一、资助方式及资助对象
“科创计划”以科研项目的形式进行资助，项目执行期一般为6-12个月。
资助全国高校二年级或三年级本科学生。申请者需要具有一定的创新意识和科研探索精神，具有浓厚科研兴趣和扎实的基础理论知识。
二、项目开展程序
（一）学生网上填报项目申请
有意向的学生在与项目指导教师充分沟通后，登录中国科学院大学科教结合协同育人行动计划（http://kjxt.ucas.ac.cn/index.php/zh/），选择科创计划进行注册，然后在网上进行项目填报，请注意随时保存信息。全部填报完毕并确认无误后，点击提交，下载并打印申请表，请学籍所在学校（或学院）签字盖章后于2022年6月17日前寄至半导体所研究生部。
注意：
1.项目申请学生需要获得学籍所在学校（或学院）的同意。
2.学生递交研究所的签字盖章后项目申请表需要与网上保存提交的申请表版本完全一致。
3.项目申请指南和系统使用说明在系统登录后可查询。
（二）研究所审核与立项
研究所主管部门收到学生报送的纸质版《科创项目申请表》，联系相关指导教师进行审核并签字确认。
研究生部将组织专家进行评审，并在科教协同系统的科创计划内填报项目执行期限和项目经费额度，完成项目审核立项。
系统维护项目立项信息后，学生将自动收到项目立项的邮件通知，同时学生也可在系统中查询到立项信息。
（三）项目结题总结
学生在项目完成1个月内，需要在科教结合协同育人行动计划科创计划内登录原报名账号提交项目总结，并打印自动生成项目总结。签字后报指导教师审核签字，研究生部签署意见后归档
国家级科研项目序号 项 目 名 称 负责人 项目批准号 备 注
1 鼓泡塔内两相湍流的实验与理论研究 王树立 国家自然基金（第二申请单位）
2 RPHPLC的灰色数模建立及其应用研究 孙兆林 29505036 国家自然基金
3 地震勘探中d性波方程正反演的有限元多重网格方法的研究 杨 光 国家自然基金（第二申请单位）
4 用TDPAC技术表征钼基钨基催化剂的表面活性相 孙桂大 29673011 国家自然基金
5 在介观孔道分子筛内合成纳米结构功能高分子的研究 张 东 29676004 国家自然基金
6 沸石基质中稀土离子荧光光谱特征 孙家跃 29671006 国家自然基金
7 微波芳构化技术的应用基础研究 孙兆林 29676008 国家自然基金
8 胶体颗粒的相互作用能及憎液胶体的稳定性 王好平 29673012 国家自然基金
9 环境友好石化催化与反应(7-1)磷铝体系超微固体酸催化剂的研究 孙桂大 29792070 国家自然基金
10 油品加氢脱芳烃新型发泡金属催化剂的制备及应用研究 李保山 59871014 国家自然基金
11 沸石催化反应频率响应的研究 孙兆林 29911130785 国家自然基金
12 轻烃芳构化机理的研究 孙兆林 20076008 国家自然基金
13 介孔SnO2半导体材料的制备及储氢性能 胡传顺 50042008 国家自然基金（第二申请单位）
14 轻烃微波芳构化的应用基础研究 孙兆林 教技综字[2000]06号 教育部
15 重油及渣油在超临界溶剂中催化裂化工艺研究与开发 亓玉台 教技综字[2000]06号 教育部
16 油田地理信息系统支撑平台研究与开发 温 涛 教技综字[2000]06号 教育部
17 第二学士学位教育改革与发展宏观战略研究 亓玉台 教高司函[2001]219号 教育部
18 毕业设计（论文）环节的教学改革与实践 亓玉台 1282A03051 教育部
19 流程工业复杂装置的控制 李 平 2001AA413110 科技部（国家高技术研究发展计划）
20 超薄纳米孔碳膜的制备及性能研究 刘炳泗 教外司留[2002]247号 教育部
21 化工间歇聚合反应过程的辨识与控制 李 平 教外司留[2002]247号 教育部
22 扩展的朗格缪尔法及其应用 罗根祥 20273028 国家自然基金
23 金属氧化物自组织膜层制备及其性能 胡传顺 50202014 国家自然基金（第二申请单位）
24 含硫油品储罐中硫化亚铁自然氧化倾向性的研究 赵杉林 2071024 国家自然基金
25 微孔材料中混合烃吸附和扩散的研究 孙兆林 20343006 国家自然基金
26 纳米级硫酸钙晶须的制备及其应用研究 张洪林 2003AA33X130 科技部（国家高技术研究发展计划）（联合申请）
27 选择性吸附脱硫技术在清洁燃料生产中的应用研究 孙兆林 20476042 国家自然基金
28 我国国有企业产权改革以及薪酬激励研究 翟庆国 教外司留[2004]527号 教育部
29 中国本土化企业与高校管理案例库组建工程研究 关明坤 国家软科学2003DGQ2B171 （子课题）
30 纳米级ITO粉体及高密度ITO靶材中试 张洪林 2004AA303542 科技部（国家高技术研究发展计划）（联合申请）
31 纳米级硫酸钙晶须及胶粘剂系列产品开发 张洪林 2005AA001510 科技部（国家高技术研究发展计划）863计划引导项目
32 分子筛孔道中能垒对吸附分子扩散性能的影响 宋丽娟 20546003 国家自然基金
33 新型功能化离子液体的合成及其在清洁氧化中的应用 桂建舟 20706027 国家自然基金
34 水对硫铁化物的生成及自燃性影响机理的研究 赵杉林 20771052 国家自然基金
35 清洁燃料选择性吸附脱硫过程中硫化物吸附行为的研究 宋丽娟 20776064 国家自然基金
36 圆柱平端压头触压边界开裂理论与不锈钢TiN镀层材料断裂韧性测试新方法的研究 谢禹钧 50771052 国家自然基金
37 X80钢及其焊缝在我国典型土壤环境中的应力腐蚀开裂行为与机理研究 吴 明 50771053 国家自然基金
38 面向提高用能效率的延迟焦化过程优化控制系统 李 平 2007AA4Z0162 国家863计划
39 清洁燃料选择性吸附脱硫机理的研究 宋丽娟 2007CB216403 国家973计划
40 MTO-Schiff 化合物合成及在烯烃环氧化中催化应用研究 臧树良 20811130392 国际合作项目
41 定向生长纳米孪晶对铜薄膜热稳定性影响的研究 陈吉 50801036 国家自然基金
42 石化工业废水污染控制与资源化技术研究 张洪林 2008ZX07208-003-001-02 国家重大科技专项
43 采用原位接枝法在碳纳米管表面修饰聚二烯烃链段 雷良才 教外司留
[2008]890号 教育部
44 环状脂肪族聚酯的合成 李海英 教外司留
[2008]890号 教育部
45 纳米多晶相金属氧化物表面晶相控制及其在催化反应中的应用研究 张静 20903054 国家自然基金
46 生物相容性环状聚乳酸及其功能化共聚物的合成 李海英 20974042 国家自然基金
47 吸附剂表面酸性对燃料油选择性吸附脱硫性能的影响 宋丽娟 20976077 国家自然基金
48 三螺杆挤出机组合螺杆流体复杂混合特性研究 朱向哲 50903042 国家自然基金
49 梯度镀层结构微/纳平面压痕开裂理论与应用研究 谢禹钧 50971068 国家自然基金
50 稀散元素杯芳烃新型材料的合成及性能研究 臧树良 209031 教育部
将芯片越做越薄，一直都是科学家们的梦想。
但我们都知道，现有的 硅晶体 已经越来越接近物理极限。
想要从“纳米级”突破到“原子级”，只能靠二硫化钼等 超薄半导体材 料来帮忙。
近日，来自瑞士巴塞尔大学的研究人员宣布，他们成功在二硫化钼材料上加入了 超导体触点 ，从而展示与硅晶体类似的特性。
这次实验的成功， 验证了超薄半导体材料制造半导体元器件的可行性 。
本次实验由Andreas Baumgartner博士领导，其领导的研究小组计划将一些具有半导体性质的天然材料层叠形成三维晶体，再与超导体结合起来，继而探究新材料的特性。
在实验开始，研究人员先将 二硫化钼分离成单独的层 ，这些单层的厚度不超过一个分子。
接着，研究人员像“制作三明治”一样在 单层的二硫化钼两侧加入两层薄薄的氮化硼 。在手套箱中的保护性氮气保护下，研究人员将氮化硼层堆叠在二硫化钼层上，并将底部与另一层氮化硼以及一层石墨烯结合。
然后，研究人员将这种复杂的范德华异质结构（一种特殊的三维结构） 放置在硅/二氧化硅晶片的顶部 。
这样就堆叠出一个 类似于半导体元件的全新合成材料 。
在堆叠完成后，研究人员开始在绝对零度以上（-273.15摄氏度）的低温下进行实现观察。
最后他们发现，在超低温的条件下，超导电测量清楚地显示了超导引起的效应；例如，单电子不再被允许通过。此外，研究人员还发现了半导体层和超导体之间存在强耦合的迹象。这些特性与目前半导体芯片的物理特性十分相似。
研究项目经理鲍姆加特纳解释说：“在超导体中，电子将自己排列成成对，就像舞伴一样，产生了奇怪而奇妙的结果，比如电流的流动没有电阻。另一方面，在半导体二硫化钼中，电子表演一种完全不同的舞蹈，一种奇怪的独舞，也包含了它们的磁矩。现在，如果我们把这些材料结合起来，我们想亲自看到这奇异的舞蹈。”
简单来说， 本次实验验证了超薄半导体材料代替硅晶体的可行性 ，为下一代半导体制造器件提供了新的思路。
如今的芯片制程工艺，已经完成了5nm的突破，科学家们发力向1nm的极限冲刺，今年5月6日，IBM率先宣布造出2nm芯片，顿时让整个半导体圈子欢欣鼓舞。
但由于摩尔定律的存在，即使单位面积容纳的晶体管数量逐步提前，但是效能无法得到显著提升，在硅晶片的物理特性即将达到极限的背景下，1nm工艺像一座大山挡在硅技术面前。
此外，在目前的先进制程里，都需要绝缘体的存在，他们存在的意义是要协助电子能顺利通过晶体管里的通道，当制程持续向下走，通道势必越来越小，晶体管之间的串扰会很大，芯片的效能表现也会大打折扣。
例如一颗5nm工艺材料的芯片里，已经塞下太多的晶体管， 一旦电子黏在芯片内部的氧化物绝缘体上，就会导致电流不易通过，最终引起功耗增加、芯片发热等问题 。
这也是为什么我们会吐槽台积电和三星5nm工艺纷纷“翻车”， 因为这真的太考虑后期的打磨 。
既然三维的材料会让电荷依附在上面，那么用二维材料作为替代品，可以完美避免电流通过的问题。
目前， 业内普遍采用二硫化钼作为二维超薄单层材料 ，这也是被认为是突破硅晶片小型化限制的最有力替代品。
事实上，除了此次瑞士巴塞尔大学的研究以外，学术界早已在二维材料连接上有所突破。
早前，麻省理工学院（MIT）的孔静教授领导的国际联合攻关团队宣布与台大、台积电共同完成合作，使用原子级薄材料铋（Bi）代替硅，有效地将这些2D材料连接到其他芯片元件上。
当铋（Bi）材料被作为二维材料的接触电极时，可以大幅度降低电阻并且提升电流 。
正如前文所说，金属和半导体材料之间的界面会产生了一种叫做金属诱导的间隙(MIGS)状态现象，抑制电荷载体的流动。而属于半金属的铋（Bi）材料，电子特性介于金属和半导体之间，可以有效消除了电荷流通的问题。
目前，台积电技术研究部门已经开始“铋（Bi）沉积制程”技术的研究，这项研究已经成为未来1nm工艺的突破所在。
通过这项技术，研究人员可以设计出具有非凡性能的微型化晶体管，可以有效满足了未来晶体管和芯片技术路线图的要求。
超薄半导体材料的成功验证，给我们展现出下一代半导体的无限潜力 ，未来的计算机或者会随着超薄半导体材料的成熟展现出全新的姿态。
同时我们也要看到，台积电、IBM都在积极抢占1nm先进制程工艺。
关于下一代半导体的竞争已经悄然开始 。
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