超薄的半导体薄膜被科学家研制出来，有怎样的作用？

我们的世界在不断的发展之中，现在新材料的研究和开发是一个热门的话题，因为一种新材料的问世，无疑会带来巨大的好处。新材料的发现能够让科学技术得到进步，同时新材料能够成为一个国家的战略物资，所以现在各个国家都在加紧研究新材料。

二零一八年期间新材料越来越多，让人有一种目不暇接的感觉，但是这些新材料的出现，确实给我们的生活带来巨大的改变，所以我们学习科学的时候，一点要注意新材料的事情，这样才能够跟上社会的发展，跟上科学技术的脚部，二零一八比较吸引人的一种新材料美女小倩给大家介绍一下。

有一种新材料未来很可能会给我们带来新的产品，这种材料是一种特殊的材质，能够取代硅。我们知道硅是一种地球上比较多的材料，所以我们制作半导体薄膜的时候会使用这种材料，可是这种材料制作的产品比较厚重，所以使用起来并不是很方便，而这种新材料则改变了这个模式。

美国麻省理工学院【MIT】的科学家们研制出一种超薄的半导体薄膜，这种新的材料，无疑会给未来的电子器材地带来一场重大的改革，这项技术很可能将会使用在很多城市建设方面，对于建设一个未来的智能城市，提供了一个新的办法和一个新的方案。

这种新技术使用一种【远程外延】的新方法，能够将一些特殊的材料进行一系列的改变，从而能够制造出更加轻薄的材料，这样一来就能够改变传感器和太阳能电池的体积，以及我们使用的计算机和智能手机，这样的材料一旦开始使用将会改变我们现在的生活。

美国的这些?研究人员已经开始着手制造出一些由砷化镓以及氮化镓的材料，同时也利用氟化锂材料制造柔性薄膜，这些产品确实在超薄方面做得十分出色，那么怎么样出色呢？美女小倩给大家举个例子，一旦这个技术出现，那么将会让手机能够给纸张一样，贴在皮肤上即可。

不过这些技术依旧没有成熟起来，目前制造的这些材料造价十分的昂贵，所以根本没有办法让老百姓使用。所以科学家现在开始在节约成本方面进行努力，当然这条路还很长，所以我们还要等待很久。不过随着科学技术的不断进步，总有一天我们会看这些产品。

半导体的材料：常温下导电性能介于导体（conductor）与绝缘体（insulator）之间的材料。半导体按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。锗和硅是最常用的元素半导体；化合物半导体包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化镓、磷化镓等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（ 硫化镉、硫化锌等）、氧化物（锰、铬、铁、铜的氧化物）,以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体（镓铝砷、镓砷磷等）。除上述晶态半导体外，还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。

半导体的作用：

（1）集成电路 它是半导体技术发展中最活跃的一个领域，已发展到大规模集成的阶段。在几平方毫米的硅片上能制作几万只晶体管，可在一片硅片上制成一台微信息处理器，或完成其它较复杂的电路功能。集成电路的发展方向是实现更高的集成度和微功耗，并使信息处理速度达到微微秒级。（2）微波器件 半导体微波器件包括接收、控制和发射器件等。毫米波段以下的接收器件已广泛使用。在厘米波段，发射器件的功率已达到数瓦，人们正在通过研制新器件、发展新技术来获得更大的输出功率。

（3）光电子器件 半导体发光、摄象器件和激光器件的发展使光电子器件成为一个重要的领域。它们的应用范围主要是：光通信、数码显示、图象接收、光集成等。

半导体的特点：

（1）电阻率的变化受杂质含量的影响极大。例如，硅中只含有亿分之一的硼，电阻率就会下降到原来的千分之一。如果所含杂质的类型不同，导电类型也不同。由此可见，半导体的导电性与所含的微量杂质有着非常密切的关系。 （2）电阻率受外界条件（如热、光等）的影响很大。温度升高或受光照射时均可使电阻率迅速下降。一些特殊的半导体在电场或磁场的作用下，电阻率也会发生改变。

宽禁带半导体性能远优于第一代的Si 和第二代的GaAs。Si 和GaAs 材料制成半导体器件由于材料本身的限制已经达到发展极限，难以满足当今对功率半导体性能的需求。以宽禁带为主要特征的第三代半导体以更高的击穿电厂、更高的热导率、更高的电子饱和漂移速率和更高的抗辐射能力，开始在军事、航空航天、LED 照明等领域崭露头角。http://ic.big-bit.com/

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