在半导体离子注入工艺中，初速度可忽略的离子P+和P3+，经电压为U的电场加速后，垂直进入磁感应强度大小为

A、两个离子的质量相同，其带电量是1：3的关系，所以由a=

qU

md

可知其在电场中的加速度是1：3，故A错．

B、要想知道半径必须先知道进入磁场的速度，而速度的决定因素是加速电场，所以在离开电场时其速度表达式为：v=

2qU m

，可知其速度之比为1：

3

．又由qvB=m

v2

r

知，r=

mv

qB

，所以其半径之比为

3

：1，故B错误．

C、由B的分析知道，离子在磁场中运动的半径之比为

3

：1，设磁场宽度为L，离子通过磁场转过的角度等于其圆心角，所以有sinθ=

L

R

，则可知角度的正弦值之比为1：

3

，又P+的角度为30°，可知P3+角度为60°，即在磁场中转过的角度之比为1：2，故C正确．

D、由电场加速后：qU=

1

2

mv2可知，两离子离开电场的动能之比为1：3，故D正确．

故选：CD．

BCD

离子在电场中加速过程中，由于电场强度相同，根据牛顿第二定律可得a 1 ∶a 2 ＝q 1 ∶q 2 ＝1∶3，选项A错误；在电场中加速过程，由动能定理可得 ，在磁场中偏转过程： ，两式联立可得： ，故r 1 ∶r 2 ＝∶1，选项B正确；设磁场宽度为d，根据 可得： ，联立解得 ，选项C正确；由 可知E k1 ∶E k2 ＝1∶3，选项D正确．

半导体离子注入技术是一种材料表面改性高新技术，在半导体材料掺杂，金属、陶瓷、高分子聚合物等的表面改性上获得了极为广泛的应用，在当代制造大规模集成电路中，可以说是一种必不可少的手段。

基本原理：

用能量为100keV量级的离子束入射到材料中去，离子束与材料中的原子或分子将发生一系列物理的和化学的相互作用，入射离子逐渐损失能量，最后停留在材料中，并引起材料表面成分、结构和性能发生变化，从而优化材料表面性能，或获得某些新的优异性能。

离子注入的优点是能精确控制杂质的总剂量、深度分布和面均匀性，而且是低温工艺（可防止原来杂质的再扩散等），同时可实现自对准技术（以减小电容效应）。

作为一种材料表面工程技术，离子注入技术具有以下一些其它常规表面处理技术难以达到的独特优点：

纯净的无公害的表面处理技术

无需在高温环境下进行，无需热激活，不会改变工件的外形尺寸和表面光洁度

与基体之间不存在剥落问题

离子注入后无需再进行机械加工和热处理

荣欣源为客户提供大束流、中束流、高能离子源用钨钼精密部件。

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