功率半导体需要封测吗

必须进行。功率半导体封装测试是必须进行的，主要目的是检查元件机械性能、电气性能和热特性，以确保半导体元件安全可靠地工作。常见的封测内容包括对元件外壳温度、功耗、静态数字质量、电性能及放大器，此外，还将对模拟调制器焊盘进行拉力测试，并对元件内部连接线及元器件的耐久性进行测试。

MOSFET全称Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor，中文名为金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管或MOS管，是一种可以使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。

功率MOSFET则指处于功率输出级MOSFET器件，通常工作电流大于1A。由于功率器件的分类方式多样，且各分类方式的分类逻辑并不存在上下包含的关系，因此在这里我们从驱动方式、可控性、载流子类型这三个分类维度将功率MOSFET定义为电压驱动的全控式单极型功率器件。

由于功率MOSFET往往追求高频率与低功耗，且多用作开关器件，因此N沟道增强型是大多数功率MOSFET的选择。功率MOSFET自1976年诞生以来，不断面对着社会电气化程度的提 高所带来的对于功率半导体的更高性能需求。对于功率MOSFET而言，主要的性能提 升方向包括三个方面：更高的频率、更高的输出功率以及更低的功耗。

为了实现更高的性能指标，功率MOSFET主要经历了制程缩小、技 术变化、工艺进步与材料迭代这4个层次的演进过程，其中由于功率MOSFET更需要功率处理能力而非运算速度，因此制程缩小这一层次的演进已在2000年左右基本上终结了，但其他的3个层次的演进仍在帮助功率MOSFET不断追求着更高的功率密度与更低的功耗。

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