（2009?盐城模拟）在一个很小的矩形半导体薄片上，制作四个电极E、F、M、N，它就成了一个霍尔元件（如图

（1）根据左手定则，电子向N端偏转，则M点电势高                         ①

（2）设前后两个表面相距为L，电子所受的电场力等于洛仑兹力

e

UH

L

＝evB                      ②

设材料单位体积内电子的个数为n，材料截面积为s

I=nesv                       ③

s=dL 　④

由②③④得：

UH＝

BI

ned

                     ⑤

令k＝

1

ne

，则   UH＝k

BI

d

       ⑥

（3）增大电流I、减小厚度d 和减小截流子的密度    

答：（1）M点电势高．

（2）证明如上所示．

（3）增大电流I、减小厚度d 和减小截流子的密度

半导体有导带和价带,自由电子在导带中,可以自由运动,则能够导电,这是电子导电.

在价带中的价电子不能自由运动（受到共价键的束缚）,不是载流子——不能导电；但价电子离开价带、到达导带之后,它所留下的空位则在外电场作用下可以自由运动,是一种虚拟的导电粒子——空穴,空穴产生的导电就是空穴导电.

1、用霍尔效应：两端通电，在内部会形成稳定电流，但在半导体的上下表面是没有电位差的；然后在半导体的两个对面的侧，加一个面磁场，这个时候在半导体另两个侧面上会形成电势差（因为内部的载流子在磁场作用下发生了偏转），因为N型半导体载流子是电子，故根据电流的方向和两个侧面的电位高低就可以进行判断。2、如果条件允许，你找一个掺杂已知的半导体，然后把他们粘到一起，组成个整体结，分别测两端电流导通情况，如果出现不能导通情况，则说明未知的和已知的相反，如果都导通，则相同。

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