主要特点
◆ 本设备为气氛保护炉，保护性气氛H2、Ar、N2等
◆ 设备具有连续工作性，保证生产效率高。
◆ 炉体可靠密封，防止炉内气氛外泄，保证设备环境安全。
◆ 独特的气帘设计，确保炉外空气与炉内氢气隔绝，具备高度安全性。
◆ 对于带有炉门的氢气隧道炉，配有性能可靠的点火装置，确保炉门打开时及时点火形成火帘，阻止炉外空气进入炉内，保证炉子安全。
◆ 多温区控制炉温，方便调整工艺曲线。温度控制采用智能温控仪自动控制。
◆ 根据工艺的不同要求，工件传输速度可调。
◆ 根据用户特殊需求可配置加湿器。
◆ 根据用户不同需求提供各种规格的设备。
技术指标
◆ 工件传动方式可选择形式：网带式、链式、底辊式、推板式。
◆ 加热方式可选择：内热式、外热式。
◆ 炉芯管可选择：背弓式、直通式。
◆ 最高温度：根据处理材料和工艺设定
◆ 截面温度均匀性：±（3-5）°C（动态）
◆ 温区控制：根据客户需要多段加热，满足工艺曲线要求。
◆ 加热控制：温控仪自动控制。
◆ 可根据客户需要配置工件托架（推板等）自动返回系统两端设有气幕和机械幕帘。
上海金克半导体设备有限公司成立于1994年6月，是一家集科研、开发、制造、销售为一体的台湾独资生产型企业。主要从事生产、销售贴片式整流二极管、桥式整流器、轴式二极管、及相关电子元器件材料和半导体设备，并且配备相关电子模具生产车间。公司成立至今，本着对电子行业的促进与发展，不断的致力于技术创新和设计改良。经中华人民共和国国家知识产权局及台湾经济部智慧财产局审批，先后获得以下发明专利：
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1999年,获得贴片式半导体元件SMD先打扁新型结构专利权。此新型结构设计能大大减少晶粒在封装过程中所受的应力。
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2007年,获得TO-220新型结构专利权。此新型结构设计使TO-220本体更小，从而节约安装空间；圆柱型引脚设计可360°弯折，满足客户无限空间设计。
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2008年,获得用于二极管加工焊接的碳精石墨焊接板专利权。此石墨焊接板在二极管制作过程中能实现孔径定位引线焊接，使得晶粒定位更精准。
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2008年,获得TO-220新型结构制备方法及结构专利权。新结构制备方法提高了产品品质，缩短生产制程，资源得到有效节约。
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2008年,获得内控真空焊接炉专利权。使用此创新内控真空炉焊接，无需添加助焊剂，避免晶粒受污染，且氮气用量仅为普通隧道炉用量的1/1000。
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2008年,获得贴片式半导体元件SMD先打扁新型结构专利权。此新型结构设计能大大减少晶粒在封装过程中所受的应力。
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2008年,获得贴片式半导体元件SMD先打扁新型结构制备方法专利权。新结构制备方法提高了产品品质，缩短生产制程，资源得到有效节约。
这些创新发明主要通过对石墨焊接板的结构改良、晶体管组合结构的改进及焊接炉的新型设计，使得二极管的品质提高，空间设计柔韧度增强，耗材减少，从而给您提供更优化的产品性价比！
社会在不断进步，我们将不懈努力，开创更多的新技术，与您共同发展！
2.二极管是最早诞生的半导体器件之一，其应用非常广泛，特别是在各种电子电路中，利用二极管和电阻、电容、电感等元器件进行合理的连接，构成不同功能的电路，可以实现对交流电整流、对调制信号检波、限幅和钳位以及对电源电压的稳压等多种功能。3.在二级管使用时，经常需要对二极管进行封装，二极管封装指把硅片上的电路管脚，用导线接引到外部接头处，以便与其它器件连接。
4.在现有技术中，对二极管的封装多采用双片式工艺进行封装，即两片矩阵式料片结构，芯片在中间的封装结构，这种二级管封装结构对两片矩阵式料片平整度要求较高，为了让两片料片贴合更好，需要使用治具压住两片料片进行过炉焊接，焊接前后应力变化较大。
5.因此，有必要提供一种二极管封装结构及其封装工艺解决上述技术问题。
技术实现要素：
6.本发明提供一种二极管封装结构及其封装工艺，解决了二极管封装结构在焊接前后的应力变化大，导致芯片使用时存在潜在的质量隐患的问题。
7.为解决上述技术问题，本发明提供的二极管封装结构及其封装工艺包括：
8.塑封体；
9.第一料片，所述第一料片设置于所述塑封体的一侧；
10.第二料片，所述第二料片设置于所述塑封体的一侧；.
11.跳线，所述跳线设置于所述第一料片和所述第二料片之间；
12.芯片，所述芯片设置于所述第一料片与跳线之间。
13.优选的，所述第一料片和所述第二料片均采用纯平面式设计，表面无弯折。
14.优选的，所述第一料片上开设有用于减少折弯成型拉扯力对所述芯片造成损伤的异形和穿通口。
15.优选的，所述第一料片和第二料片的末端设置有防水沟，用于阻挡所述第一料片与第二料片和胶体之间有水渗入。
16.一种二极管的封装工艺，包括以下步骤：
17.s1：组件生产，铜带通过高速冲床和模具冲切，同时生产出铜料片和跳线；
18.s2：组件装配，采用全自动一体机进行装配，将铜料片、跳线、芯片和锡膏自动组装在一起，形成矩阵式料片，再经过隧道炉烧结，再经过压机模具对矩阵式料片塑封；
19.s3、工艺处理，对经过压机模具对料片塑封后，对料片金属表面处理，切脚成型，然后形成二极管。
20.与相关技术相比较，本发明提供的二极管封装结构及其封装工艺具有如下有益效
果：
21.本发明提供一种二极管封装结构及其封装工艺，采用clip工艺为单片矩阵式料片结构，芯片通过clip搭接在第一料片另一引脚上，形成整体，clip自身重力自然贴合在芯片和第一料片上，焊接前后的应力影响很小，并且由于铜材和焊锡使用量大，导电散热效果更好，不但可以更加方便二极管的封装，而且极大的改善了矩阵式料片二极管封装前后应力变化大的弊端。
附图说明
22.图1为本发明提供的二极管封装结构及其封装工艺一种较佳实施例的结构示意图；
23.图2为图1的拆解示意图；
24.图3为图2所示封装正视部分的内部结构示意图；
25.图4为图2所示塑封体侧侧视图；
26.图5为本发明提供的二极管封装工艺的流程图。
27.图中标号：
28.1、塑封体，2、第一料片，3、第二料片，4、跳线，5、芯片；
29.9、送料装置，91、固定座，92、环形台，93、环形台，94、圆形挡板，95、弧形挡板；
30.10、安装槽，11、配合槽，12、步进电机，13、弧形槽，14、导向轴，15、调节d簧，16、凹槽，17、导向孔。
具体实施方式
31.下面结合附图和实施方式对本发明作进一步说明。
32.请结合参阅图1、图2、图3、图4和图5，其中，图1为本发明提供的二极管封装结构及其封装工艺一种较佳实施例的结构示意图；图2为图1的拆解示意图；图3为图2所示封装正视部分的内部结构示意图；图4为图2所示塑封体侧侧视图；图5为本发明提供的二极管封装工艺的流程图。二极管封装结构及其封装工艺包括：塑封体1；
33.第一料片2，所述第一料片2设置于所述塑封体的一侧；
34.第二料片3，所述第二料片3设置于所述塑封体的一侧；.
35.跳线4，所述跳线4设置于所述第一料片2和所述第二料片3之间；
36.芯片5，所述芯片5设置于所述第一料片2与跳线4之间。
37.所述第一料片2和所述第二料片3均采用纯平面式设计，表面无弯折。
38.采用纯平面式的第一料片2和第二料片3，更加方便各种工艺和加工。
39.所述第一料片2上开设有用于减少折弯成型拉扯力对所述芯片5造成损伤的异形和穿通口。
40.所述第一料片2和第二料片3的末端设置有防水沟，用于阻挡所述第一料片2与第二料片3和胶体之间有水渗入。
41.通过在第一料片2和第二料片3的末端设置的防水沟，可以为二极管封装时，提升密封能力和防水能力。
42.二极管采用clip工艺，clip有两种结构，一种为散粒式,一种为条带式，散粒式
clip是通过自动化设备使用取放头吸取贴放，条带式clip是通过自动化设备自动裁切后再吸取贴放。
43.clip使用插入式与料片贴合，料片上设计有凸点，clip上设计有卡槽，贴合后可以有效防止跳线偏位。
44.clip正面与芯片连接的部位使用正方形凸点，和正方形芯片贴合更好，较之圆形凸点增大了接触面积。
45.一种二极管的封装工艺，包括以下步骤：
46.s1：组件生产，铜带通过高速冲床和模具冲切，同时生产出铜料片和跳线；
47.s2：组件装配，采用全自动一体机进行装配，将铜料片、跳线、锡膏自动组装在一起，形成矩阵式料片，再经过隧道炉烧结，再经过压机模具对矩阵式料片塑封；
48.s3、工艺处理，对经过压机模具对料片塑封后，对料片金属表面处理，切脚成型，然后形成二极管。
49.使用全自动化设备组装，精度更高，更稳定可靠，是目前对大多数终端客户指明要求的工艺。
50.与相关技术相比较，本发明提供的二极管封装结构及其封装工艺具有如下有益效果：
51.采用clip工艺为单片矩阵式料片结构，芯片5通过clip搭接在第一料片2另一引脚上，形成整体，clip自身重力自然贴合在芯片5和第一料片2上，焊接前后的应力影响很小，并且由于铜材和焊锡使用量大，导电散热效果更好，不但可以更加方便二极管的封装，而且极大的改善了矩阵式料片二极管封装前后应力变化大的弊端。
52.以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其它相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
技术特征：
1.一种二极管封装结构，其特征在于，包括：塑封体；第一料片，所述第一料片设置于所述塑封体的一侧；第二料片，所述第二料片设置于所述塑封体的一侧；.跳线，所述跳线设置于所述第一料片和所述第二料片之间；芯片，所述芯片设置于所述第一料片与跳线之间。2.根据权利要求1所述的二极管封装结构，其特征在于，所述第一料片和所述第二料片均采用纯平面式设计，表面无弯折。3.根据权利要求1所述的二极管封装结构，其特征在于，所述第一料片上开设有用于减少折弯成型拉扯力对所述芯片造成损伤的异形和穿通口。4.根据权利要求1所述的二极管封装结构，其特征在于，所述第一料片和第二料片的末端设置有防水沟，用于阻挡所述第一料片与第二料片和胶体之间有水渗入。5.一种二极管的其封装工艺，其特征在于，包括以下步骤：s1：组件生产，铜带通过高速冲床和模具冲切，同时生产出铜料片和跳线；s2：组件装配，采用全自动一体机进行装配，将铜料片、跳线、芯片和锡膏自动组装在一起，形成矩阵式料片，再经过隧道炉烧结，再经过压机模具对矩阵式料片塑封；s3、工艺处理，对经过压机模具对料片塑封后，对料片金属表面处理，切脚成型，然后形成二极管。
技术总结
本发明提供一种二极管封装结构及其封装工艺。所述二极管封装结构及其封装工艺包括：塑封体；第一料片，所述第一料片设置于所述塑封体的一侧；第二料片，所述第二料片设置于所述塑封体的一侧；跳线，所述跳线设置于所述第一料片和所述第二料片之间；芯片，所述芯片设置于所述第一料片与跳线之间。本发明提供的二极管封装结构及其封装工艺通过采用Clip工艺为单片矩阵式料片结构，芯片通过Clip搭接在第一料片另一引脚上，形成整体，Clip自身重力自然贴合在芯片和第一料片上，焊接前后的应力影响很小，并且由于铜材和焊锡使用量大，不但可以更加方便二极管的封装，而且极大的改善了矩阵式料片二极管封装前后应力变化大的弊端。阵式料片二极管封装前后应力变化大的弊端。阵式料片二极管封装前后应力变化大的弊端。
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