重磅！张汝京离职芯恩，入职积塔半导体

5月17日消息，据相关媒体报道，张汝京博士已离职青岛芯恩半导体，现任职上海积塔半导体有限公司执行董事一职。

张汝京博士，被誉为中国半导体发展之父。

张汝京博士先后创办了中芯国际、新升半导体、芯恩这三家公司：中芯国际是大陆第一家半导体制造企业；新升半导体是大陆第一家300mm大硅片企业；芯恩集成是大陆第一家CIDM模式的企业。

另外，大陆半导体领域诸多企业的CEO、CTO、COO等高管，均来自于他带领的团队。

积塔半导体成立于2017年，注册地位于临港，是一家特色工艺集成电路芯片制造企业，专注模拟电路、功率器件所需的特色生产工艺研发与制造，所生产的BCD、IGBT/FRD、SGT/MOSFET、TVS、SiC 器件等芯片广泛服务于 汽车 电子、工业控制、电源管理、智能终端，乃至轨道交通、智能电网等高端应用市场。公司通过了ISO 9001、VDA 6.3 (Grade A)、IATF 16949、ISO 14001、ISO/IEC 27001等质量、环境及信息安全管理体系认证，是国内最早从事 汽车 电子芯片、IGBT芯片制造企业，在模拟电路、功率器件芯片代工领域具有领先地位。

2021年11月30日，积塔半导体宣布完成80亿元人民币战略融资。

今年5月，积塔半导体在疫情下仍维持高产能运转，已经明确将在上海临港投资二期项目，据官方消息称，新增固定资产投资预计超过260亿元。

斯达半导成立于2005年4月，公司自成立以来专注于以IGBT为主的功率半导体芯片和模块的设计研发和生产，主要产品为IGBT模块。目前公司主要技术骨干全都来自国际知名高校的博士或硕士，在IGBT芯片和模块领域有着先进的研发和生产管理经验，是国内唯一一家进入全球前十的IGBT模块供应商。

公司产品以IGBT模块为主，其中核心系列是1200VIGBT模块，占主营业务收入的比例在70%以上，其他产品包括MOSFET模块、整流及快恢复二极管模块等。公司自主研发IGBT芯片及快恢复二极管芯片，芯片制造方面主要选择上海华虹和上海先进半导体两家晶圆厂代工，模块生产则由公司自己承担。Fabless模式减小了投资风险，并加快了产品推向市场的速度。

除了自主研发，公司有部分芯片仍向外采购，主要因为IGBT芯片的客户验证壁垒较高，自研芯片完全替代外采芯片需要时间。公司IGBT自研率正在逐步提升，2016至2018、以及2019年上半年，自主研发的IGBT及快恢复二极管芯片占当期芯片采购总量比例分别为31.04%、35.68%、49.02%和54.10%，自研芯片的使用一方面让公司实现技术和生产全面自主可控，解除对进口芯片的依赖，同时也可以在市场竞争中获得更大的议价权，降低公司生产成本。

公司下游应用行业以三类为主：工业控制及电源行业、新能源行业、变频白色家电行业。

工业控制及电源行业主要包括变频器行业、电焊机行业等；新能源行业包括新能源 汽车 行业、风力发电行业、光伏行业等。其中占比最大的为工业控制及电源行业，2019年上半年占比达到77.92%。此外公司产品在新能源 汽车 的应用中属核心器件，未来增长潜力巨大，过去两年是公司增长最快的应用。

IGBT竞争壁垒来自芯片制造与封装工艺

与数字集成电路工艺不同，IGBT设计相对而言不太复杂，但由于其大电流、高电压、高频和高可靠的要求，加工工艺十分特殊和复杂，需要长时间的工艺积累。IGBT的正面工艺和标准BCD的LDMOS区别不大，但背面工艺要求严苛，IGBT的背面工艺需要减薄6-8毫米，因硅片极易破碎和翘曲，后续的加工处理非常困难。

公司核心优势在于芯片端设计与模块制造，斯达是国内少数自主研发IGBT芯片和快恢复二极管芯片的公司。自2005年成立之初起就专心进行IGBT产品的研发、相关人才的培养和上游产业链的培育。公司在2007年成功完成了IGBT模块关键技术工艺的开发，如真空氢气无气孔焊接技术、超声波键合技术、测试和老化技术等，并于当年成功推出了第一款IGBT模块，其后不断突破大功率、碳化硅、车规级等模块产品。IGBT芯片方面，公司自2012年成功独立研发并量产NPT型IGBT芯片以来，到2018年底公司已量产所有型号的IGBT芯片。

公司采用Fabless模式，将芯片制造环节交由外部晶圆厂代工，模块环节则由自己完成，以此发挥比较优势，更快速地推出成品。IGBT模块工艺较为复杂，设计制造流程较为繁琐，斯达半导体通过十几年的钻研，不仅拥有了先进的制造工艺及测试技术，亦将其成功运用于实际生产中，并在IGBT高端应用领域具备竞争优势，目前已成为国内 汽车 级IGBT模块的领军企业。

IGBT模块是下游产品中的关键部件，其性能表现、稳定性和可靠性对下游客户来说至关重要，因此认证周期较长，替换成本高。对于新增的IGBT供应商，客户往往会保持谨慎态度，不仅会综合评定供应商的实力，而且通常要经过产品单体测试、整机测试、多次小批量试用等多个环节之后，才会做出大批量采购决策，采购决策周期较长。因此，新进入本行业者即使生产出IGBT产品，也需要耗费较长时间才能赢得客户的认可。在国内市场，公司的先发优势明显。

盈利预测与估值

IGBT行业未来在新能源和工控、家电领域应用拉动下仍将保持较高的增长。而中国IGBT产业在本土需求及国产替代趋势下，增速预计较全球更高，而斯达半导体作为国内稀缺IGBT供应商，预计未来几年内保持高增长的确定性较高。

我们预测公司2019~2021年营业收入为7.63亿、9.89亿、12.83亿元，同比增长12.94%/29.69%/29.74%；归母净利润为1.29亿、1.69亿、2.22亿元，同比增长33.02%/31.57%/31.39%。

在同行业横向比较，可以参照扬杰 科技 、捷捷微电、闻泰 科技 估计做对比，给与2020年60倍市盈率，对应股价为60元左右比较合理，但考虑到半导体和公司稀缺性，最高给予不超过80倍市盈率，股价不能高于85元。

今天收盘之后，

市场结构已经非常清晰，

超级清晰，

总龙头：联环药业>泰达股份

补涨龙：世纪天鸿、道恩股份

关于总龙头到底是联环药业，

还是泰达股份，

市场分歧很大，

大家各执一词。

就目前而言，

我还是认为联环是总龙头的概率大于泰达。

我旗帜鲜明的看好明天疫情走二波，

看好明天市场会有很多超级大长腿，

会出现暴力反d，

明天随便低吸一只，

真的有大肉，

而且是超级大肉。

明天接力的主要方向如下。

方向1：干总龙头赌二波

目标股当然是联环药业，

该股我已经连续几天提示大家勇敢低吸，

明天直接低吸赌板。

方向2：干补涨龙接力

目标股是世纪天鸿、道恩股份，

明天最少有一只能继续连板，

也可能2只都继续板。

明天市场选择哪只就干哪只，

开的不高就低吸赌板，

开的高，就放量换手板介入。

方向3：干强势股二波

太立 科技 亚光 科技 ，玉禾田

这三只都是分支龙，

今天走的较为逆势，

明天有涨停预期，

如果看好就直接低吸赌板。

方向3：低吸赌大长腿或地天板

明天走大长腿的股票最多，

明天竞价低吸的话，

收盘基本上都能吃肉，

而且有些股票会有超级大肉，

十几个点的大肉，

甚至20%的地天板大肉也有机会出现。

博腾股份、四环生物、会畅通讯、太龙药业、哈药股份、振德医疗、尚荣医疗，

超级大长腿或涨停板，

从这几只股票中产生的概率最大。

明天的大肉机会就在以上4个方向。

你可以选择分仓介入，

每个方向都干一只。

也可以选择集中仓位干龙头或低吸大长腿。

联环药业，

总龙头，

明天有涨停启动二波预期，

激进的就直接低吸赌板，

追求确定性的就打板介入。

泰达股份，

量太几把大了，

但也不至于套人，

会给小亏小赚出局的机会，

如果今天你低吸了，

明后天冲高不板就走人。

世纪天鸿、道恩股份，

是2只补涨龙，

明天至少有一只能晋级连板，

市场选择哪只就干哪只。

秀强股份、奥特佳，

明天应该有一只能晋级连板，

但属于持筹者盛宴，

再去接力就没屌意思了。

模塑 科技 ，

后面还有一次涨停反包预期，

但后面已经没啥行情了，

明天冲高或反包都是卖点。

IGBT芯片技术发展

从20世纪80年代至今，IGBT芯片经历了7代升级，从平面穿通型(PT)到沟槽型电场-截止型(FS-Trench)，芯片面积、工艺线宽、通态饱和压降、关断时间、功率损耗等各项指标经历了不断的优化，断态电压也从600V提高到6500V以上。IGBT技术的整体发展趋势是大电流、高电压、低损耗、高频率、功能集成化、高可靠性。

不同代际IGBT芯片产品对比

随着技术的升级，IGBT芯片面积、工艺线宽、通态功耗、关断时间、开关功耗均不断减小，断态电压由第一代的600V升至第七代7000V。

不同代际的IGBT芯片产品应用情况也有所不同：

中国IGBT芯片企业技术布局

中国IGBT产品与国际巨头英飞凌、三菱电机等差距在10年以上，步入第5代后，预计差距将缩短为10年，第6/7代产品差距将在5年以内。从中国IGBT芯片行业代表性企业从技术格局来看，斯达半导应用第七代IGBT技术，电压覆盖范围为100-3300V华微电子布局第六代IGBT技术，电压覆盖范围为360-1350V士兰微、时代电气、宏微科技应用第五代IGBT技术新洁能主要应用第四代IGBT技术。

IGBT芯片行业科研投入水平

以宏微科技、斯达半导、士兰微、时代电气为主要代表企业分析，2018-2021年，我国IGBT芯片行业研发费用从0.1元到19亿元不等，研发费用占营业收入比重整体不超过15%。其中，时代电气在科研投入规模和占比均位于行业前列，2021年，公司研发投入为17.85亿元，占收入比重的11.81%。

IGBT芯片技术“门槛”高，不仅涉及设计、制造、封装三个高精尖技术领域，而且难度大、周期长、投入高。高铁、智能电网、新能源与高压变频器等领域所采用的IGBT模块规格在6500V以上，技术壁垒较强IGBT芯片设计制造、模块封装、失效分析、测试等IGBT产业核心技术仍掌握在发达国家企业手中。我国要想实现IGBT芯片的技术突破，企业需要持续增加研发投入，减少与国际头部厂商IGBT芯片的代际差异。

中国IGBT芯片行业技术趋势

从行业整体发展规律而言，IGBT发展趋势主要是降低损耗和降低成本。

从结构上讲，IGBT主要有三个发展方向：

1)IGBT纵向结构：非透明集电区NPT型、带缓冲层的PT型、透明集电区NPT型和FS电场截止型

2)IGBT棚极结构：平面棚机构、Trench沟槽型结构

3)硅片加工工艺：外延生长技术、区熔硅单晶。

以上数据来源于前瞻产业研究院《中国IGBT芯片行业市场前瞻与投资战略规划分析报告》

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