p-n结注入式半导体激光产生机理及基本条件

p-n结注入式半导体激光产生的机理：注入非平衡载流子→载流子复合→受激发光。

基本条件：①半导体高掺杂，使得能够产生载流子数目反转；②设置谐振腔。

请详见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的“半导体的复合发光”。

同质结注入发光原理：同种本征半导体单晶通过掺杂成为N型和P型，让其互相接触遍成为同质结。P—N结部分为势垒区，当没有加载电压时，P区和N区的多数载流子空穴和电子，由于势垒阻挡而无法流动。当给P—N结加正向电压，会导致势垒降低，势垒区变窄。这时处于N区的多数载流子，也就是电子就会注入P区；P区的载流子，也就是空穴，会注入到N区，所以空穴在N区，电子在P区，就成为少数载流子。这些少数载流子会和相应区的多数载流子复合，从而有电子从导带跃迁到价带，辐射出光子。这就是同质结注入的发光原理。

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