半导体是谁发明的?

法拉第发现的，不是发明。

1833年，英国科学家电子学之父法拉第最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但法拉第发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次发现。

不久，1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生一个电压，这就是后来人们熟知的光生伏特效应，这是被发现的半导体的第二个特性。

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半导体的应用：

最早的实用“半导体”是「电晶体（Transistor）/二极体（Diode）」。

1、在无线电收音机（Radio）及电视机（Television）中，作为“讯号放大器/整流器”用。

2、发展「太阳能（Solar Power）」，也用在「光电池（Solar Cell）」中。

3、半导体可以用来测量温度，测温范围可以达到生产、生活、医疗卫生、科研教学等应用的70%的领域，有较高的准确度和稳定性，分辨率可达0.1℃，甚至达到0.01℃也不是不可能，线性度0.2%，测温范围-100~+300℃，是性价比极高的一种测温元件。

4、半导体致冷器的发展, 它也叫热电致冷器或温差致冷器, 它采用了帕尔贴效应.

参考资料来源：参考资料来源——半导体

中国源（原）子d之父是钱三强，钱三强原名钱秉穹，核物理学家。原籍浙江湖州，生于浙江绍兴， 中国原子能科学事业的创始人，中国“两d一星”元勋，中国原子d之父，中国原子能科学之父。

1932年，毕业于北京大学预科。1936年，毕业于清华大学。1939年钱三强完成了博士论文——《α粒子与质子的碰撞》。1946年底，荣获法国科学院亨利·德巴微物理学奖。

1948年，任清华大学物理系教授，中国科学院副院长兼浙江大学校长，中国科协副主席、名誉主席，中国物理学会副理事长、理事长。

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国外原子d之父罗伯特·奥本海默介绍

著名美籍犹太裔物理学家、曼哈顿计划的领导者，美国加州大学伯克利分校物理学教授（1929-1947年），被誉为人类的“原子d之父”。

曼哈顿计划期间，1943年奥本海默主持创建了美国洛斯阿拉莫斯国家实验室并担任主任，而后于1945年7月主导制造出了世界上第一颗原子d，因此被誉为“原子d之父”。

第二次世界大战后，奥本海默曾短暂执教于美国加州理工学院，之后来到美国普林斯顿高等研究院（IAS）工作并担任院长（1947年-1966年）。

参考资料来源：百度百科——钱三强

参考资料来源：百度百科——罗伯特·奥本海默