

09 月 力晶员工诊所开幕。

2005 年 01 月 获颁ISO / TS 16949证书。

03 月 P2厂正式启用。

05 月 力晶开始以十二吋晶圆厂生产高容量快闪记忆体。

2006 年 01 月 与旺宏达成协议购入晶圆厂房，并命名为 12M厂。

02 月 与瑞萨 (Renesas) 达成AG-AND 快闪记忆体技术授权协议。

12 月 与尔必达签订合作备忘录，将设合资公司以新台币4,500亿元於台湾中部建置全球最大12吋晶圆DRAM厂区；双方并决定共同开发50奈米DRAM制程技术。

2007 年 06 月 力晶研发测试中心动土典礼。

10 月 与尔必达合资之瑞晶电子公司第一座十二吋晶圆厂(R1厂)启用。

2008 年 04 月 8A厂独立为钜晶电子公司。

4 月 与日商瑞萨、SHARP合资设立Renesas SP公司，共同拓展LCD驱动晶片市场。

4 月 第四/五座十二英寸晶圆厂(P4/P5厂)动土。

力晶在设立之初即和日本三菱电机缔结技术、生产与销售的策略联盟；目前则与日本DRAM大厂尔必达（Elpida）合作产销最尖端DRAM产品。另一方面，力晶亦为日商瑞萨科技(Renesas Technology Corp.)的主要代工夥伴，发展系统晶片(System LSI)产品。九十五年力晶和尔必达签订共同开发50奈米DRAM制程技术备忘录，掌握关键科技自主能力；同年，力晶也与瑞萨达成协议，取得AG-AND Flash技术授权，成为我国第一家具备高容量快闪记忆体产销实力的半导体厂商。