WBG和平精英分部正式落地北京,之后也将细化主场落地的相关事宜,通过开展粉丝见面会等活动,以更多的形式向大众展现出电子竞技的魅力。而且在之后宣传上也会让电子竞技和传统文化进行融合,为弘扬传统文化做出一份贡献。所以从产业规模包括各方面来看,电子竞技行业规模发展十分迅速,电竞行业目前处于快速发展的过程。同时目前电竞职业也越来越规范化和职业化,电竞游戏也深入到人们的日常生活当中,可以随时在网上看电竞比赛,也能够去买门票去看电竞比赛,其中就有非常多电竞职业选手的出现。所以小编想说的是在未来电竞行业还会不断的发展,整个市场的需求还是非常多的,在未来也会更加完善。
电竞行业
在早期电竞行业主要指的是电子竞技,也是很多人眼中的网瘾少年,之后随着技术的不断改革,电子竞技也逐渐成为一种职业,和棋艺等非电子游戏比赛是非常类似的,在03年的时候,国家体育总局也正式将电子竞技列为第99个正式体育竞赛项,得到了认可的合法正式比赛,也就有更多的年轻人加入到电竞行业,为电竞的发展提供了红利。在13年之后电子竞技行业也受到了很多资本的密切关注,也就成立了非常多的电子竞技类公司。
在发展电竞行业时需要注意的是
在发展电竞行业需要注意的是,对于未成年人的保护其实是非常重要的,现在对于游戏的发展,社会对于未成年人保护的关注度也在持续的上升,因为对于电竞人才的培养和未成年人游戏沉迷之间是有矛盾的,这也是电竞在发展过程中比较难以调节的一个问题。所以在之后发展电竞行业的时候,就需要完善管理的运营方式,规范电竞行业的准入门槛。
最后电竞行业目前越来越标准化,正规化,也有非常多的人开始了解电,竞爱上电竞,相信在未来电竞也会更加健康的发展。
导读:本文总结了二维材料/宽禁带材料异质结构的制备方法和能带对齐理论;介绍了铁电极化场和压电应力效应在二维/铁电异质结构中的应用;列举了二维/宽禁带半导体异质结构在探测器、场效应晶体管、光催化和气体传感器领域的研究进展;最后,总结了二维/宽禁带材料异质结构目前存在的问题,并展望了其未来发展方向。
综述背景
综述简介
北京邮电大学吴真平副教授,香港理工大学郝建华教授等以“Hybrid heterostructures and devices based on two-dimensional layers and wide bandgap materials”为题在《Materials Today Nano》发表了邀请综述文章。
论文链接:
https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S2588842020300213
该综述首先介绍了2D/WBG材料异质结构的制备方法,并详细探讨了2D/WBG异质结构的能带对齐理论。接下来,文章系统回顾了铁电极化场和压电应力效应在2D/铁电异质结构中的应用,并列举了2D/宽禁带半导体异质结构在探测器、场效应晶体管、光催化和气体传感器领域的研究进展,最后探讨了目前该领域的研究进展和存在研究难点,并对未来的研究方向提出了见解。
图1、常见二维材料、宽禁带半导体和铁电体的能带示意图。
图2、(a)BP-ZnO异质结示意图。(b)化学气相沉积法制备MoSe2工艺示意图。(c)GaN衬底和第3相MoSe2薄膜的照片。(d)单层MoS2/单层WSe2/GaN(上)和少层MoS2/GaN(下)的AFM图像。(e)蓝宝石衬底上生长的晶圆级MoS2薄膜的光学图像和横截面TEM图像。(f)MoS2/GaN(0001)的横截面TEM图像。
图3、(a)2D/WBG-vdW异质结构的原子结构和各种能带排列示意图:(b)欧姆接触,(c)肖特基接触,(d)I型跨骑,(e)II型交错,(f)III型错层。
图4、用PBE(左下区域)和HSE06(右上区域)计算的vdW异质结构能带排列表。绿色、红色和蓝色分别表示I型、II型和III型异质结构类型。两个彩色方框表示两种不同类型的机会相等。
图5、基于二维材料和铁电材料的异质结构。(a)石墨烯的输运性质。插图显示了石墨烯/PZT异质结构的示意图。(b)石墨烯在空气和真空中的输运特性。(c)基于MoS2和BTO的FTJ的I-V特性。(d)随电压变化的电阻开/关比。
图6、基于二维材料和压电PMN-PT的异质结构。(a)石墨烯/MoS2/PMN-PT异质结构示意图。(b)压电双轴应变在0 0.2%范围内调谐的MoS2的PL谱。(c)WSe2/PMN-PT异质结构示意图。(d)在PMN-PT上施加电场从 20-20kv/cm调谐的SPE的微PL谱。(e)PMN-PT上 20和20kv/cm电场调谐的SPE的微PL光谱。
图7、光电探测器。石墨烯/Ga2O3肖特基结光电探测器的结构图(a),在不同光强下的光响应(b)和光谱选择特性(c)。自组装石墨烯/GaN异质结探测器示意图(d),在360 nm光照条件下测量的I-V曲线(e)和光谱选择特性(f)。WS2/GaN光电探测器示意图(g),器件的响应度和比探测率与光强度的函数关系(h)和紫外成像结果(i)。
图8、场效应晶体管。Ga2O3/WSe2结场效应晶体管示意图(a),器件的传输和跨导特性(b),器件的击穿电压可达144 V(c)。垂直Ga2O3/石墨烯势垒晶体管开关器件示意图(d),器件的关态击穿电压(e),器件击穿电场与其他报道的功率器件的比较(f)。E/D双型石墨烯/Ga2O3 MESFET示意图(g),直接耦合场效应晶体管逻辑逆变器(h),逻辑逆变器的电压传输特性(i)。
图9、气体传感器。MoS2/GaN气体传感器示意图(a),反向偏压下氢气氛围下器件的能带图变化(b),不同温度下器件对氢气浓度测试的灵敏度(c)。rGO/AlGaN/GaN气体传感器原理图(d),在正偏压条件下,器件在NO2、NH3和SO2气氛中的能带图变化示意图(e),传感器气体浓度依赖响应曲线(f)。
图10、杂化异质结构中二维材料的形态。(a)GaN上MoSe2层的SEM图像。(b)GaN外延晶体上MoS2单层三角形的扫描电镜。GaN/AlGaN/GaN上生长的MoS2的TEM图像亮场(c),暗场(d),和选区电子衍射(SAED)图(e)。
结论与展望
综上,本综述系统讨论了2D/WBG异质结构的制备、能带结构设计和相关应用。虽然2D/WBG混合vdW异质结构在电子、光电子器件领域已经展现出优异的性能,但仍存在许多挑战和机遇。
1、目前研究的2D材料和WBG材料种类仍很少,以石墨烯为主,仍需要 探索 其他2D材料在本领域的应用。
2、铁电、压电材料目前仍只用于提供极化和应力来调控2D材料的物理特性,其耦合效应尚未完全理解。
3、制备获得高质量晶圆尺寸的2D/WBG混合异质结构是实现器件产业化的最大技术瓶颈。
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