半导体有源区是什么

半导体有源区是有源区是硅片上做有源器件的区域。硅片上做有源器件的区域。（就是有些阱区。或者说是采用STI等隔离技术，隔离开的区域）。有源区主要针对MOS而言，不同掺杂可形成n或p型有源区。有源区分为源区和漏区（掺杂类型相同）在进行互联之前，两个有源区没有差别。另外，业内通俗的把有后续杂质注入的地方就都叫做有源区了。

减少硅料消耗

对于以硅片为基底的光伏电池来说，晶体硅(c-Si)原料和切割成本在电池总成本中占据了最大的部分。光伏电池生产商可以通过在切片过程中节约硅原料来降低成本。降低截口损失可以达到这个效果，截口损失主要和切割线直径有关，是切割过程本身所产生的原料损失。提升机台产量。

有源区和金属的连接工艺：现有半导体器件的结构一般包含半导体衬底、位于半导体衬底中的有源区、位于半导体衬底上方的金属层(金属布线层或引出电极)以及位于半导体衬底与金属层之间的绝缘介质层。绝缘介质层中还设有贯穿孔，贯穿孔内填充有钛、氮化钛、钨等导电材料，以实现有源区与金属层之间的电连接。在此种半导体结构中，半导体衬底与金属层之间往往会形成一个寄生的mos电容。寄生电容的大小由绝缘介质层的厚度、绝缘介质层的介电常数和金属层的面积决定。当寄生电容大到一定程度，会影响半导体器件的频率响应等参数，使产品性能下降。

半导体制造工艺进行扩散和注入,形成 IC 有源器件的部分.

这种结构由三层不同类型半导体材料构成,中间层通常为厚度为0.1～0.3μm的窄带隙P型半导体,称为有源层,作为工作介质,两侧分别为具有较宽带隙的N型和P型半导体,称为限制层.具有不同带隙宽度的两种半导体单晶之间的结构称为异质结.有源层与右侧的N层之间形成的是P--N异质结,而与左侧的P层之间形成的是P--P异质结,故这种结构又称N-P-P双异质结构,简称DH结构.

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