一、填空题 1. PN结正偏时 ，反偏时 ，所以PN结具有 导电性。 2. 本征半导体加入硼成为

PN结正偏时（

导通

），反偏时（

截止

），所以PN结具有（单向）导电性。

2.

本征半导体加入硼成为(P型半导体)

首先空穴不是真实存在的，是人们虚拟。当一个电子有价带跃迁到导带的同时，价带中就产生了一个空量子态，人们虚拟为空穴。且空穴（空位）也不能移动的，只是因为空位相邻的共价键上的电子很容易跑到这个空位上，这样其相邻的共价键上就形成了一个新的空位，其效果就好像空位在移动。 下面来回答您的问题： P型半导体之所以空穴为多子的原因是：受主杂质原子（如3价硼）能在价带中产生空穴，但不在导带中产生电子（P表示带正电的空穴）。具体的描述：硼的三个价电子与硅都形成了共价键，而有个共价键是空的。如果有一个电子填充这个“空”位，因为此时的硼原子带负电，它的能量必须比价电子的能量高。但是，占据这个“空”位的电子并不具有足够的能量进入导带，它的能量远小于导带底能量。当硼原子引入的空位被填满时，其他价电子的位置将变空。可以把出来的位置想象成半导体材料中的空穴。空位的不断被填充，不断有新的空位产生，我们可以看出空位在移动，因此多子为空穴。您提到的负离子即填充空位的负离子，仅能使价带电子跃迁到某一能级Ea而非跃迁到导带的电子。整个过程就是这样的，在价带产生了空穴，而不再导带产生电子。 N型半导体之所以电子为多子的原因是：施主杂质原子增加导带电子，但并不产生价带空穴。（N表示带负电的电子）

A、B、半导体的导电性能受温度、光照等外界因素的影响远比导体、绝缘体大得多，太阳电池和光敏电阻就是利用半导体这一特性制成的．故A、B不符合题意．

C、盐水的浓度对导电性能有很大的影响，因为盐水导电，靠的是盐水中的自由离子，调节盐水的浓度就使盐水的导电性改变，但不会变为半导体，因为常见的半导体材料是特殊的材料，像：硅、锗等．故C符合题意．

D、集成电路是用半导体材料制作的，比如电脑、电视机等电路中都可以找到大量的半导体元件．故D不符合题意．

故选C．

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