CDM项目为什么不存在了

你想问的问题是cdm模式失效的条件吗。

CDM失效模式已经逐渐成为一个突出的问题，原因在于：第一，随着芯片工艺的进步，工作速度加快了，但芯片也变得脆弱了。集成度的提高使得器件尺寸越来越小，器件之间的连线宽度越来越窄，钝化层越来越薄，这些因素都会时芯片对静电放电的敏感性也越大。一个不太高的电压就能将晶体管击穿，一个微小的ESD电流就能将连线熔断，使得半导体器件失效，增加科研成本；第二，通过测量CDM模式的静电放电波形，能够通过检查检测后的器件性能表现可以判断器件是否失效；第三，通过分析放电波形的峰值、周期等参数对半导体器件性能是否失效进行分析，从而提出避免器件失效的预防措施。因此，提出基于CDM模式可以手动 *** 作的静电放电的测试系统及方法十分必要。

cdm跑分可以通过测试来查看，具体有两个步骤。

打开CrystalDiskMark软件，测试前会生成一一个测试文件，大小取决于用户设置，一般来说，设置的越大，数据缓存起到的干扰越小，成绩更能反映效果。第二步就是设置完成后进行跑分测试。

CrystalDiskMark是测试固态硬盘跑分性能的常用软件，可以下载一个汉化版,方便英语水平不佳的人直观理解固态硬盘各项指标性能。

产品通过型测试包括人体模型（HumanBodyModel,HBM）、机器模型（MachineModel,MM）、元件充电模型（ChargedDeviceModel,CDM）等器件级测试，IEC国际电工委员会IEC61000-4-2标准定义的接触放电和空气放电系统级测试。器件级HBM、MM、CDM测试的目的都是保证IC在制造过程中不受损坏，而IEC61000-4-2规定的系统级测试则用于模拟现实世界中的终端用户ESD事件，衡量终端用户电子产品的ESD性能。

（1）人体模型

HBMESD事件描述的放电过程为：人体在地上走动摩擦积累静电，当人直接接触到接地的器件，人体静电传递到器件放电到地。该过程可以被仿真为从一个预充电的电容CESD通过RESD放电到测试器件DUT的过程，CESD=100pF，RESD=1.5kΩ。

（2）机器模型

MMESD事件描述的放电过程为：积累静电的金属机器接触到接地的电子元器件，器件放电到地。该过程放电过程寄生电阻几乎为零，ESD峰值电流高于HBMESD事件，等效电路中的CESD≈200pF，RESD≈0Ω。

（3）元件充电模型

CDMESD事件描述的放电过程为：IC元器件内部因摩擦等原因积累静电，此IC在各种 *** 作过程中接触到地面时，静电荷泄放到地。CDM放电时间约几毫秒，放电电流高达几十安培。其等效电路中的CESD≈6.8pF，RESD≈1Ω。

（4）IEC模型

系统级ESD测试的目的是模拟用户在使用产品过程中的ESD放电是否会影响产品的功能和性能。接触放电测试是IEC标准测试的首选方法，当ESD测试q无法直接接触被测器件或被测系统时，可采用空气放电测试。IEC模式的放电等效电路与HBM类似，只是CESD=150pF，RESD=330Ω，ESD脉冲上升时间极短（0.7~1ns），峰值电流远高于HBMESD事件。

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