被卡了脖子的中国半导体行业会崛起吗？我们需要几年才能取得突破呢？

我认为中国的半导体行业必然会崛起，任何国家都无法阻挡中国的崛起。要想在半导体行业有所突破，我认为预计需要10年的时间。

我国一直以来都致力于芯片行业的生产和制造，但是在芯片领域方面，我们已经落后欧美国家太多地方了。归根结底，是因为我们起步时间晚于欧美国家，而且欧美国家不愿与我们进行技术分享，甚至进行了全面的技术封锁。这也直接导致了我国的芯片领域方面存在很多技术性短板，在短时间之内还是无法实现超越。

被卡了脖子的中国半导体行业会崛起吗？

至于中国的半导体行业是否会崛起，我的答案是肯定的。但是要想在一两年之内恢复，关键是不太可能的。一起来美国等西方国家总是制裁我国，尤其是喜欢在芯片领域方面。当然这也是美国等西方国家一贯的做法，芯片也是我们为数不多的短板之一。因此，我国的芯片以及半导体行业的发展已经被欧美国家卡脖子。

预计10年之内可以实现。

至于中国半导体行业何时能够崛起，我认为时间需要在10年之内。因为我们与西方欧美国家的技术差距，相差整整10年左右。不过这也是由于当前现状所决定的，一方面我国没有先进的人才，另一方面也是没有更加高端的精密仪器。无论是哪一方面，我们都存在很多的缺陷。因此我国也正在不断的努力，改善我国芯片方面的不足，也正在进一步缩小双方之间的差距。

中国芯片已经取得了很大的进步。

其实中国的芯片在很短的时间之内已经取得了很大的进步，即使与欧美国家仍然具有一定的差距。但是要相比较，上个世纪而言，我国的芯片产业在很短的时间之内有了很大的突破。这在西方欧美国家看来完全是一个奇迹，因为从无到有，一直以来都是中国的做法。

1995年和2001年，陈大同分别在美国硅谷和中国上海参与创办了豪威科技（Omnivision）和展讯通信。前者致力于CMOS图像传感器芯片，2000年上市；后者研发出了自主知识产权的手机基带芯片，2007年上市。两家公司均一度成为全球同行业的引领者。

展讯在美国上市后，2008年，他投身风投，领导了一系列集成电路领域的投资。“我这一路走过来，有些是幸运，但回头一看，其实更多的是一种必然。”

中国半导体产业60多年起伏与生长

自上世纪70年代从清华大学无线电专业转到半导体专业，陈大同与半导体打了40多年交道。

陈大同说，早在上世纪50年代末60年初，我国就有了半导体产业，当时的发展几乎与世界同步。由于对外界的封闭，虽然起步早，但发展慢，到1980年代初他念研究生时，我国半导体产业与世界的差距越来越大。

当时清华大学微电子研究所是国内半导体研究水平最高的两个研究所之一，他们所做的“逆向设计”实际上就是解剖芯片，分析之后再重新做出来。这样的能力非常了不起，但逆向设计是为了“追赶”，并不是真正的“赶超”。

从1980年开始一直到2000年是中国半导体产业发展的第二阶段。这一时期，我国经历了从计划经济到市场经济的转变。在快速变化的世界中，“国家一开放，外国产品一进来，（国内）完全没有任何竞争力。”

“1989年我出国的时候国内有几百家半导体公司，等我2000年回国的时候几乎全都倒闭了，在这种关键的时候整个产业几乎没了，因为原来那些公司都是国营公司。”2000年以后，以中芯国际和展讯的创办为开端，中国半导体产业发展进入第三阶段，芯片设计公司的产品能在国内加工了，民营半导体企业从零开始成长，尽管规模较小。“特别是2005年开始有了VC后，半导体企业大批量出现，到2007年、2008年光设计公司已经有五六百家了。”

但陈大同表示，这一时期是野蛮成长的阶段，这些企业在市场法则的激烈竞争中大都失败了，只有少数获得成功，而当时活下来的就成了现在的半导体龙头企业。“这个阶段的最大特点就是按照市场机制从小到大创办公司，但这个阶段也发现了很大问题，有许多痛点，光靠市场机制是没法做的。”

比如一个晶圆代工厂的投资就要几百亿甚至上千亿人民币，而回报以10年计算。“三星在半导体方面被韩国政府扶持了十几年才建立起来。”陈大同表示，像这类大体量和长期的投资只能由政府出手

1947年，美国贝尔实验室发明了半导体点接触式晶体管，从而开创了人类的硅文明时代。

1956年，我国提出“向科学进军”，根据国外发展电子器件的进程，提出了中国也要研究半导体科学，把半导体技术列为国家四大紧急措施之一。中国科学院应用物理所首先举办了半导体器件短期培训班。请回国的半导体专家黄昆、吴锡九、黄敞、林兰英、王守武、成众志等讲授半导体理论、晶体管制造技术和半导体线路。在五所大学――北京大学、复旦大学、吉林大学、厦门大学和南京大学联合在北京大学开办了半导体物理专业，共同培养第一批半导体人才。培养出了第一批著名的教授：北京大学的黄昆、复旦大学的谢希德、吉林大学的高鼎三。1957年毕业的第一批研究生中有中国科学院院士王阳元（北京大学微电子所所长）、工程院院士许居衍（华晶集团中央研究院院长）和电子工业部总工程师俞忠钰（北方华虹设计公司董事长）。

1957年，北京电子管厂通过还原氧化锗，拉出了锗单晶。中国科学院应用物理研究所和二机部十局第十一所开发锗晶体管。当年，中国相继研制出锗点接触二极管和三极管（即晶体管）。

1958年，美国德州仪器公司和仙童公司各自研制发明了半导体集成电路（IC）之后，发展极为迅猛，从SSI（小规模集成电路）起步，经过MSI（中规模集成电路），发展到LSI（大规模集成电路），然后发展到现在的VLSI（超大规模集成电路）及最近的ULSI（特大规模集成电路），甚至发展到将来的GSI（甚大规模集成电路），届时单片集成电路集成度将超过10亿个元件。

1959年，天津拉制出硅（Si）单晶。

1960年，中科院在北京建立半导体研究所，同年在河北建立工业性专业化研究所――第十三所（河北半导体研究所）。

1962年，天津拉制出砷化镓单晶（GaAs），为研究制备其他化合物半导体打下了基础。

1962年，我国研究制成硅外延工艺，并开始研究采用照相制版，光刻工艺。

1963年，河北省半导体研究所制成硅平面型晶体管。

1964年，河北省半导体研究所研制出硅外延平面型晶体管。

1965年12月，河北半导体研究所召开鉴定会，鉴定了第一批半导体管，并在国内首先鉴定了DTL型（二极管――晶体管逻辑）数字逻辑电路。1966年底，在工厂范围内上海元件五厂鉴定了TTL电路产品。这些小规模双极型数字集成电路主要以与非门为主，还有与非驱动器、与门、或非门、或门、以及与或非电路等。标志着中国已经制成了自己的小规模集成电路。

1968年，组建国营东光电工厂（878厂）、上海无线电十九厂，至1970年建成投产，形成中国IC产业中的“两霸”。

1968年，上海无线电十四厂首家制成PMOS（P型金属－氧化物半导体）电路（MOSIC）。拉开了我国发展MOS电路的序幕，并在七十年代初，永川半导体研究所（现电子第24所）、上无十四厂和北京878厂相继研制成功NMOS电路。之后，又研制成CMOS电路。

七十年代初，IC价高利厚，需求巨大，引起了全国建设IC生产企业的热潮，共有四十多家集成电路工厂建成，四机部所属厂有749厂（永红器材厂）、871（天光集成电路厂）、878（东光电工厂）、4433厂（风光电工厂）和4435厂（韶光电工厂）等。各省市所建厂主要有：上海元件五厂、上无七厂、上无十四厂、上无十九厂、苏州半导体厂、常州半导体厂、北京半导体器件二厂、三厂、五厂、六厂、天津半导体（一）厂、航天部西安691厂等等。

1972年，中国第一块PMOS型LSI电路在四川永川半导体研究所研制成功。

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