王守武的人物生平

王守武是我国著名的半导体器件物理学家、微电子学家。1980年当选中国科学院学部委员（院士）。我国第一个半导体研究室、半导体器件工厂、半导体研究所和全国半导体测试中心的创建者。

王守武于1919年3月15日出生于江苏省苏州市。孩童时代常被疟疾纠缠，身体状况不好，智力曾一度受到影响。上学后，经常性的病休，持续不断的自学磨练，使王守武从小就养成了寡言、内向的性格，和善于独立思考的习惯。在他4岁时，父亲赴上海与他人合股开办机械厂，家人也随之迁居。不到两年，工厂倒闭，家里分得不少机械加工工具，这却使王守武在家有条件学会钳工和配钥匙、修理家庭用具、绕制变压器等技艺。王守武后来之所以能在科研工作中动手能力强，均得益于那时的培养和磨练。他喜爱数学的父亲，工作之余，常给子女们讲些趣味数学，或出一些智力测验题让孩子们回答。那时，王守武曾随哥姐们听父亲讲过如何求圆周率π的问题，他虽听不懂，但“π”这个无理数的特性，却一直印在他的脑海之中。

1934年，王守武父亲退休后举家迁回苏州。王守武也随之转入省立苏州中学学习。高中三年级时，经过对《三角》、《高等代数》的学习，启迪了他的思维，他从反三角函数的级数展开中，得到了π的计算方法，写成“圆周率π的级数展开”一文，发表在苏州中学的校刊上，显露了他在领悟数理理论方面的过人才华。自此，从事自然科学工作，既符合他父亲的希望，也是他酿就的意愿，渴望在著名大学里得到名师的教诲和严格的科学训练。

1934年父亲自北平中央研究院工程研究所退休后返回上海。后又因留恋故乡情，举家又迁回苏州。王守武也随之转入省立苏州中学学习。王守武高中毕业前夕未曾根治的疟疾再次重犯，耽误了学校的年终考试和苏州全区的毕业会考。靠一张肄业证书，难以像他哥姐们那样入清华大学、燕京大学、协和医学院等名牌学府就读，只得听从曾留学美国的大哥王守竟的建议，进上海同济大学德文补习班学习。一年后，他重回苏州中学参加会考，拿到了高中毕业文凭，才正式成为同济大学机电系的学生。

1941年春天，王守武在昆明郊外的同济大学临时校舍里毕业后，就近在昆明入兄长王守竞任总经理的中央机器厂当了公务员。一年后又入中国工合翻砂实验工厂任工务主任。经过实践，讷于言表的王守武自感不适合从事工厂管理工作，便申请重回母校，在已迁往四川李庄的同济大学任教。

1945年10月王守武负笈远行，横渡大洋，入美国印第安那州普渡大学研究生院攻读工程力学，导师R. M. Sturm，翌年6月荣获硕士学位。王守武各门功课优异，尤以数学成绩最好，受到老师和同学们的赞赏。校方为鼓励王守武继续深造，资助他攻读博士学位。这时，正在兴起的量子力学引起了王守武的兴趣，便从工程力学转向对微观粒子运动规律的研究，导师H. M. James。两年后王守武完成了题为《一种计算金属钠的结合能和压缩率的新方法》的论文，获得了博士学位。后经普渡大学工程力学系主任的敦聘，留校执教。这时他与同在普渡大学留学的葛修怀女士组成了温馨的家庭，过着宁静、舒适的生活。

1950年6月25日朝鲜战争爆发。王守武借“回乡侍奉孤寡母亲”为由，向美国当局递交了回国申请。获得批准后，经印度驻美使馆的协助，很快就办完了离美手续。夫妇二人携不满周岁的女儿于同年10月离开美国，回归故里。

1950年底王守武刚刚踏上祖国大地，上级就十分信赖地交给他一项紧急任务：为在抗美援朝前线的志愿军运输队设计一种特殊的车灯和路标，让祖国“最可爱的人”在朝鲜前线既可夜里行车，又不致被敌机发现，免遭轰炸。报国心切的王守武，立即在他任职的应用物理研究所，组织科研人员设计与制作。他依据光线在锥体表面定向反射的原理，使特殊设计的车灯光线在路标上的反射光只能定向地射到司机的眼里，避免了敌机发现的可能性。设计制作完成后，进行了实地试验，圆满完成了任务。

1951年5月西藏和平解放后，当地政府发现藏民生活用燃料奇缺，能源不足，但高原阳光充足，便向中国科学院提出了为之设计制造太阳灶的请求。受命主持此项设计任务的王守武，考虑到制造一个大面积的抛物形反射镜加工有困难，决定改用多个窄圆锥形反射面组成的反射系统，用调整每个圆锥面斜度的方法，使平行于主轴方向的光线，都反射到太阳灶的中心。设计制作成功后，用它可以在15分钟内把一壶水烧开。这种太阳灶，在青藏高原长时期地发挥过它的作用。

1953年春中国科学院派员赴苏联考察，了解苏联科学研究工作的进展情况。访苏代表团回国后，报告了苏联在半导体科学技术上的巨大成就，以及飞速进展的情况。这一信息，使我国的科学工作者，特别是物理学工作者，进一步认识到半导体科学技术在社会主义建设事业中的重要性，应当大力推动这方面的工作。为此中国物理学会常务理事会决定，在1955年1月底召开一次全国性的半导体物理学讨论会。

1954年作为讨论会筹备组成员的王守武为了推动中国电子技术跟上时代的发展，他与同期归国的黄昆、洪朝生、汤定元等专家一起合作翻译了苏联半导体权威学者A．F. 约飞写的《近代物理学中的半导体》一书，于1955年由科学出版社出版。1955年黄昆在北京大学物理系开设了《半导体物理学》的课程，这一新兴课程也由他们四人合作讲授。1956年1月这四位专家与后期回国的专家一起在物理学会年会上对“半导体”做了多方面的介绍，希望引起有关方面的重视。王守武的报告题目是：《半导体整流器》与《半导体的电子生伏打效应的理论》。

这期间作为半导体科学的开拓工作，王守武开展了硒与氧化亚铜整流器的制作条件与性能研究，并从理论上分析了有关半导体整流器的一些性能。其研究成果相继在中国《物理学报》上发表。

1956年，是王守武科学研究工作中的一个关键的转折点。因为在这一年，王守武应邀到京西宾馆参加由周恩来总理主持的“全国十二年科学技术发展远景规划”的讨论和制订工作。在所确定的57项重大科技项目中，半导体科学技术的发展，被列为四大紧急措施之一。为了落实这项紧急任务，中央有关部门决定由黄昆、谢希德和王守武等知名学者，分别在培养人才和从事开拓性研究两个方面进行突击。王守武深知这一工作的重要性，毅然中断了其他科研项目，全身心地投入到半导体的研究工作中来，组成了中国科学院应用物理所中中国第一个半导体研究室。

根据当时国外文献的报道，锗是制作晶体管最现实的材料。目标明确之后，在他与同事吴锡九研究员的组织领导下，集中了二机部华北无线电元件研究所、南京工学院等单位的40余名科学工作者，开始了半导体锗材料的研究工作。他一面抓锗材料的提纯，一面亲自领导设计制造了我国第一台拉制半导体锗材料的单晶炉，并于1957年底拉制成功了我国第一根锗单晶；1958年8月，负责器件组工作的王守觉副研究员从苏联学习归来，引来了合金扩散工艺，加速了我国第一批锗高频合金扩散晶体管的成功研制。作为研究室主任的王守武，在参与研制锗高频合金扩散管的同时，又参与了拉制硅单晶的组织领导工作，并具体解决了在拉制硅单晶过程中因坩埚底部温度过高而引起的跳硅难题。

1957年林兰英回国，王守武亲自到她所住的宾馆去动员她来半导体工作组工作，任材料研究组组长，具体实施了硅单晶的拉制方案。经王守武与林兰英的共同努力，使得我国第一根硅单晶于1958年7月问世。为了促进我国第二代(晶体管型)电子计算机的研究，在王守武与有关同志的组织领导下，于1958年创建了我国最早的一家生产晶体管的工厂——中国科学院109工厂，从事锗高频晶体管的批量生产。在人员和设备都较困难的情况下，组织全厂人员奋战，到1959年底，为研制109乙型计算机提供了12个品种、14.5万多只锗晶体管，完成了该机所需的器件生产

1956年是王守武科学研究工作中的一个转折点，人生旅途中的一个关键时代。因为在这一年，王守武应邀参加了“全国十二年科学技术发展远景规划”讨论会。在所确定的57项重大科技项目中，半导体科学技术的发展被列为四大紧急措施之一，是抓紧实施的重点。为了落实这项紧急任务，中央有关部门决定由黄昆、谢希德和王守武等知名学者，分别在培养人才和从事开拓性研究工作两个方面进行突击。王守武深知这一工作的重要性，毅然中断了其他科研项目，全身心地投入到“半导体”的研究工作中来。刚过而立之年的王守武，在团中央礼堂，在北京图书馆广场，在天津，在上海，在大江南北……，搞演讲，举办报告会，大力普及半导体科学知识，热情宣传“半导体”科学的广阔未来。

在应用物理研究所王守武以电学研究组成员为主要对象，举办了半导体专业培训班，继而组建了中国第一个半导体研究室，担当了研究室的主任。

根据当时国外文献的报道，锗是当时制作晶体管最为现实的材料。目标明确之后，在他与后来回国的吴锡九研究员的组织领导下，集中了二机部华北无线电元件研究所、南京大学、武汉大学等单位的40余名科学工作者，开始了半导体锗材料与锗晶体管的研究工作。他一面抓锗材料的提纯，一面亲自领导设计制造了中国第一台单晶炉，并于1957年底拉制成功了中国第一根锗单晶；同年11月底到次年初王守武与同事合作，研制成功了中国第一批锗合金结晶体管，并掌握了锗单晶中的掺杂技术，能控制锗单晶的导电类型、电阻率及少数载流子寿命等电学指标，达到了能自主生产不同器件的要求。

1958年8月领导器件组工作的王守觉从苏联学习归来，引来了半导体“合金”加“扩散”的双重工艺，促使晶体管的研制在提高工作频率方面产生飞跃，加速了中国第一批锗高频合金扩散晶体管的研制。

作为研究室主任的王守武在参与研制锗高频合金扩散晶体管的同时，又参与了拉制硅单晶的组织领导工作，并亲自解决了在拉制硅单晶过程中因坩埚底部温度过高而引起的“跳硅”难题。

1957年春林兰英教授自美国归来，被任命为半导体研究室材料研究组组长。在她的领导下，重新设计制作拉制硅单晶的炉子。经王守武与林兰英的共同努力，采用林兰英从国外带回的硅单晶做籽晶引向，1958年7月中国第一根硅单晶问世。

为了促进我国由电子管型转向晶体管型的第二代电子计算机的研究，在王守武与有关同志的组织领导下，于1958年创建了中国最早的生产晶体管的工厂——中国科学院109厂。工厂刚一成立，立即开展锗高频晶体管的批量生产。在人员和设备都较困难的情况下，他组织全厂人员奋战，到1959年底为研制109乙型计算机的计算技术研究所提供了12个品种、14万5千多只锗高频合金扩散晶体管，完成了该机所需的半导体器件的生产任务，及时为两d一星任务提供了技术保证。

1960年4月王守武受命筹建中国科学院半导体研究所，任筹委会副主任。1960年9月6日，在原应用物理研究所半导体研究室的基础上半导体研究所正式成立，王守武被任命为首任业务副所长，负责全所的科研业务管理和开拓分支学科的组建工作。1962年王守武依据国家科委的决定，在半导体所筹建全国半导体测试中心，并兼任该中心主任。

1960年2月王守武加入了中国共产党。

科学在不断发展，半导体学科的分支也在不断地拓展，1962年美国宣布用砷化镓半导体材料制成第一只半导体激光器，在世界上产生了很大的影响。这类器件在体积、重量和发光效率等方面，均比其它激光器优越，其应用前景也广泛得多。远见卓识的王守武，便于1963年组建了激光器研究室，并兼任该研究室主任。当时半导体所的材料研究室在林兰英研究员的领导下，研制成功了砷化镓单晶材料，故可着手从事半导体砷化镓激光器的研制。在当时实验室的条件下，用X射线来对单晶体进行定向比较困难，王守武创新了一种光学定向的新方法，大大加快了研制工作的进程，提高了各项工艺的成品率。在王守武的领导下，研究室于1964年元旦前夕研制成功了中国第一只半导体激光器。

此后，为了把这些科研成果迅速推广到实际应用中去，王守武除了继续从事研制新品种激光器外，还亲自指导并参与了激光通讯机和激光测距仪的研制工作。事隔不久，中国第一台激光通讯机就诞生了，它可以在无连线的情况下，保密通话达3公里以上。为了提高激光测距仪的可测距离，王守武提出并设计了从噪声中提取信号的电路，装上这个电路后，可以使激光测距仪的测距能力提高一倍以上。这些研究成果，填补了国内空白，有力地支援了国家现代化建设和国民经济建设。

正当王守武为发展我国半导体科学事业大显身手、全力以赴地奉献自己的聪明才智时，“文化大革命”开始了。王守武虽然处于被监督劳动的屈辱境地，但他对所从事的科学事业毫不忘情。在解除了领导职务的情况下，他留在研究室帮助改革工具，修理仪器。为了弥补激光器件研究室缺少分析激光特性手段的缺陷，他设计研制成功了激光发散角分布测试仪。

1968年春当时的科委领导点名要王守武紧急完成一项从越南战场运回的武器解剖任务。王守武毫不犹豫地登上了前往西安的航程。“文革”后期周恩来总理提出“要重视基础理论研究”的号召。王守武面对半导体所的基础理论研究队伍已受到“文革”严重摧残的困难局面，积极行动起来，着手基础理论的研究工作，开展了对新发现的耿氏器件中畴的雪崩弛豫振荡的深入研究。依据这项工作写成的论文，1975年在美国物理学会年会上宣读后，得到国外同行的好评，并在当年的《中国科学》杂志上发表。在这基础上他开始用计算机模拟技术，对耿氏器件中高场畴的动力学进行分析研究，取得了系列成果，发表了多篇论文。

1978年10月中国科学院主要领导同志将王守武请到办公室，要他出马，改变现状，全面负责4千位的MOS随机存储器这一大规模集成电路的研究。

王守武从稳定工艺入手，跟着片子的流程，对工艺线的每道工序进行认真细致的检查，详尽地订出各自的 *** 作规程。他先从研制难度不大的256位中规模集成电路入手，以检验工艺流程的稳定性和可靠性。当其成品率达到97%以上时，王守武才让投片试制4千位动态随机存储器。1979年9月28日，这种集成电路的批量成品率达20%以上，最高的达40%，为当时国内大规模集成电路研制中前所未有的最高水平。这一研制成果获得了中科院1979年科研成果一等奖。1980~1981年在王守武和林兰英的亲自指导下，又研制成功了16千位的大规模集成电路。这一重要成果荣获中科院1981年科研成果一等奖。

1973年起，领导研究半导体激光器中的高场畴动力学和畴雪崩现象。1978年起领导研制半导体大规模集成电路及其工艺研究。

1979年底他荣获全国劳动模范的光荣称号。

1980年刚刚过完春节，上级要王守武去中国科学院109厂兼任厂长职务，开展4千位大规模集成电路的推广工作，从事提高成品率、降低成本的集成电路大生产实验。王守武一到109厂，就高标准地修改了厂房扩建工程的设计方案，用很少的资金、不太长的时间，就将老厂房改造成洁净度达1000至10000级并有一定湿控、温控的高净化标准厂房。中科院109厂的这条年产上百万块中、大规模集成电路的生产线，就这样在王守武的精心 *** 持下宣布建成，其产品亦随之进入市场，并接受了众多用户的考验。1985年国内上百名专家齐集一堂，对王守武主持设计并建成的集成电路大生产实验线及其成果进行了技术鉴定。这一成果于1985年获中科院科技进步二等奖。

在用原有国产设备进行大生产实验的同时，王守武还领导并参与了另一条引进现代化集成电路中试生产线的建设。1988年这条生产线通过了国家计委、国家科委、电子工业部、北京市、中国科学院等有关部门的领导和国内著名专家的验收，并于1990年获中科院科技进步二等奖。

在王守武的倡议下，1986年1月上级将半导体所从事大规模集成电路研究的全套人马合并到109厂，组建中科院“微电子中心”。年事已高的王守武被任命为该中心的终身名誉主任。王守武自此离开现职，专事于学术研究工作。

于连成 现为中国电子进出口总公司副总。 张 飙 现为中国科技日报社总编辑。 徐汉京 1973年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）英语专业，获学士学位。现为中国冶金进出口总公司总经理。 闫铁昌 现为中国电子科技集团第十二所所长。 李胜年 现为电子科技集团公司十二研究所党委书记兼副所长。 贾同金 1974年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）无线电通信专业，获学士学位。现为国家统计局人口司司长。 唐刚斗 1966年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）计算装置专业，获学士学位。现为航天二院长峰集团总经理。 谢良贵 1992年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）电磁场与微波技术专业，获博士学位。现为航天部二院院长。 宇仁录 现为民航总局人事教育司司长。 郭福华 1966年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）无线电通讯设备专业，获学士学位。现为信息产业部政策法规司副司长。 智文广 现为广联集团（中国）总裁。 杨义先 现为北京邮电大学信息工程学院教授。 李云山 1986年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）激光技术专业，获学士学位。现为朗迅科技（中国）有限公司副总裁，朗讯全球服务中国区光网络。 杨国安 1982年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）半导体器件专业，获学士学位。现为四川省科技厅厅长、省委委员。 郝康理 1988年毕业于我校电子工程专业（硕士），现任成都市委常委、成都市宣传部部长，同时担任中国雷达协会理事、中国电子学会四川学会副理事长、成都市青年名誉主席。 陈 伟 现为中华人民共和国信息产业部经济体制改革与经济运行司副司长。 朱志宏 1982年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）电真空器件专业，获学士学位，现为成都市人民政府副市长。 陈润生 1982年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）雷达专业，获学士学位。现为信息产业部电子第29所所长。 陈 浩 1982年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）磁性材料与器件专业，获学士学位。现为信息产业部电子第9研究所所长。 曾 利 1982年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）雷达专业，获学士学位。现为信息产业部电子第十研究所所长。 彭泽忠 1982年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）半导体专业，获学士学位。现为美国凯路技术股份有限公司董事长。 徐世六 现为信息产业部电子第24所所长。 王俊波 1996年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）光学专业，获博士学位。现为西南科技大学党委书记。 吴旭峰 1968年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）无线电专业，获学士学位。原中国电子科技集团公司第26所所长。 蓝 戈 现为中国兵器工业209所所长。 曾贤麟 1961年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）四零一专业，获学士学位。现为成都中鹏房地产开发有限公司董事长。 罗 荣 1983年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）应用数学专业，获学士学位。现为成都宏明电子股份有限公司总经理。 欧阳茂 1982年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）微波技术专业，获学士学位。现为成都锦江电子系统工程有限公司总经理。 朱晋蜀 1982年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）计算机专业，获学士学位。现为成都电子机械高等专科学校校长。 邬 江 现为四川长虹电器股份有限公司董事，执行副总裁。 张华生 1982年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）雷达专业，获学士学位。现为四川广元081总厂厂长。 王 凌 1982年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）无线电通信专业，获学士学位。现为中物院九院院长助理。 蒋世杰 现为成都国光电气总公司总经理。 何一平 1990年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）电子物理与器件专业，获博士学位。现为广东省广晟资产经营有限公司副总经理。 宋 帆 1986年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）真空电子技术专业，获学士学位。现为广东福地股份有限公司副总经理。 胡志宏 1995年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）电路与系统专业，获博士学位。现为艾默生网络能源有限公司副总裁。 周春林 1982年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）雷达专业，获学士学位。现为电子科技集团公司第13研究所党委书记兼副所长。 张冬辰 现为电子科技集团公司第五十四研究所所长/研究员。 宋绍华 现为山西省政协副主席。 胡先发 1968年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）微电子专业，获学士学位。现为信息产业部电子第58研究所所长。 赵建坤 1986年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）固体器件专业，获学士学位。现为无锡华晶微电子股份有限公司总经理。 李正茂 1985年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）通信与电子系统专业，获硕士学位。现为中国联合通信有限公司副总裁。 曹国民 现为贵州省信息产业厅党组副书记、副厅长。 陈营官 1965年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）长途通信专业，获学士学位。现为福建省省委常委、统战部部长。 唐 俊 1989年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）信号、电路与系统专业，获博士学位。现为宏智科技股份有限公司副总裁。 水从容 现为电子部38所副所长 陈亚平 1985年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）计算机专业，获硕士学位．现为四川鼎天（集团）有限公司总裁． 谭宜成 1984年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）电子材料与元件专业，获硕士学位．现为四川天一科技股份有限公司副总经理． 杨钢 现为前锋电子股份有限公司总经理． 郑超 1990年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）电子物理与器件专业，获硕士学位．现为成都旭光电子股份有限公司董事长 党委书记． 郭爱平 1983年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）计算机工程专业，获学士学位．现为TCL科技股份有限公司CEO。 黄章勇 1968年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）无线电（真空）专业，获学士学位．现为深圳飞通光电股份有限公司董事总裁． 李平 1990年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）工业管理工程专业，获硕士学位。现为深圳市科技局副局长． 林永平 现为广州世纪华软科技有限公司（广州）董事长 李山林 1982年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）雷达专业，获学士学位。 现为广东湛江中国人民解放军91388部队总工程师． 刘建新 1991年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）电路与信号系统专业，获硕士学位,现为深圳市天昊科技有限公司总经理． 肖庆 1993年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）计算机通信专业，获学士学位．现为深圳世强电讯有限公司总经理． 张英儒 1989年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）电子材料与元器件专业，获学士学位．现为环球电子导报主编． 申志强 现为中国振华电子集团公司副总裁，董事局成员． 高德铭 1969年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）无线电专业，获学士学位。现为中国航天科工集团0六一基地党委书记，常务副主任。 陆剑侠 1982年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）固体器件专业，获学士学位。 现为东北微电子研究所副所长 高工． 陈永俊 1982年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）雷达专业，获学士学位。 现为信息产业部电子第53研究所所长． 孙涛 1970年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）无线电专业，获学士学位.现为陕西凌云电器总公司(国营第七六五厂) 党委书记． 沈长河 1966年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）雷达专业，获学士学位．现为西安飞机设计所党委书记． 周建波 现为天津光电通信技术有限公司副总工程师． 陈荣水 1969年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）无线电专业，获学士学位。现为福州海关党组成员，副关长 邹自立 1991年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）电子物理与器件专业，获硕士学位．现为信息产业部第34研究所副所长． 陈倜嵘 现为亚康科技（深圳）有限公司总经理，教授． 曾黄麟 1991年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）电路系统专业，获博士学位，四川轻化工学院院长。 李晋德 1982年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）微波技术专业，获学士学位。现为四川省广播电视有限责任公司董事长 王柏华 王柏华：1986年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）自动控制专业，获学士学位。 现为优网通联合资讯有限公司中国区业务副总 王庆宗 1983年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）电真空技术专业，获学士学位．现为北京总装计划部预研局局长。 葛卫平 1987年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）光电子技术专业，获学士学位．现为南京华日液晶显示技术有限公司总经理。 陈晓林 1987年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）光电子技术专业，获学士学位．现为成都旭光电子股份有限公司总经理。 周子学 现为信息产业部经济体制改革与经济运行司司长。 张占勇 现为中信资产管理有限公司总经理。 邓长儒 现为总装备部电子信息部总经理。 高福安 现为北京广播学院副院长。 葛程远 1986年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）电子物理与器件专业，获硕士学位．现为信息产业部机关第二服务局局长。 刘新华 现为国家计委外经贸司副司长。 林仲闽 1985年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）电磁场与微波技术专业，获硕士学位．现为福州卫通联电子技术有限公司总经理。 贺中春 1996年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）电子精密机械专业，获学士学位．现为厦门爱声音响有限公司（厦新电子集团）董事长、总经理。 梁敏强 现为深圳市中房房地产服务有限公司总经理。 刘 飞 1987年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）通信与电子系统专业，获硕士学位．现为TCL阿尔卡特有限公司CEO。 尹子琴 现为昆明爱迪科技有限公司总经理。 余江 1996年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）通信与电子系统专业，获硕士学位．现为云南大学信息学院院长。 杨永 现为昆明浩州集团有限公司董事长、总裁。 漆联邦 1982年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）无线电通讯专业，获学士学位．现为北京三九佳和信息科技发展有限公司总经理。 田长江 1982年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）无线电通讯专业，获学士学位．现为北京拜迪克斯科技有限公司董事长。 王吉来 现为国家计量局副局长。 梁鸣 1982年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）无线电通讯专业，获学士学位．现为中国电子科技集团公司第七研究所所长 万永乐 1982年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）雷达专业，获学士学位．现为信息产业部电子七所副所长、广州市弘宇科技有限公司总经理。 樊均洪 1987年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）电子物理与器件专业，获硕士学位．现为珠海邦兴电子科技有限公司总经理。 刘东宏 现为深圳市创远实业有限公司总经理。 谢红星 1986年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）真空电子技术专业，获学士学位．现为深圳市世纪大吉网络通讯有限公司集团总裁。 田进 1977年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）短波与超短波专业，获学士学位．现为深圳京华电子股份有限公司总经理。 张进 1982年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）电真空器件专业，获学士学位．现为深圳合力顺电子有限公司董事长兼总经理。 伍荣生 1966年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）无线电测量专业，获学士学位．现为深圳开发科技股份有限公司副总裁、董事。 瞿洪桂 1990年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）工业管理工程专业，获硕士学位．现为北京中电兴发科技有限公司董事长兼总裁。 刘济东 1982年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）计算机科学与技术专业，获学士学位．现为中国电子科技集团公司第二研究所副所长。 干益民 1988年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）无线电技术专业，获学士学位．现为上海天成宏业科技股份有限公司副董事长，总经理。 戴克勤 1987年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）秘书专业，获学士学位．现为江苏宏图高科技股份有限公司总裁办主任、总裁助理。 周万幸 1982年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）雷达侦察与干扰专业，获学士学位．现为中电科技集团14所副所长。 邱培曦 1967年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）长途通讯设备专业，获学士学位．现为南京富士通通信设备有限公司副总经理 王芬平 现为深圳市钻石商业广场总经理。 李晓白 1982年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）半导体器件专业，获学士学位．现为深圳集成微电子有限公司董事长、Integroth Canada Co.,Ltd.CEO、加拿大中国商会常务理事兼IT分会会长。 彭正能 原桂林电子工业学院党委书记。 王远辉 现为四川省德阳市副市长。 杨伟 现为成都市教育局局长。 蒲含友 1970年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）无线电专业，获学士学位．现为中国兵器工业第58研究所党委书记。 罗天文 1984年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）通信与电子系统专业，获硕士学位．现为信息产业部电子第三十研究所董事长、研究员。 何健 1993年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）通信工程专业，获学士学位．现为中国共产党乐山市委员会常委、乐山市人民政府常务副市长。 补建 现为成都三泰电子实业有限公司董事长、总经理。 邵立肃 1982年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）哲学专业，获学士学位．现为中央人民广播电台、中国国际广播电台四川记者站站长。 张安弟 1972年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）半导体器件与材料专业，获学士学位．现为四川电视台副台长。 姚军 1977年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）短波与超短波专业，获学士学位．现为中国工程物理研究院电子工程研究所所长。 王彬 1988年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）电磁场与微波技术专业，获学士学位．现为北京新雷能有限责任公司董事长、总经理。 孙伟 1982年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）计算机专业，获学士学位．现为威盛电子股份有限公司董事长。 赵 剑 1989年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院），获学士学位．现为深圳市金证科技股份公司总裁。 李结义 1989年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）计算机软件与理论专业，获硕士学位．现为深圳市金证科技股份公司副总裁。 马晓健 1989年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）机械制造专业，获硕士学位．现为宁波波导股份有限公司副总经理。 金光涛 现为宁波波导股份有限公司副总经理 任 江 1999年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）计算机应用技术专业，获硕士学位．现为北京长城宽带网络服务有限公司副总经理。 唐小我 现为四川省教育厅副厅长 张 浩 长沙浩博实业有限公司董事长,电子精密机械专业,第四届中国十大杰出青年农民；湖南省第十届人民代表大会代表；长沙现代农业科技示范基地总裁 陈 可 1985年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）激光技术专业，获学士学位．现为上海晓通网络技术有限公司华东区销售总监。 季宗棠 现为上海校友会会长。 徐伟国 1982年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）电真空器件专业，获学士学位．现为上海菲力克斯电子有限公司董事长。 白建川 1984年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）电视专业，获学士学位．现为南京熊猫集团总工程师。 胡波 1984年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）电视专业，获学士学位．现为美国安科特纳公司上海办事处总经理。 李开芹 1969年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）无线电专业，获学士学位．现为武汉校友会会长。 朱世平 1982年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）电子仪器及测量技术专业，获学士学位．现为长沙市委组织部副部长。 同伟 1990年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）物理电子技术专业，获学士学位．现为西安新浪数码有限公司总经理。 燕林豹 1988年毕业于电子科技大学（原成都电讯工程学院）无线电设备结构设计专业，获学士学位．现为陕西黄河集团有限公司副总经理。 智勇 现为贵州华城实业（集团）执行总裁、贵州华城楼宇科技董事长、贵州华城大酒店总经理。 胡爱民 现为中国电子科技集团公司第26所所长。 廖建新 廖建新:1965年生于四川宜宾。1996年在电子科技大学获工学博士学位。东信北邮信息技术有限公司董事、总裁，北京邮电大学网络智能研究中心主任、教授、博士生导师。

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