从2018年末荷兰ASML光刻机公司工厂的一场火灾开始，中芯国际的光刻机进口之路开始波折起伏，其花费近8.2亿购买的一台EUV深紫外光刻机，是否会延迟交付我们不得而知。但经过一整年时间，荷兰出口EUV光刻机到中国的许可证由于到期，到现在也迟迟没有续期，导致EUV光刻机交付进一步推迟。而中芯国际制造7纳米芯片所用的关键设备，EUV光刻机则是重中之重，可以说没有这台EUV光刻机， 中国整个7纳米半导体的研发进程将会受阻。难道中国赶超美韩高精度、先进半导体芯片的脚步将会止步于此吗？
出品|国器
中芯国际14纳米芯片已经量产下一代制程工艺也在研发当中
根据中芯国际对外公开的财报显示，国内首条14纳米芯片生产线在上海已投入使用，中国14纳米级芯片已经突破量产，而能耗下降20% 、性能提高10%的12纳米级芯片订单已经开始导入，各种现象表示中芯国际已经开始了下一代芯片半导体的研发进程。在7纳米以上的光刻机，ASML公司一直向我国正常供应。目前ASML公司在中国的光刻机市场正在快速崛起，其占全球的市场份额约19%，超过美国16%的份额，可以说中国的光刻机市场是ASML公司不可忽视的，这些因素都关系着双方的未来。
不同纳米级的光刻机决定了芯片的制造精度其功能也受此影响
一根细丝千分之一的机内运行误差，数万个高精度部件，上千万行计算机代码共同构成了一个运行系统，这就是光刻机——被业内人士誉为半导体行业皇冠上的明珠。芯片制造中最为关键的一步就是光刻，其具体功能就是将设计师研发的芯片线路和功能区，通过光刻机的高精度运行，刻在一片圆形硅晶片面上，这些线路就是设计师所规划的芯片运行指令。所以不同纳米级的光刻机决定了不同精度芯片的制造。中国想要攻克7纳米级芯片，必须首先研发出7纳米级的EUV光刻机。
中国国内规模庞大的芯片生产依赖高精度的EUV光刻机
而目前中国拥有的光刻机精度仅能达到45纳米，就连28纳米级我们也正在研发当中，而EUV高精度光刻机的研发更上难上加难。荷兰ASML公司早在20年前就启动了EUV光刻技术的研发工作，而直到去年全球首款7纳米EUV光刻机才正式投入商用。属于第五代光刻机的EUV深紫外光刻机，放眼全球仅荷兰一家掌握制造工艺。目前中国芯片的制造已经逐渐走在各国前列，已经有超1.5万亿的投资落在12英寸的晶圆生产上，不仅如此中国高精度芯片的研发同样处于全球前列，所以对光刻机的需求也是迫在眉睫。
中国近日提前成功攻克了2纳米芯片研发制造的关键技术
就在全球处于7纳米芯片的进一步研发制造时，近日中科院成功攻克了2纳米级芯片所需的关键技术——垂直纳米环栅晶体管，为今后我国2纳米级半导体的研发提前打下了基础，堪称全球首创。从去年台积电攻克3纳米环栅晶体管开始，中国首次在高精度芯片的技术研发上走在世界前列。2纳米芯片的制造生产以及将于2024年投入，而此次2纳米关键技术的攻克破冰，称得上是意义重大。如果ASML公司的EUV光刻机能成功交付，相信中国的芯片研发制造定能走得更远。
半导体行业不仅得到国家的大力扶持，也受到投资者的高度重视，其中南大光电这只股票怎样呢，有投资价值吗，下面我就认真的来展开分析。正式开始谈南大光电以前，我们先一同来看一下这份半导体行业龙头股名单，点开就能查看：宝藏资料！半导体行业龙头股一栏表
一、从公司角度来看
公司介绍：江苏南大光电材料股份有限公司主要从事先进前驱体材料、电子特气、光刻胶及配套材料三类半导体材料产品生产、研发和销售，是MO源产业化生产的企业,也是全球主要的MO源生产商，其主要产品有MO源产品、高纯ALD/CVD前驱体、OLED材料等。南大光电依托企业自主创新平台，全面推进研发创新能力建设，自主研发的多个产品获得"高新技术产品认定证书"、"国家火炬计划项目证书"等荣誉。
简单的对南大光电进行介绍之后，下面将从优秀的地方开始分析，了解一下投资南大光电会不会亏。
亮点一：自主研发ArF光刻胶产品，加速公司光刻胶业务发展
公司成功自主研发出国内首支通过客户认证的ArF光刻胶产品，实现了国内ArF光刻胶从零到一的跨越，并且公司目前已完成两条光刻胶生产线的建设，每年都会生产出来25吨光刻胶。近期，ArF光刻胶产品已获得小批量订单，在光刻胶国产化的大趋势下，光刻胶业务将带动公司业绩创建一个新的成长空间。
亮点二：多维度布局半导体材料，技术优势明显
电子特气方面，新一代安全源、混气产品相继产业化，最新升级的超高纯砷烷产品品质在测试中已超过目前国际先进同行的技术水平，超高纯磷烷产品也踏进国际一流制程的芯片企业，公司氢类电子特气已高居世界榜首了。MO源方面，公司通过提升MO源超纯化和超纯分析技术实现了在第三代半导体领域的新应用市场增长，高纯ALD/CVD前驱体产品也实现批量供货国内外先进半导体企业。因为文章字数有所限制，这篇研究报告把关于南大光电更深入的分析和潜在风险都详细写了，点开便能看到：【深度研报】南大光电点评，建议收藏！
二、从行业角度看
十四五规划提到要对人工智能、量子信息、集成电路等项目进行扶持，这是非常好的。最近这几年，美国跟其他国家一直联手对中国进行高科技封锁，干扰我们中国设备和技术迈出国门，美国的这种做法让国内市场对半导体技术国产化的需求增加了不止一点点，也从而使国内半导体全产业链的发展得到了推进。
光刻胶方面：在供给端中，受晶圆厂扩产、疫情等因素的影响，光刻胶供给出现紧缺局面。在供应链中，国内多家国内晶圆厂也在积极增加每日产量，国内光刻胶需求量要比生产量大很多，两者的差距还在连年上升，尤其是在ArF、高端KrF等半导体光刻胶这一块，光刻胶作为"卡脖子"产品在对国产替代方面的需求量在不断激增 。
综合来说，作为高科技产业的半导体行业，在我国非常受关注，南大光电作为行业的标杆，发展的空间将非常大。可是文章存在延时性，假如想要更精确地了解南大光电未来行情，点击网址进去，就有专业投资顾帮你诊断股票，看下南大光电估值是高估还是低估：【免费】测一测南大光电现在是高估还是低估？
应答时间：2021-10-04，最新业务变化以文中链接内展示的数据为准，请点击查看
在6月12日在日本京都召开的2019年度"VLSI和电路技术专题研讨会上，瑞萨展示了业界首款基于65nm SOTB技术的嵌入式2T-MONOS（双晶体管-金属氧化氮氧化硅）闪存的相关测试结果。基于SOTB的新技术已在瑞萨R7F0E嵌入式控制器中所采用，该控制器专门用于能量采集应用。
2003年由日立和三菱电机合并成立了瑞萨电子。
2010年4月1日，NEC电子和瑞萨电子合并，成为了全球第一的MCU供应商，也是SoC系统晶片与各式类比及电源装置等先进半导体解决方案的领导品牌之一。在成立之时一跃成为全球第三大半导体公司，仅次于英特尔和三星。
然而瑞萨电子合并后的几年路走的并不顺，从成立时的全球半导体老三的位置一路挣扎，在2014年跌出了全球前十。
2016年，瑞萨开始下注 汽车 行业，并以32亿美元收购Intersil，引入了模拟与混合信号芯片产品线，盈利才逐渐上来。2017年，瑞萨占据了全球20%的MCU市占率。
去年9月11日，瑞萨宣布以约67亿美元收购美国模拟芯片大厂IDT，这个收购被认为是为了应对 汽车 领域的老对手NXP的威胁。在智能手机市场增长下滑的今天，预计 汽车 市场将是未来半导体厂商最大的细分市场。然而在2018年，意法半导体(STMicroelectronics)、英飞凌(Infineon)和NXP的 汽车 业务收入均出现增长，而瑞萨(Renesas)的 汽车 业务收入却较2017年有所下降。
与最接近的竞争对手相比，瑞萨是唯一一家在2018年 汽车 业务营收出现下滑的供应商，这不仅让人感觉到一丝意外
瑞萨电子中国董事长真冈朋光认为，瑞萨在2018年已经预计到了市场需求疲软的现状，同时也根据需求下滑进行了相对应的措施，如调整工厂产能。此外这不仅仅是瑞萨电子一家企业的事情，还需要跟代理商和销售渠道不断的加强沟通。"我们的客户对市场的未来也比较谨慎。因为不由厂商控制的情况太多了，比如现在的中美贸易摩擦的问题，没有人能预计到，但就是发生了。"真冈朋光认为，中美贸易摩擦这种不可控的事情发生，对瑞萨的客户影响是很明显的，因此瑞萨需要不断调整自己去适应市场的变化。
目前对于瑞萨来说，最重要的事情是尽快适应与IDT的并购，以及实现"1+1大于2"的效果。
据IDT的财报，近些年其毛利率在60%以上，2014—2018年复合增长率更是高达14.8%，而且其技术和产品恰好符合瑞萨电子下注的 汽车 业务，其数据中心与通信基础设施也会为瑞萨开辟更大的市场。2019年瑞萨与IDT的收购案终于达成，瑞萨也一跃成为日本最大的半导体公司。
目前瑞萨全球销售额7600亿日元，全球19000员工。从财报来看，瑞萨电子收入7570亿日元。
"面向 汽车 电子的半导体产品是瑞萨的代表业务。从应用领域来看， 汽车 领域销售额约占总销售额的一半，很难找到一辆完全不使用瑞萨电子产品的 汽车 。"——这是瑞萨电子中国董事长真冈朋光在今年举行的CITE中国信息博览会上的发言。
汽车 市场当然是瑞萨最重要的市场之一。根据srategy Analytics2018提供的数据，瑞萨电子在2017年的 汽车 MCU/SOC市场份额众，包括动力总成、xEV、车身、底盘与安全、信息 娱乐 &仪表相关的车用芯片均排名第一。
此外，2017年瑞萨发布了一个ADAS及自动驾驶平台Renesas Autonomy，同时发布的还有R-CarV3M SoC，该芯片配有2颗ARM CortexA53、双CortexR7锁步内核和1个集成ISP，可满足符合ASIL-C级别功能安全的硬件要求，能够在智能摄像头、全景环视系统和雷达等多项ADAS应用中进行扩展。除了R-Car系列产品外，瑞萨也有针对雷达传感器的专业处理器芯片如RH850/V1R-M系列。
应该说R-Car系列是瑞萨进军自动驾驶的切入点。此前推出的第三代产品R-CarH3/M3已经具有L2等级的自动驾驶需求。只不过作为一家日系公司，瑞萨在自动驾驶领域的布局显得异常低调。
作为日本最大的半导体厂商，瑞萨的目标绝不仅仅是 汽车 市场，物联网市场也是瑞萨的布局重点。
5月28日，瑞萨电子2019产品及系统方案研讨会——厦门站正式召开。在此次活动上，瑞萨不仅展示了自己的多款嵌入式解决方案，还首次展示了IDT的多款物联网解决方案，以及融合了瑞萨与IDT双方技术的系统级解决方案。
瑞萨切入物联网领域，在今年重点推广的主要有两大技术：DRP技术和低功耗的SOTB技术。
提到瑞萨在物联网领域的布局，不得不提到瑞萨在今年重点推广的DRP技术和低功耗的SOTB技术。
DRP技术，简单来说就是本地的嵌入式AI解决方案，可以取代以往的云端AI计算能力。
在商汤、旷视等各大AI芯片厂商以及Nvidia、Intel、高通等传统半导体厂商纷纷布局嵌入式AI的今天，瑞萨的DRP有什么亮点呢？
据了解，瑞萨独有的DRP技术，是一种动态可编程的处理器，可以按照不同的时间把动态逻辑编程，这特别适合应用在图像处理等应用上。DRP中有AI -MAC，有大量的计算单元，可以来实现卷积运算。
此外，相比目前市场上的通用的嵌入式AI芯片，如MCU、DSP、FPGA，瑞萨DRP可以做到10~100倍的强大处理能力，而功耗则降低很多。据了解，这个DRP的主频只有60Mhz，而处理能力则比A9 MCU要快13倍。
SOTB技术，则是一种极低功耗技术，可以让MCU的电流消耗降低到传统电流的十分之一。简单来说，这种技术让不需要电池的模式成为可能。
由于采用了无掺杂的晶体管，对比传统的平面式晶体管的淤积特性变化，可以在超低电压下进行稳定的 *** 作，比如0.5伏左右。如果传统的MCU采用3V的纽扣电池供电，可能一个月后就没电了。
如果采用STB技术到MCU，由于本身需要的电流非常低，可能3μA就够了，这个功耗几乎可以忽略不计，可以实现无间断的工作。再配合低功耗的DRP嵌入式AI方案，整个系统就可以做到低时延、安全、低功耗。瑞萨电子也强调，其超低功耗的产品可保证设备10年左右不换电池，这是其技术优势所在。
陈建明部表示，SOTB技术的推广将分三步走，第一步主要是替换需要更换电池的各类MCU应用；第二步预计到2021年在蓝牙BLE中增加带SOTB功能的MCU。比如智能家电、智能楼宇等。第三步则将SOTB和E-AI技术共同加入进来，做成完整的解决方案，在农业、智能交通等领域都可以用到。
在6月12日在日本京都召开的2019年度"VLSI和电路技术专题研讨会上，瑞萨展示了业界首款基于65nm SOTB技术的嵌入式2T-MONOS（双晶体管-金属氧化氮氧化硅）闪存的相关测试结果。基于SOTB的新技术已在瑞萨R7F0E嵌入式控制器中所采用，该控制器专门用于能量采集应用。与非SOTB 2T-MONOS闪存（约需50μA/MHz读取电流）相比，新技术实现的读取电流仅6μA/MHz左右，等效于0.22 pJ/bit的读取能耗，达到MCU嵌入式闪存最低能耗级别。这项新技术还有助于在R7F0E上实现20μA/MHz的低有效读取电流，达到业界最佳。
值得一提的是，能量收集技术的迅猛发展，使智能穿戴设备的自我供能有望成为现实。比如手环、耳机等可穿戴设备目前受限最大的就是功耗问题，而瑞萨下一步将在蓝牙BLE中增加带SOTB功能的MCU，很明显穿戴产品将大大受益。
我们有理由展望不久的未来，采用瑞萨的SOTB技术的能量采集系统将在智能手表等穿戴类设备中大显神威。
欢迎分享，转载请注明来源：内存溢出
微信扫一扫
支付宝扫一扫
评论列表（0条）