打破美日垄断!国产芯片技术迎来突破,半导体行业加速自主化

打破美日垄断!国产芯片技术迎来突破,半导体行业加速自主化,第1张

在受到西方国的技术封锁、原材料断供等手段之后,我国的芯片市场遭到了前所未有的打击,在这样的情况下,诸多西方媒体纷纷跳出来说着“中国芯片自主研发是妄想”等言论,但事实真就如他们所说吗?

其实随着 我国 科技 方面的不断进步,一个个 科技 难题被攻破 ,我国在芯片领域的发展可谓是突飞猛进,用ASML总裁的话来说就是: “如果继续对中国进行技术封锁,要不了多久中国就能实现芯片自主化。”

在“中国芯”的研发道路上, 不仅光刻机被荷兰ASML垄断,制造芯片的核心材料也是时常遭受“断供威胁”。

芯片的研发制作必然离不开光刻,而在光刻的过程中, 光刻胶和光刻机都是其中必不可少的一员 ,光刻胶的精密度越大则生产出的芯片就越先进。

简单来说,如果没有好的光刻胶,即便我们有最先进的EUV光刻机也是形同虚设, 光刻胶是除了光刻机之外的第二大技术难题。

高精度光刻胶的生产技术牢牢掌握在日本手中,我国只能够生产出一些低精度的光刻胶, 高精度光刻胶的来源主要是进口 ,而据数据显示, 全球市场上高端光刻胶由90%以上是由日本和美国提供,我们也时常因此被“卡脖子”。

就是在西方强国技术封锁的情况下, 我国将光刻胶自主研发提上了日程 ,并在2019年建立光刻胶的生产基地,耗时两年后终于传来了好消息: 光刻胶已经自主研发成功 ,国产光刻胶迎来曙光,为国内半导体行业的发展带来了新的希望,一举摆脱“卡脖子”的窘境。

除了制造芯片的核心材料光刻胶得到突破以外 ,我国在芯片设备研发上也传来了利好消息 ,在全球各大芯片企业研发刻蚀机无法取得突破的同时, 我国的 中微半导体公司率先研制出了3nm刻蚀机 ,并且已经完成了原型机设计、测试工作,如此高精度的刻蚀机可以说在全球都是不可多得的存在。

有人看到这可能会有些迷茫, 刻蚀机的工作原理是什么?它突破有何意义?光刻机有何不同?

其实, 刻蚀机对于“中国芯”的研发来说,也是有着举足轻重的作用 ,刻蚀机和光刻机虽然仅仅一字之差,但是它们分别是芯片制造中两个关键流程所用到的设备。

总的来说, 光刻机就如同我们的车载导航,而刻蚀机则代表着我们的车辆 ,只要跟着导航走就能够安全到达指定地点。

随着3nm刻蚀机的问世,我国的国产芯片水平更上一层楼,同时 它的出现也让不少国人们看到了“中国芯”问世的希望。

但也有部分人表示, 有着高精度刻蚀机没有高精度光刻机,“中国芯”也难以得到实现 ,但事实真就是如此吗?

一直以来,光刻机都是生产高精度芯片的核心设备,而光刻机生产技术一直牢牢掌控在荷兰ASML公司手中,而ASML又因为与美国的协议无法对我国出口光刻机,导致我国半导体领域发展一直萎靡不振。

但是最近,我国最大的光刻机厂商上海微电子传来了好消息: 其公司自主研发的28纳米光刻机已经问世并且通过认证,预计在年底可以正式交付投入使用。

国产光刻机的问世也让许多人发出质疑, 国产光 科技 的工作效率和质量能和ASML公司的光刻机媲美吗?

值得一提的是, 上微电子所研发出的光刻机进度和ASML的DUV光刻机是一样的 ,而DUV光刻机在英特尔手中被用来制造出了10纳米芯片,台积电更是用DUV光刻机量产出了7纳米芯片。

这也就意味着, 我国只要时机成熟,完全可能由现如今的量产28纳米芯片技术跳跃到量产7纳米芯片技术。

除此之外,根据我国目前对于芯片的需求来看,28纳米的芯片已经能够满足大部分市场需求,而上 海微电子研发的这台28纳米光刻机更是让“中国芯”的实现更进一步。

如今看来,在 美国芯片禁令的影响 下,虽说 对于我国半导体事业虽说有一定影响 ,但与此同时 更加快了“中国芯”的发展进程 ,美国这一做法无疑是搬起石头砸自己的脚。

我国先后在 光刻胶、蚀刻机、光刻机 等领域取得突破,所以我国想要突破芯片国产化只是时间问题, 我国的半导体行业也正在飞速发展,等到我国打造出属于自己的芯片产业链,芯片禁令也将成为笑谈!

最后,对于美国在芯片上对我国进行打压的行为,你又有什么不同的看法呢?欢迎你们在评论区与零零柒进行探讨。

国外掌握大量的芯片制造技术,在芯片制造领域,很多顶级的设备,材料都需要从国外进口。因为对国外有非常大的芯片依赖,导致我国每年的芯片进口额都在3000亿美元以上。

去年美国对中国企业实施芯片规则,导致中国企业失去了采购芯片,代工芯片的渠道。被芯片卡脖子以后,中国也在加紧自研,尽全力攻克一系列的技术。

有众多优秀的中国半导体企业参与其中,国产芯片也再传好消息,成功掌握3个关键制造环节技术,打破西方垄断。

第一项技术:离子注入机

和光刻机一样,离子注入机也是芯片制造过程中必不可少的核心设备之一。通过离子注入机可以实现对半导体材料,集成电路的离子注入,从而完成对半导体金属材料的改性及制膜等等。

而中国在离子注入机就取得了相应的突破,由中国电科旗下的附属装备集团,成功打造出离子注入机的全谱系产品国产化,可实现对28nm工艺的覆盖。

中国对应的芯片制造环节缺陷,也被弥补。

第二项技术:刻蚀机

中国刻蚀机巨头中微半导体取得了关键突破。在过去的几十年中,中微公司从默默无闻的小企业,成为全球五大刻蚀机设备供应商之一。

在台积电的5nm生产线中,就采用了中微半导体的12英寸高端刻蚀机设备。另外中微半导体取得的关键突破在于3nm刻蚀机Alpha 原型机,这一设备已经实现从设计到测试一系列的开发,评估。

刻蚀机的作用在于,通过纳米级别的技术,在集成电路硅片上实现晶体管线路图的雕刻。到了高端刻蚀机级别,能够在上千层的集成电路中完成刻蚀任务。

如果把芯片比作大楼,那么刻蚀机的任务就是在几百,几千层的大楼中,完成每一个楼层的精装修。

精确程度要实现每一楼层的微小复刻,把设计图纸上的所有细节,都完美刻蚀出来。如此复杂的刻蚀机设备,对芯片制造的作用性不亚于光刻机。

第三项技术:光刻胶

芯片制造涉及到非常多的工艺,步骤。在正式进入到芯片制造之前,需要在硅片上涂抹光刻胶。通过光刻胶的作用,让硅片保持完整,并确保每一个晶体管,集成电路都能得到保护。

这样在后续的刻蚀,离子注入过程中,都能顺利进行。品质越是高端的光刻胶,效果就越好。日本占据全球光刻胶的主要市场,并达到了垄断水准。

中国光刻胶企业不负众望,以南大光电为代表,成功实现Arf光刻胶产品的客户验证。并实现小批量出售。

不只是南大光电,此前晶瑞股份曾花费七千多万人民币购买了一台ASML光刻机,虽然是二手的,但是对研发28nm高端光刻胶也有重大意义。

另外上海新阳采购的ASML光刻机也有多台进入到生产线,对参与国产高端光刻胶的研发都是有巨大帮助的。

中国芯片在离子注入机、刻蚀机、光刻胶这三大芯片制造环节技术中,都取得了相应的突破进展。有研究报告显示,中国将在近两年内实现28nm芯片的自给自足。有能力应对中低端成熟工艺芯片的自主研发,生产。

国产芯片正在逐步打破西方国家的垄断,在实现技术自主可控这一方面,中国企业持之以恒,势必能助力中国芯片的崛起。3个关键芯片制造环节或许只是冰山一角,还有更多的技术,产品及设备都在研制当中。

中国会掌握更多的芯片制造技术,光刻机、芯片制程等等,都难不住中国半导体。相信只要有足够的时间,再大的困难都能一一克服。

对此,你有什么看法呢?


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